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211.
关于局部对称空间中2-调和子流形 总被引:6,自引:0,他引:6
本文研究局部对称完备黎曼流形中的紧致2-调和子流形,得到了这类流形第二基本模式长平方的Pinching定理及推广的J.Simons型积分不等式。 相似文献
212.
Shin SatohIwao Matsuyama 《Journal of Non》2002,306(3):300-308
Tantalum-doped silica glass was fabricated by the sol-gel process in order to obtain a glass with a high refractive index for optical use. A crack-free, clear glass rod was successfully prepared from a low-density gel and used as the core material for fabricating optical fibers. Transmission loss in the fabricated fibers was high, in the range of 103-104 dB/km, which may be caused by coloration due to the multivalency of tantalum; however, the loss was reduced by nearly one order of magnitude by heat treatment at 800 °C, that is, to 75 dB/km at a wavelength of 0.8 μm. 相似文献
213.
214.
Baowei Qiao Jie Feng Yun Ling Ting’ao Tang Bomy Chen 《Applied Surface Science》2006,252(24):8404-8409
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory. 相似文献
215.
CV Tomy D Pal SS Banerjee S Ramakrishnan AK Grover S Bhattacharya MJ Higgins G Balakrishnan McK Paul 《Pramana》2002,58(5-6):925-935
The weakly pinned single crystals of the hexagonal 2H-NbSe2 compound have emerged as prototypes for determining and characterizing the phase boundaries of the possible order-disorder
transformations in the vortex matter. We present here a status report based on the ac and dc magnetization measurements of
the peak effect phenomenon in three crystals of 2H-NbSe2, in which the critical current densities vary over two orders of magnitude. We sketch the generic vortex phase diagram of
a weakly pinned superconductor, which also utilizes theoretical proposals. We also establish the connection between the metastability
effects and pinning. 相似文献
216.
217.
研究了基于级联二阶非线性的铌酸锂波导全光波长变换器的特性.首先从耦合模方程出发,比较了数值分析结果与小信号近似分析的结果.其次在数值分析基础上,分析了铌酸锂晶体的温度变化导致相应基频光波波长与极化反转光栅周期的变化关系.最后分析了在不同相互作用长度下,转换的光波功率与有效基频光波波长带宽、温度调谐带宽、极化反转光栅周期带宽等关系,以对全光波长变换器件进行优化设计
关键词:
级联二阶非线性
波长变换
准位相匹配
铌酸锂光波导 相似文献
218.
利用离子速度成像方法,研究CH2I2分子在277—305nm范围内若干波长处的光解离动力学.通过同一束激光经(2+1)共振多光子电离(REMPI)过程探测光解碎片I(2P32)和I(2P12),得到了不同激发波长处的离子速度分布图像,从而获得CH2I2光解产物的能量分配和角分布.实验发现,碎片CH2I自由基有很高的内能激发,约占总可资用能的80%,该能量分配可以较好地用冲击模型来解释.实验还发现,产物I(2P32)和I(2P12)具有很不相同的平动能分布,结合所得到的碎片能量分配和角分布,我们对碎片I(2P32)和I(2P12)生成机理进行了分析,指出CH2I2分子电子激发态的绝热和非绝热解离决定了碎片的平动能分布.
关键词:
CH2I2
离子速度成像
绝热和非绝热解离 相似文献
219.
220.
The object of the present investigation is to introduce a new trigonometric method of summation which is both regular and
Fourier effective and determine its status with reference to other methods of summation (see §2-§4) and also give an application
of this method to determine the degree of approximation in a new Banach space of functions conceived as a generalized Holder
metric (see §5). 相似文献