NaNO3掺杂Y2O3材料的制备及电流变性质

利用NaCO3和Y（NO3）3做主要原料，合成了一系列用稀土氧化物（Y2O3）作为基础材料的新型电流变材料——NaNO3掺杂Y2O3材料。对于这些材料的介电性质、微观结构和电流变性能的研究结果表明，NaNO3的掺杂可以明显地提高Y2O3材料的电流变活性。材料在二甲基硅油中的悬浮液的剪切应力随NaNO3在Y2O3中的掺杂程度有明显变化，当Na／Y（物质的量的比）为0．6时材料的电流变性能最好，     

Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

改进中学物理教学适应"3+综合"考试

当代科技发展的主流是综合化、整体化,表现出各学科之间互相渗透、相互交叉的趋势.开展综合测试,有利于打破学科间的隔离状态,给学生提供完整的世界图像;     

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.     

催化动力学光度法测定痕量铝

痕量铝在硝酸介质中能催化加速过氧化氢和高碘酸钾与二甲苯胺兰FF之间的褪色反应。研究了反应的最佳实验条件,建立了测定痕量铝的新方法。方法检出限为6.1×10-10gAl3+/mL,检测范围为0-1.0μgAl3+/25mL。本方法具有高灵敏度,选择性较好,操作简便,快速的特点。用以测定水样中的痕量铝,获得满意结果。     

红光激发下掺Ho3+氟化物薄膜的上转换发光

利用激光脉冲沉淀法制备了稀土Ho~(3 )掺杂的氟化物薄膜。观测到处于薄膜中的Ho~(3 )离子在632.8nm红光激发下的上转换发射。这些上转换发射包括:~5S_2→~5I_7,~5F_4→~5I_7和~5S_2→~5I_8。     

超流研究的历史回顾

回顾了超流发现的历史，介绍了超流的一些现象、理论以及新近的研究结果。强调指出超流与超导一样是一种宏观量子现象。     

关于Pn3的优美性

设G(V,E)是一个简单图,对自然数k,当V(G^k)=V(G,E(G^k)=E(G)∪{uv|d(u,v)=k},则称图G^k为k-次方图,本文证明了图P_n³的优美性。     

质子化丙酮分子团簇的结构和振动光谱

用密度泛函B3LYP/ 6 3 1G(d)方法 ,对质子化丙酮分子团簇 (CH3COCH3) nH+ (n =1～ 7)弱相互作用体系进行了全自由度能量梯度优化 ,得到了该系列团簇的稳定结构及其对应的体系能量 .通过对构型的分析得出了质子化丙酮分子团簇 (CH3COCH3) nH+ (n =1～ 7)的生长规律 .计算了中性丙酮分子团簇体系的质子亲合能并总结出其变化趋势 .分析讨论了质子化团簇的红外振动光谱 ,发现质子化团簇的振动光谱普遍较中性环型团簇的振动光谱复杂 ,最强的振动峰来源于质子在溶剂壳中两个氧原子之间的振动 ,而且随着团簇尺寸的增加羰基的伸缩振动峰的数目也随之增多