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131.
采用共蒸发法在不同衬底温度下沉积Cu_2ZnSnSe_4(简称CZTSe)薄膜,分析了衬底温度对CZTSe材料性质及电池性能的影响。研究表明:当衬底温度较低时(380℃),CZTSe薄膜中含有SnSe_x使电池失效;随着衬底温度的升高,CZTSe薄膜的结晶质量明显提升,电池开路电压增加。但当衬底温度达到460℃时,电池的转换效率反而下降;结合CZTSe的生长机理及器件模型分析了电池效率下降可能的原因。最终在衬底温度420℃的条件下制备出效率为3.12%(有效面积0.34 cm~2)的CZTSe太阳电池。 相似文献
132.
InN and In0.46 Ca0.54N films are grown on sapphire with a CaN buffer by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). Both high resolution x-ray diffraction and high resolution transmission electron microscopy results reveal that these films have a hexagonal structure of single crystal. The thin InN film has a high mobility of 4 75 cm^2V^-1s^-1 and that oflno.46 Gao.54N is 163 cm^2 V^-1s^-1. Room-temperat ure photoluminescence measurement of the InN film shows a peak at 0.72eV, confirming that a high quality InN film is fabricated for applications to full spectrum solar cells. 相似文献
133.
134.
UV–visible spectral characterization and density functional theory simulation analysis on laser-induced crystallization of amorphous silicon thin films
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The effect of laser energy density on the crystallization of hydrogenated intrinsic amorphous silicon (a-Si:H) thin films was studied both theoretically and experimentally. The thin films were irritated by a frequency-doubled (λ= 532 nm) Nd:YAG pulsed nanosecond laser. An effective density functional theory model was built to reveal the variation of bandgap energy influenced by thermal stress after laser irradiation. Experimental results establish correlation between the thermal stress and the shift of transverse optical peak in Raman spectroscopy and suggest that the relatively greater shift of the transverse optical (TO) peak can produce higher stress. The highest crystalline fraction (84.5%) is obtained in the optimized laser energy density (1000 mJ/cm2) with a considerable stress release. The absorption edge energy measured by the UV- visible spectra is in fairly good agreement with the bandgap energy in the density functional theory (DFT) simulation. 相似文献
135.
相对于3D钙钛矿材料,二维(2D)有机-无机杂化钙钛矿材料具有更好的稳定性.然而由于载流子输运性差, 2D钙钛矿太阳电池效率较低.为了提高2D钙钛矿太阳电池的效率,制备了铯掺杂的具有反梯度结构的二维(CMA)2MA8Pb9I28薄膜.研究结果发现:CsI掺杂能够改善(CMA)2MA8Pb9I28薄膜的形貌、增加晶粒尺寸、降低缺陷态密度,并且提高了(CMA)2MA8Pb9I28钙钛矿薄膜的热稳定性.最后, CsI掺杂浓度为10%时制备(CMA)2MA8Pb9I28钙钛矿太阳电池效率最高,达到了14.67%,相对于未掺杂的电池效率(10.06%)提高了45.8%. 相似文献
136.
柔性Ⅲ-Ⅴ薄膜太阳电池通常被作为空间电源在航天器上使用,而在实际应用中适宜的封装材料可以保护电池免受水分、氧化、污染物等环境因素的影响.因此,探究合适的柔性封装方案和电池性能的长期稳定性至关重要.本文利用电阻焊方法将制备好的柔性双结GaInP/GaAs太阳电池进行焊接,之后采用具有高透光性的薄膜材料和热熔胶与柔性电池进行层压封装并研究了其在恶劣储存条件下的性能稳定性和环境耐受性.研究结果表明,柔性封装太阳电池在1000 h以上的温度为85℃,相对湿度85%(85℃/85%RH)的湿热试验以及108次温度范围为–60℃—75℃的冷热循环老化试验后仍然保持了很好的稳定性,表明封装工艺对柔性太阳电池具有较好的保护作用.此外,基于二极管模型的电学仿真结果表明,柔性封装后电池性能的改变是由于载流子复合增强,从而降低了开路电压. 相似文献
137.
以有机共轭聚合物为电子给体和无机纳米结构为电子受体组成的杂化型聚合物太阳电池(HPSC), 是一类新型的光伏器件. HPSC将有机物和无机物的光学、电学和力学等性能集成在一起, 其最显著的优点体现在材料来源丰富、性能互补且可调控、易实现低成本组装及轻便等方面. 金属氧化物纳米结构具有环境友好、可见光区透明且易合成等特点, 是很有发展前景的电子受体材料. 本文首先简要介绍了HPSC电池的研究现状、工作原理、器件结构、和稳态及动态表征方法, 然后重点综述了在基于ZnO和TiO2纳米结构的HPSC方面的研究进展, 包括载流子传输动力学理论模型、高效电池材料与器件的设计和制备、及纳米结构特性相关的器件性能等. 最后, 对我们的研究成果进行了总结, 并展望了电池的后续研究方向和发展前景. 相似文献
138.
基于有机-无机杂化钙钛矿材料(CH3NH3PbX3)制备的太阳电池效率自2009年从3.8%增长到19.6%, 因其较高的光吸收系数, 较低的成本及易于制备等优势获得了广泛关注. 钙钛矿材料不仅可以作为光吸收层, 还可用作电子和空穴传输层, 以此制备出不同结构的钙钛矿太阳电池: 介孔结构、介观超结构、平面结构、无HTM层结构和有机结构. 除此之外, 钙钛矿材料制备方法的多样性使其更具吸引力, 目前已有一步溶液法、两步连续沉积法、双源共蒸发法和溶液-气相沉积法. 本文主要介绍了钙钛矿太阳电池的发展历程、工作原理及钙钛矿薄膜的制备方法等. 详细阐述了电池每一层的具体作用和针对现有的钙钛矿结构各层材料的优化, 最后介绍了钙钛矿太阳电池所面临的问题和发展前景, 以期对钙钛矿太阳电池有进一步的了解, 为制备新型高效的钙钛矿太阳电池打下坚实的基础. 相似文献
139.
量子点太阳电池现已成为极具潜力的“第三代” 光伏器件, 其优点体现在材料成本低廉, 制备工艺简便, 以及其敏化剂特有的多激子效应(MEG) 潜能和吸光范围可方便调节等方面. 但是与染料分子敏化剂相比, 量子点敏化剂粒径更大、表面缺乏具有与TiO2结合的官能团, 这导致其在TiO2介孔中渗透阻力大、难以在TiO2表面吸附沉积, 所以量子点沉积手段在电池组装过程中尤为重要. 本文综述了电池组装过程中量子点的沉积方法, 分类阐述了直接生长量子点方法: 化学浴沉积(CBD)和连续离子层吸附生长(SILAR), 以及采用预先合成量子点的沉积方法: 连接分子辅助法(LA)、直接吸附法(DA)和电泳沉积(EPD)方法, 陈述了各沉积方法的发展过程及相应电池性能的改善, 对比了这些沉积方法的优缺点. 突出介绍了预先合成量子点的沉积方法, 特别是近年来不断优化而凸显优势的连接分子辅助法(LA). 总结了此方法快速、均匀沉积以及实现器件高性能的特点, 介绍了此方法沉积表面缺陷更少、结构更完善、材料更“绿色化”的量子点敏化剂的最新研究成果. 相似文献
140.
报道了一种新型染料敏化太阳电池电解质添加剂——N-十六烷基吡啶碘(N-CPI).往电解质中添加0.02MN-CPI,能同时提高染料敏化太阳电池(DSSC)的短路电流和开路电压,光电转换效率也由4.429%提高到6.535%,增幅高达47.55%,由此可见,N-CPI是一种高效电解质添加剂.N-CPI这种功能来源于其双极性基团的特殊分子结构,这种结构使N-CPI在电解质中如表面活性剂那样形成有序分布,影响I-/I3-的扩散和氧化还原性能,进而影响DSSC的光电性能. 相似文献