全文获取类型
收费全文 | 1409篇 |
免费 | 559篇 |
国内免费 | 187篇 |
专业分类
化学 | 323篇 |
晶体学 | 170篇 |
力学 | 40篇 |
综合类 | 25篇 |
数学 | 5篇 |
物理学 | 1592篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 12篇 |
2022年 | 36篇 |
2021年 | 46篇 |
2020年 | 29篇 |
2019年 | 22篇 |
2018年 | 34篇 |
2017年 | 67篇 |
2016年 | 65篇 |
2015年 | 60篇 |
2014年 | 99篇 |
2013年 | 129篇 |
2012年 | 127篇 |
2011年 | 194篇 |
2010年 | 132篇 |
2009年 | 151篇 |
2008年 | 146篇 |
2007年 | 118篇 |
2006年 | 122篇 |
2005年 | 108篇 |
2004年 | 70篇 |
2003年 | 70篇 |
2002年 | 54篇 |
2001年 | 52篇 |
2000年 | 41篇 |
1999年 | 24篇 |
1998年 | 26篇 |
1997年 | 18篇 |
1996年 | 19篇 |
1995年 | 12篇 |
1994年 | 15篇 |
1993年 | 6篇 |
1992年 | 8篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 2篇 |
1982年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1972年 | 1篇 |
排序方式: 共有2155条查询结果,搜索用时 10 毫秒
91.
RF system design and measurement of HIRF-CSRe 总被引:1,自引:0,他引:1
An RF system for the CSRe (cooling storage experimental ring) is designed and manufactured domestically. The present paper mainly describes the RF system design in five main sections: ferrite ring, RF cavity, RF generator, low level system and cavity cooling. The cavity is based on a type of coaxial resonator which is shorted at the end with one gap and loaded with domestic ferrite rings. The RF generator is designed in the push-pull mode and the low level control system is based on a DSP+FGPA+DDS+USB interface and has three feedback loops. Finally we give the results of the measurement on our system. 相似文献
92.
In this paper, we present the simulation results of a 1.6 cell X-band photocathode RF gun for ultra-low emittance electron beams. It will work at 9.3 GHz. The emittance, bunch length, electron energy and energy spread at the gun exit are optimized at bunch charge of 1pC using PARMELA. Electron bunches with emittance about 0.1 mm·mrad and bunch length less than 100 fs can be obtained from this gun. A PITZ type coupler is adopted in this gun and an initial simulation by MAFIA is also given in this paper. 相似文献
93.
94.
水窗波段反射式偏振光学元件的设计和制作 总被引:1,自引:0,他引:1
水窗波段是软X射线进行生物活细胞显微成像的最佳波段,因此对于水窗波段偏振光学元件的研究有着非常重要的意义。用菲涅耳公式计算出在水窗波段内不同材料组合对应不同波长的最大反射率,模拟分析了多层膜周期和表界面粗糙度对多层膜偏振光学元件性能的影响。用超高真空磁控溅射镀膜设备,制作出2.40nm、3.00nm和4.30nm波长处W/B4C多层膜偏振元件,并用X射线衍射仪对元件的周期厚度进行了测量,得到的测量结果与设计值偏差很小,可以进行实际应用。为水窗波段反射式偏振光学元件的研究提供了理论依据,同时也为相应偏振光学元件的制备确定了合适的工艺参量。 相似文献
95.
Zn3N2是一种宽带隙半导体材料,在温度高于400°C氧化可生成p型ZnO:N,p型ZnO:N在电子学和光电子学领域有广泛的应用.在NH3-Ar气氛下,用RF磁控溅射金属Zn靶在玻璃衬底上室温制备了Zn3N2薄膜.用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、X射线光电子谱分析仪、荧光分光光度计对Zn3N2薄膜的光学透过、光学吸收、结构、化学键态和光致发光进行了测量,研究了NH3分压对Zn3N2薄膜的结构和光学特性的影响.XRD分析表明Zn3N2薄膜呈现多晶结构,具有(321)择优取向,Zn3N2(321)衍射峰强度随NH3分压增加而增强.在NH3分压5%~10%制备的Zn3N2薄膜有较低透过率,透过率随NH3分压增加而提高.Zn3N2薄膜是间接带隙半导体,当NH3分压从5%变化到25%时,光学带隙从2.33eV升高到2.70eV.XPS分析表明Zn3N2薄膜在潮湿空气中容易水解.室温下Zn3N2薄膜在437nm和459nm波长出现了发光峰. 相似文献
96.
F. de Moure-Flores J.G. Quiñones-GalvánA. Hernández-Hernández A. Guillén-CervantesM.A. Santana-Aranda M. de la L. OlveraM. Meléndez-Lira 《Applied Surface Science》2012,258(7):2459-2463
Transparent conducting SnO2:Cd thin films were prepared by RF reactive magnetron co-sputtering on glass slides at a substrate temperature of 500 °C using CdO as cadmium source. The films were deposited under a mixed argon/oxygen atmosphere. The structural, optical and electrical properties were analyzed as a function of the Cd amount in the target. The X-ray diffraction shows that polycrystalline films were grown with both the tetragonal and orthorhombic phases of SnO2. The obtained films have high transmittance and conductivity. The figure of merit of SnO2:Cd films are in the order of 10−3 Ω−1, which suggests that these films can be considered as candidates for transparent electrodes. 相似文献
97.
采用双极脉冲磁控反应溅射法在不同参数条件下制备了一系列氮化硅薄膜。利用数字式显微镜和紫外-可见光光谱仪研究了沉积薄膜的表面形貌及其光学带隙,利用共焦显微拉曼光谱仪比较了硅衬底、氮化硅薄膜退火前后的拉曼光谱。结果表明,氮气流量对薄膜的光学带隙影响较大,制备的薄膜主要为富硅氮化硅薄膜。原沉积薄膜的拉曼光谱存在明显的非晶硅和单晶硅峰,退火处理后非晶硅峰减弱或消失,表明薄膜出现明显的结晶化;单晶硅峰出现频移现象,表明薄膜中出现硅纳米颗粒,平均尺寸约为6.6 nm。 相似文献
98.
采用离子束溅射技术制备了单层和双层Ge量子点, 通过原子力显微镜对比了不同Si隔离层厚度和不同掩埋量子点密度情况下表层量子点的尺寸和形貌差异, 系统研究了掩埋Ge量子点产生的应变对表层量子点的浸润层及形核的影响, 并用埋置应变模型对其进行解释. 实验结果表明, 覆盖Ge量子点的Si隔离层中分布着的应变场, 导致表层量子点浸润层厚度的降低, 从而增大点的体积; 应变强度随隔离层厚度的减小而增加, 造成表层量子点形状和尺寸的变化; 此外, 应变还调控了表层量子点的空间分布.
关键词:
Ge量子点
埋层应变
离子束溅射 相似文献
99.
100.
A comparative study has been carried on the role of balanced magnetron (BM) and unbalanced magnetron (UBM) sputtering processes on the properties of SnO2 thin films. The oxygen partial pressure, substrate temperature and deposition pressure were kept 20%, 700 °C and 30 mTorr, respectively and the applied RF power varied in the range of 150–250 W. It is observed that the UBM deposition causes significant effect on the structural, electrical and optical properties of SnO2 thin films than BM as evidenced by X-ray diffraction, C-V, Spectroscopic Ellipsometer and Photoluminescence measurements. The value of band gap (Eg) of the films deposited at 150 W in UBM is found as Eg = 3.83 eV which is much higher than the value of Eg = 3.69 eV as observed in BM sputtering indicating that UBM sputtering results in good crystalline quality. Further, the C-V measurements of SnO2 thin films deposited using UBM at high power 250 W show hysteresis with large flat band shift indicating that these thin films can be used for the fabrication of memory device. The observed results have been attributed to different mechanisms which exist simultaneously under unbalanced magnetron sputtering due to ion bombardment of growing SnO2 thin film by energetic Ar+ ions. 相似文献