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81.
运用核磁共振(NMR)方法分别测定了表面活性剂辛基苯聚氧乙烯醚(TX-100)和十六烷基三甲溴化铵(CTAB)在不同温度下的临界胶束浓度.阐述了应用1D NMR线型分析方法对表面活性剂快交换体系平均停留时间的定量测量.实验测量了TX-100和CTAB胶束溶液中表面活性剂分子在不同温度下的平均停留时间.结果显示,平均停留时间随温度的增加逐渐减小,说明TX-100和CTAB分子进出胶束的速率随温度的增加逐渐加快.利用阿伦尼乌斯公式拟合,获得了TX-100和CTAB的表观交换活化能,TX-100的表观交换活化能为17.6 k J/mol,CTAB的表观交换活化能为75.3 k J/mol.对TX-100和CTAB平均停留时间和表观交换活化能进行分析,得出平均停留时间和表观交换活化能与分子结构的关系:表观交换活化能反映的是疏水相互作用和静电斥力的大小;而平均停留时间不仅受活化能的影响,还与分子结构有关. 相似文献
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应用ICP-AES法测定钨酸钇钾[kY(WO4)2]激光晶体中的Er和Nd。试样用磷酸分解,Tm被选作内标元素。Er和Nd的回收率分别为98.6%-105.3%和96.5%-105.8%,相对标准偏差分别为1.90%和1.60%。 相似文献
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Kalman滤波法消除光谱连续背景的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了Kalman滤波法消除光谱连续背景,以电感耦合等离子体原子发射光谱法测量氧化铽中La,Er,Gd,Dy,Du和Tm为例研究了不同背景情况下的结果。用新息序列的平均平方和正交自相关系数超过出信度极限以外数为评价函数,可评价所估计的背景形状,是一种不用测背景,用计算方法消除光谱连续背景的好方法,本方法不仅适用于电感耦合等离子体原子发射光谱,对分光光度,原子等原则上都可适用。 相似文献
84.
以QCD袋模型和统计流体力学模型为基础,在二维平衡态近似下得到多重数和质心系能量的关系式,和高能 碰撞非单衍过程产生的多重数实验数据吻合得很好;在三维平衡态近似下得到中心在快度较大区域的产生粒子的源Ⅱ的大小和横动量的关系,关系式和三火球模型计算结果符合. 相似文献
85.
XUE Zheng-Yuan YI You-Min CAO Zhuo-Liang 《理论物理通讯》2006,46(2):225-228
Teleportation schemes with a tripartite entangled state in cavity QED are investigated. The schemes do not need Bell state measurements and the successful probabilities reach optimality. In addition, the schemes are insensitive to both the cavity decay and the thermal field. We first consider two teleportation schemes via a tripartite GHZ state. The first one is a controlled one for an unknown single-qubit state. The second scheme is teleportation of unknown two-atom entangled state. Then we consider teleporting of single-qubit arbitrary state via a tripartite W state. 相似文献
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In this paper,we investigate the performance of the bulk fin field effect transistor(FinFET) through a threedimensional(3D) full band Monte Carlo simulator with quantum correction.Several scattering mechanisms,such as the acoustic and optical phonon scattering,the ionized impurity scattering,the impact ionization scattering and the surface roughness scattering are considered in our simulator.The effects of the substrate bias and the surface roughness scattering near the Si/SiO2 interface on the performance of bulk FinFET are mainly discussed in our work.Our results show that the on-current of bulk FinFET is sensitive to the surface roughness and that we can reduce the substrate leakage current by modulating the substrate bias voltage. 相似文献
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