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191.
192.
193.
Output nonlocality and nonclassicality for the two modes are investigated in an entanglement laser sys-tem. Within the framework of a quantum theory of multiwave mixing,nonlocality and nonclassicality are discussed according to the violations of Bell inequality and Cauchy-Schwarz inequality. It is found that both nonlocality and nonclassicality can be fulfilled in the outside cavity fields under certain conditions. It is also shown that there are some nonclassical states that do not show nonlocality. 相似文献
194.
A low-threshold and high-power oxide-confined 850-nm AlInGaAs strained quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser 下载免费PDF全文
A low-threshold and high-power oxide-confined 850-nm AlInGaAs strained quantum-well (QW) vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) based on an intra-cavity contacted structure is fabricated. A threshold current of 1.5 mA for a 22 μm oxide aperture device is achieved, which corresponds to a threshold current density of 0.395 kA/cm2. The peak output optical power reaches 17.5 mW at an injection current of 30 mA at room temperature under pulsed operation. While under continuous-wave (CW) operation, the maximum power attains 10.5 mW. Such a device demonstrates a high characteristic temperature of 327 K within a temperature range from -12℃ to 96℃ and good reliability under a lifetime test. There is almost no decrease of the optical power when the device operates at a current of 5 mA at room temperature under the CW injection current. 相似文献
195.
应用含自洽格点在位库仑作用的Kane-Mele模型,研究锯齿型石墨烯纳米窄带平面内横向电场对边界带能带结构和量子自旋霍尔(QSH)体系的影响.研究结果显示,当电场强度较弱时,外加电场的方向可以调控自旋向下的两个边界带一起朝不同方向移动,导致波矢q=0.5处自旋向下的两个纯边界态的能量简并劈裂方向可由电场调控;当电场强度进一步增强到超过0.69 V/nm,自旋向下的两个边界带出现较大带隙,能带反转,而自旋向上的电子结构无能隙,系统呈现半金属性,同时QSH体系不再是B类.特别当电场强度为1.17 V/nm时,在自旋向下能带的能隙中,q=0.5处存在自旋向上的纯边界态,意味着在8格点边界处可以产生自旋向上的纯边界电流.当电场强度持续增加时,QSH系统从B类到C类经历3个阶段的变化.当电场强度超过1.42 V/nm后,自旋向上的两个边界带也出现能带反转,分别成为导带和价带,系统成为C类的普通量子霍尔体系. 相似文献
196.
X射线具有短波长和强穿透能力,利用电子对X射线的散射能够研究材料和分子的精密内部结构。信号的质量高度依赖于X射线发射源。2009年,美国能源部下属的斯坦福线性加速器中心国家实验室建成世界上第一台具有原子分辨率能力的X射线自由电子激光设施(LCLS),从此X射线进入激光时代,人类所能使用的X射线的峰值亮度比最强的同步辐射X射线光源提高了100亿倍。文章简要介绍了X射线自由电子激光的发展历程、产生原理和特性,并结合具体实验研究对如何应用X射线激光研究生物学领域的分子结构和动态变化进行总结。 相似文献
197.
运用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的方法,对Si4团簇与Au (100)-3×3两电极以顶位-顶位、顶位-空位、空位-空位三种形貌相连构成的Au-Si4-Au纳米结点的拉伸过程进行第一性原理模拟,计算不同构型纳米结点在不同距离的电导和结合能.讨论耦合形貌、距离对结点电导的影响,结合能的计算表明三种不同耦合形貌结点存在稳定平衡结构,其平衡电导分别为0.71 G0、0.96 G0和2.44 G0,且在-1.2 V~1.2 V的电压范围内,三种不同耦合形貌结点稳定结构表现出类似金属的导电特性,其I-V关系都近似为直线.计算结果表明Si4团簇与电极的耦合形貌、两极距离对纳米结点电子输运有重要影响. 相似文献
198.
采用分子动力学计算程序对纳米结构泡沫金(Au)的冲击响应进行了模拟,得到了不同疏松度条件下泡沫Au的冲击压缩特性。通过获取不同势函数条件下实密Au的冲击Hugoniot关系以及泡沫结构稳定性测试选取适合描述Au泡沫冲击过程中原子的相互作用势。采用密堆积球壳的方式建立泡沫Au的初始构型。通过改变空心球壳的尺寸得到不同疏松度的稳定的泡沫Au结构。对泡沫Au的冲击过程进行分子动力学模拟,获得了不同疏松度泡沫Au在不同冲击压缩强度下的热力学状态参数。将模拟结果与已有的状态方程数据库以及疏松物质冲击压缩模型进行比较,结果表明,计算和理论模型给出的结果仍然存在明显的差异性,亟需通过进一步实验研究来验证模拟计算和理论模型结果的可靠性。 相似文献
199.
200.
利用有机相法合成Nd3+掺杂CdSe纳米晶(CdSe∶Nd),通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外吸收光光谱及荧光光谱表征,证明Nd3+已经成功掺入到CdSe的晶格中。与纯CdSe纳米晶相比,CdSe∶Nd纳米晶的结构仍为立方晶型,且形貌近似球形,均匀分散,粒径约为2~4 nm。紫外吸收峰和荧光发射峰都发生红移,而且掺杂后的CdSe∶Nd纳米晶量子产率也提高,这可能是由于掺杂Nd3+引入了新的杂质能级,带隙减小。为了实现CdSe∶Nd纳米晶的可加工性和功能性,通过微乳法合成SiO2壳包覆的CdSe∶Nd纳米球(CdSe∶Nd@SiO2纳米球),CdSe∶Nd@SiO2纳米球呈均匀球形,直径约为100~115 nm,并且包壳后的CdSe∶Nd@SiO2纳米球发射峰(581 nm)与CdSe∶Nd纳米晶(598 nm)相比,发光强度提高且发射峰蓝移,蓝移约为17 nm,可能是因为SiO2壳可以减少纳米晶表面的非辐射跃迁以及改善表面缺陷导致的。 相似文献