直线感应加速器束包络数值计算模型

给出的直线感应加速器束输运的计算模型,能够计算束流从注入器经加速器直到最后聚焦的束包络.利用该编码可以方便地研究各种磁场位形及隙压参数对束流输运的影响.作为算例,给出了束流为3kA在长达40余米直线感应加速器的多种磁场位形下的束包络.     

a-Si:H薄膜及MWECR-CVD制备技术

文章回顾了a—Si：H薄膜的发展历程，并介绍了其近10年的研究状况、为提高a—Si：H薄膜的沉积速度，还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR—CVD)技术，该技术的特点是：不含电极，可避免电极溅射造成的污染；等离子区离子密度高，对硅烷能高度分解，从而可显著提高薄膜生长速率；改变磁场位形和结构，可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量，文章还分析了其制备a—Si：H薄膜存在的问题，提出了今后的研究方向。     

Minkowski空间中保高斯映射的共形形变

设Ｍｎ为Ｒｉｅｍａｎｎ流形，给定类空浸入：Ｍｎ→Ｒｎ，ｐ，如果存在另一个类空浸入：Ｍｎ→Ｒｎ，ｐ，使与在共形对应之下且对应点的地空间平行，则称类空子流形是可保高斯映射共形形变的．本文给出可保高斯映射共形形变的充要条件．对ｎ＝２，ｐ＝１的情形，如果上述形变是同向的，我们分类了曲面；如果是反向的，我们用主曲率满足的方程来描述．     

G2,n中的可兼共形调和曲面

本文通过建立复Ｇｒａｓｓｍａｎｎ流形Ｇ２，ｎ中调和曲面的Ｇａｕｓｓ丛的基本公式，在适当的拓扑条件下给出了Ｇ２，ｎ中可兼共形调和曲面的构造定理．推广和改进了Ｂｕｒｓｔａｌｌ和Ｗｏｏｄ的低亏格曲面的结果．     

水平共形映射和调和Morphism

本文建立了Riemann流形之间水平共形映射之能量密度的基本公式．作为应用，得到了水平共形映射是水平相似映射的充要条件；分类了欧氏空间的开子集之间所有具有全测地纤维的水平共形映射；最后导出了由调和morphism的度量形变产生的水平共形映射力调和motphism的等价条件．因而改进和推广了Baird－Eells，Gudmundsson以及Baird的相应结果．     

圆波导劈形端口辐射器的数值分析

 高功率微波运用的圆波导劈形端口辐射器(Vlasov-Nakajima辐射器)的辐射场可视为由平开口圆波导的辐射场和在该辐射场中的劈形圆波导段的散射场叠加而成。运用等效电磁流原理数值求解Kirchhoff-kottler积分获得圆波导TM₀₁模的辐射场,再应用物理光学方法计算劈形段的散射场,并将计算的远场方向图与实验结果比较,获得较满意的一致。     

用超对称性和形不变性方法求解环形振子的能谱和波函数

运用超对称性和形不变性方法计算环形振子的能量本征值和本征波函数.所得到的能谱公式与用费曼路径积分方法得到的严格解完全一致.     

相对运动完整系统Appell方程Mei对称性的共形不变性与守恒量

研究相对运动完整系统Appell方程Mei对称性的共形不变性与守恒量. 引入无限小单参数变换群及其生成元向量, 给出相对运动完整系统Appell方程的Mei对称性和共形不变性的定义, 导出系统Mei对称性的共形不变性确定方程, 重点讨论系统共形不变性和Mei对称性的关系, 然后借助规范函数满足的结构方程导出系统Mei对称性导致的Mei守恒量表达式, 最后举例说明结果的应用.     

双面次级电子倍增效应向单面次级电子倍增效应发展规律的研究

次级电子倍增效应引起的输出窗失效问题往往给微波器件造成灾难性的影响, 是限制微波器件功率进一步提升的瓶颈. 以S波段高功率盒形窗为研究对象, 针对盒形窗内无氧铜金属边界与陶瓷介质窗片相对的区域, 建立了研究法向电场作用下次级电子倍增效应的Monte-Carlo模型. 通过拟合这两种材料间双面次级电子倍增以及单面次级电子倍增效应的敏感曲线, 对次级电子倍增发展特点进行详细分析, 获得了金属与介质之间的次级电子由双面倍增向单面倍增演变的规律.