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11.
Effect of Substrates on CuInSe2 Nanoparticle Thin Films by Radio Frequency Reactive Sputtering
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CuInSe2(CIS) nanoparticle thin films have been prepared by radio frequency reactive magnetron sputtering from compound ternary fan-shaped targets on low-temperature substrates with pure argon gas as the atmosphere.The stoichiometry of the ternary compound semiconductor quantum dots can easily be controlled by the ratios of the ternary elements and sputtering parameters.CIS nanoparticle thin films regularly shaped and distributed reasonably uniform in size on substrates of 7059 glass etc can be grown in this way.The average particle diameter can be varied between 40-80 nm by an appropriate choice of the substrate temperature,power density and total CIS coverage.the optical and electrical properties of the CIS films have also been studied. 相似文献
12.
We report a new approach for the self-assembly of cuboid micro-parts onto Si substrates to construct three-dimensional microstructures. To perform assembly, the Si substrates are prepared with a deep cavity array as binding sites. An aggregate composed of hundreds of uniformly aligned micro-parts is formed at the C10F18-H2O interface. The micro-parts are arranged by passing the substrate through the aggregate of micro-parts, thus the micro-parts are left on the substrate, and then the substrate is vibrated ultrasonically in the solution, making it possible for the micro-parts to fall into the cavities on the substrate. Finally the substrate is pulled out of the solution after assembly. This technique could give a high yield of up to 70%, providing a new method for micro-assembly. 相似文献
13.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
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GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
14.
提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论,实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜-衬底体系的热致反射调制度高达80%,这一效应可望有极广泛的应用 相似文献
15.
使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下(ts=室温,350,500℃)于Si(001)衬底上沉积了CNx膜,并利用拉曼(Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及X射线衍射光电子能谱(XPS)对CNx膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究。Raman光谱结果表明,随衬底温度(ts) 增加,D带向低频方向移动,G带向高频方向移动;它们的半高宽分别由375和150cm^-1减小至328和142cm^-1;ID/IG由3.76减小至2.88。FTIR谱中除无序D带(1400cm^-1)和石墨G带(1570cm^-1)外,还有-700cm^-1,~2210cm^-1(C=N),2330cm^-1(C-O)及3255-3351cm^-1(N-H)等峰。XPS测试结果表明:随衬底温度增加,N与C的物质的量比由0.49下降至0.38,sp^2(C-N)组分与sp^3(C-N)组分强度比呈增大趋势。低温(350℃)退火并未对CNx膜的化学结合状态产生较大影响;高温(900℃)退火样品则显示出较好的结晶化程度。 相似文献
16.
17.
以聚硅碳硅烷(PSCS)与乙酰丙酮铝(Al(AcAc)3)为原料,在常压高温条件下反应制备出聚铝碳硅烷(PACS),经过熔融纺丝制备了PACS纤维.应用GPC、IR、XPS、29Si-NMR、27Al-NMR、TG、SEM、元素分析和增重等一系列分析,分别对PACS纤维的微观组成、结构以及性能进行了分析.研究结果表明,以原料质量配比为6∶100(Al(AcAc)3∶PSCS)合成的PACS化学式为SiC2.0H7.5O0.13Al0.018,数均分子量为1700左右,最适宜制备PACS纤维;PACS纤维中主要存在SiC4、SiC3H等结构,同时存在Si—O—Al键;在氮气气氛中,PACS纤维的陶瓷产率达到52%左右;预氧化处理,PACS纤维中Si—H键与空气中的氧反应形成Si—O—Si交联结构,较聚碳硅烷(PCS)纤维易于氧化,经过预氧化的PACS纤维陶瓷产率达到80%左右,是制备耐超高温SiC(Al)陶瓷纤维的合适纤维;用预氧化PACS纤维制备的SiC(OAl)纤维和SiC(Al)纤维抗拉强度高,耐高温性能好. 相似文献
18.
将Si衬底GaN基LED外延薄膜经晶圆键合、去硅衬底等工艺制作成垂直结构GaN基LED薄膜芯片,并对其进行不同温度的连续退火,通过高分辨X射线衍射(HRXRD)研究了连续退火过程中GaN薄膜芯片的应力变化。研究发现:垂直结构LED薄膜芯片在160~180℃下退火应力释放明显,200℃时应力释放充分,GaN的晶格常数接近标准值。继续升温应力不再发生明显变化,GaN薄膜的晶格常数只在标准晶格常数值附近波动。扫描电子显微镜给出的bonding层中Ag-In合金情况很好地解释了薄膜芯片应力的变化。 相似文献
19.