全文获取类型
收费全文 | 22714篇 |
免费 | 6700篇 |
国内免费 | 10377篇 |
专业分类
化学 | 15909篇 |
晶体学 | 918篇 |
力学 | 4553篇 |
综合类 | 774篇 |
数学 | 3205篇 |
物理学 | 14432篇 |
出版年
2024年 | 236篇 |
2023年 | 798篇 |
2022年 | 925篇 |
2021年 | 937篇 |
2020年 | 695篇 |
2019年 | 863篇 |
2018年 | 662篇 |
2017年 | 902篇 |
2016年 | 944篇 |
2015年 | 1039篇 |
2014年 | 2062篇 |
2013年 | 1663篇 |
2012年 | 1680篇 |
2011年 | 1817篇 |
2010年 | 1748篇 |
2009年 | 1864篇 |
2008年 | 2104篇 |
2007年 | 1640篇 |
2006年 | 1666篇 |
2005年 | 1818篇 |
2004年 | 1618篇 |
2003年 | 1758篇 |
2002年 | 1435篇 |
2001年 | 1352篇 |
2000年 | 1071篇 |
1999年 | 774篇 |
1998年 | 732篇 |
1997年 | 651篇 |
1996年 | 637篇 |
1995年 | 624篇 |
1994年 | 621篇 |
1993年 | 436篇 |
1992年 | 459篇 |
1991年 | 430篇 |
1990年 | 444篇 |
1989年 | 365篇 |
1988年 | 97篇 |
1987年 | 77篇 |
1986年 | 52篇 |
1985年 | 34篇 |
1984年 | 17篇 |
1983年 | 20篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 1篇 |
1979年 | 4篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
131.
132.
We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride(GaN) films grown on sapphire,using the femtosecond laser beam at a central wavelength of 800nm as the source for the high-speed ablation of GaN films.By measuring the backscattered Raman spectrum of ablated samples,the dependence of the ablation depth on laser fluence with one pulse was obtained.The threwshold laser fluence for the ablation of GaN films was determined to be about 0.25J/cm^2,Laser ablation depth increases with the increasing laser fluence until the amount of removed material is not further increased.The ablated surface was investigated by an optical surface interference profile meter. 相似文献
133.
Dielectric effect on the rf characteristics of a helical groove travelling wave tube 总被引:1,自引:0,他引:1
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
A new type of partial-dielectric-loaded helical groove slow-wave structure (SWS) for millimetre wave travelling wave tube (TWT) is presented in this paper.The radio-frequency characteristics including the dispersion properties,the longitudinal electric field distribution and the beam-wave coupling impedance of this structure are analysed.The results show that the dispersion of the helical groove circuit is weakened,the phase velocity is reduced and the position of the maximum Ez is moved from the mouth to the inside of the groove after partially filling the dielectric materials in the helical groove SWS.Therefore,the dielectric-loaded helical groove SWS is suitable for a multi-beam TWT with broad band and high gain. 相似文献
134.
本文讨论如下形式的方程((?)/(?)~t-it~ρD_x)(?)/(?)~t+it~ρD_x+(α+β)/t~α)u+α/t~α-(?)/(?)~t+α(α+β)/t~(2α)u=f(t,x) (1)x∈R~n,00,α≥1的常数。α及β也是常数。方程在 t=O 有重特征。而低阶项的系数正好在 t=0 有奇异性。我们在方程的低阶项符合一定条件,且方程的特征根的重数与低阶项的奇异性的阶数满足一定关系时,给出了方程(1)的解的唯一性与可微性定理。并讨论了当 t→+0 时,解的渐近性态。 相似文献
135.
136.
137.
138.
139.
140.
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。 相似文献