有机小分子发光材料与聚合物发光材料在大气存放条件下的稳定性对比研究

分别采用紫外光电子能谱（UPS）、X光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）、以及光致发光光谱（PL）等方法对在大气存放条件下的8－羟基喹啉铝（Alq)薄膜和聚（9,9－二辛烷基芴）（PFO）薄膜的电子结构、表面形 及发光特性进行了对比。研究结果表明,PFO的电子结构、表面形貌以及发光特性受外界气氛影响极小,是一种非常稳定的聚合物发光材料。这为聚合物发光器件的稳定性提供了有利的条件。     

强一致收敛下的初值敏感性与等度连续性

首先,举例指出了《Nonlinear Anglgsis》文中定理3.2的条件下并不能使函数序列的初值敏感性遗传至极限函数,并证明了若函数序列的敏感常数的上极限为某一正数,则在强一致收敛下,函数序列的极限函数也具有初值敏感性.其次,证明了在强一致收敛下,序列系统的等度连续性和一致几乎周期性能被极限系统所继承.     

扫描近场光学显微镜中两类光纤探针传输特性的研究

采用局域模式耦合理论，对扫描近场光学显微镜中的两类光纤探针－腐蚀锥和熔拉锥的传输特性进行了比较和分析。给出了光在探针锥中传输时耦合效率的分布情况，以及传输效率随锥长，针尖直径和光波长变化的特性。     

Electronic structure and magnetism in full-Heusler compound Mn2ZnGe

The first-principle calculations within density functional theory are used to investigate the electronic structure and magnetism of the Mn₂ZnGe Heusler alloy with CuHg₂Ti-type structure. The half-metallic ferrimagnets (HMFs) in Mn₂ZnGe are predicted. The energy gap lies in the minority-spin band for the Mn₂ZnGe alloy. The calculated total spin magnetic moment is −2μ_B per unit cell for Mn₂ZnGe alloy, the magnetic moments of Zn and Mn(B) are antiparallel to that of Mn(A), and we also found that the half-metallic properties of Mn₂ZnGe are insensitive to the dependence of lattice within the wide range of 5.69 and 5.80 Å where exhibiting perfect 100% spin polarization at the Fermi energy.     

烧结温度、La掺杂对Bi_(1-x)La_xMnO_3结构及磁性能的影响

用溶胶-凝胶(so-lgel)法制备了多铁Bi1-xLaxMnO3(BLMO,0.1≤x≤0.4)系列样品.样品的结构表征(X-射线衍射,扫描电子显微镜)及差热-热重(TG-DTA)分析测量显示,形成稳定的BLMO钙钛矿相的烧结温度位于900~950℃.La掺杂对BLMO样品(950℃烧结)的结构和磁性能的影响也被仔细研究.结果显示,随着La掺杂减少,样品中BLMO钙钛矿相减弱,铁磁转变温度(TC)由53K降至41K,而饱和磁化强度经历了先降低再升高的变化.这可归因于La含量较少的样品中Bi空位浓度的增加诱导了Mn-O-Mn键角的减小和局域Mn4+离子的增多,使得Mn3+和Mn4+离子的铁磁超交换增强和Mn3+离子的dz2轨道有序受到局域破坏.     

发光二极管用SrWO4:Eu3+红光荧光粉激发谱强度的调控

采用化学共沉淀法制备了Eu³⁺掺杂摩尔分数不同、煅烧温度不同的SrWO₄:Eu³⁺系列发光粉体, 所制备的粉体均具有Eu³⁺特征的强室温红光荧光发射. 通过调节煅烧温度和掺杂摩尔分数来调控近紫外和蓝光吸收强度, 进而调控用395 nm的近紫外光和465 nm的蓝光激发样品所得红光发光强度. 研究结果表明, 所制备的SrWO₄:Eu³⁺红光荧光粉可以被紫外和蓝光发光二极管有效激 关键词： 稀土掺杂 4:Eu³⁺')" href="#">SrWO₄:Eu³⁺ 光致发光 白光发光二极管     

退火处理对W:Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体发光性能的影响

通过提拉法制备了W:Bi4 Ge3 O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等.W:Bi4 Ge3 O12的可见光发光强度比纯Bi4 Ge3 O12有所增强,而且N2中退火处理对W:Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用.Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光...     

La1．6（MoO4）3∶Eu3＋0．4纳米晶合成及发光特性

采用燃烧法合成了La1．6（MoO4）3∶Eu3＋0．4纳米晶末,研究了其声子-掺杂-晶格相互作用和发光性质。 X射线粉末衍射（XRD）分析表明,在500～900℃退火后,La1．6（MoO4）3∶Eu3＋0．4样品为单一晶相。对样品进行了光致发光（PL）测量,激发Mo6＋-O2－电荷迁移带,观察到Eu3＋的系列发光,表明Mo6＋-O2－带和Eu3＋间存在能量传递,中心波长分别在λ1＝469 nm和λ2＝426 nm处的两个one-phonon边带,相应的声子能量分别为767和1202 cm－1,分别对应于Mo O和Mo—O—Mo伸缩振动。同时,计算了两个局域模电子-声子耦合强度的黄昆因子分别为S1＝0.055和S2＝0.037,为揭示其三价离子高传导特性及其负热膨胀物理特性提供了实验基础。     

超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性

以液态金属Ca作为催化剂合成了大量的非晶SiO2纳米线阵列。这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8nm,长度大于300μm。研究发现,载气的湿度对非晶SiO2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程。对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明,非晶SiO2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰,它们直接与样品中的缺陷和空位有关。首次发现了一个稳定的PL峰,存在于红外波段,作为光源,非晶SiO2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用。由于SiO2是传统的光纤材料,单根SiO2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中。     

非等电子Sb替换Cu和Te后黄铜矿结构半导体Cu_3Ga_5Te_9的热电性能

热电材料是一类能够实现热与电相互转换的功能材料,在制冷和发电领域极具应用潜力.本文采用金属Sb元素非等电子替换Cu3Ga5Te9化学式中的Cu和Te,观察到材料Seebeck系数和电导率提升的现象.这些电学性能的改善与载流子浓度和有效质量的增大及迁移率基本维持不变有关.载流子浓度的提高是由于Sb原子占位在Te晶格位置后费米能级进入到价带所产生的空穴掺杂效应所致,同时也与Cu含量减少后铜空位(V-1Cu)浓度增大相关联.另外,非等电子替换后,阴离子(Te2-)移位导致了晶格结构缺陷参数u和η的改变,其改变量fiu和fiη与材料晶格热导率(κL)的变化密切相关.在766 K时,适量的Sb替换量使材料的最大热电优值(ZT)达到0.6,比Cu3Ga5Te9提高了近25%.因此,通过选择替换元素、被替换元素及替换量有效地调控了材料的电学及热学性能,在黄铜矿结构半导体中实现了非等电子元素替换改善热电性能的思想.