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金刚石是一种具有优异性能的极限性超硬多功能材料。人工合成的金刚石可通过掺杂的方式使其具有各种独特的性质。掺硼金刚石兼具p型半导体的导电特性和金刚石自身优良的物理和化学性能,在国防、医疗、勘探、科研等领域具有极高的应用价值。本文基于本课题组高温高压(HPHT)法合成的系列掺硼金刚石以及硼协同掺杂金刚石单晶,进行了硼掺杂金刚石、硼氢协同掺杂金刚石以及硼氮协同掺杂金刚石的合成和性能特征等方面的研究。通过表征合成样品在光学、电学方面的性能,探讨了不同掺杂添加剂对合成金刚石性能的影响,为合成高性能的半导体金刚石提供了思路。 相似文献
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氮化硅在常态下的两种已知物相(α和β相)均为六方结构,最近新发现第3种具有立方尖晶石结构的氮化硅(以下称立方氮化硅或γ-Si3N4)可通过高温高压条件合成得到,是继金刚石、立方氮化硼之后的又一种超硬材料。各国学者在合成立方氮化硅的研究中开展了积极的工作,然而,目前所用的技术手段仅能合成出极少量的γ-Si3N4粉体样品,无法进一步开展其块体材料的研究,并制约了该新材料在工业技术中的应用。 相似文献
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在1.0GPa压力条件下,采用交流阻抗谱法在10-1~106 Hz频率范围内对陕西商南地区的榴闪岩样品进行了电阻抗测量。实验结果表明,榴闪岩的复阻抗对温度和频率表现出明显的依赖性。在给定温度下,复阻抗的模随频率的增大而减小,相角随频率的增大先减小后变大;在给定频率下,复阻抗的模随温度的升高而减小,相角随温度的升高而增大。榴闪岩电导率值的范围为10-6~1S/m,并且电导率与温度之间满足Arrhenius关系式。低温区活化焓约为33~58kJ/mol,高温区活化焓约为108~163kJ/mol。榴闪岩的导电机制可能是Fe2+与Fe3+之间的电子跳跃。 相似文献
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本文研究了Pd40Ni40P20块状非晶在4 GPa及常压下的晶化过程。得到了时间-温度转变图。结果表明:高压下样品的晶化温度明显升高,压力对原子的长程扩散及相分离熔体的粘性流动均有抑制作用。在接近熔点进行高压退火时,获得了单相过饱和固溶体。其晶体结构为面心立方。 相似文献
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经过高温高压合成的CeTbO3+δ进行了XPS研究,发现在1.0 GPa下,Tb4+在~600 ℃开始转变成Tb3+,而Ce4+在~800 ℃开始向Ce3+转变。在1 000~1 200 ℃形成单相萤石结构化合物CeTbO3+δ的Ce是以Ce3+、Ce4+混合价形式存在,Tb全部变成Tb3+。实验表明,用Ce3d谱上~888 eV峰的峰位及其与882 eV峰的相对强度变化可以定性判断化合物中是否含有Ce3+。研究了高温高压合成的CeTbO3+δ的稳定性随时间的变化问题。 相似文献