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ONOO-活性氧的荧光光谱分析进展 总被引:1,自引:0,他引:1
系统介绍了ONOO^-活性氧的化学性质,并对其参与的主要化学反应进行了分类和总结.同时,比较了近年来用于ONOO^-检测的方法,并重点论述了荧光光谱分析方法尤其是酶催化动力学荧光分析法在检测ONOO^-活性氧方面的优势和最新的研究进展. 相似文献
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荧光XAFS研究Si晶体中等电子,缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Si区域晶格形变的影响。相对于共价键长RSi-Si(0.240nm)来说,富电子杂质As导致Si晶格在Si(111)方向的RAs-Si键长产生0.004nm的反应增长,等电子杂质Ge的R-Gre-Si和缺电子杂质Ga和RGa-Si键长收缩0.002nm。 相似文献
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