ZnSe: Fe2+中的动态Jahn-Teller效应和远红外光谱的研究

推导了3d^4/3d^6离子基态5D在立方晶体场，自旋－轨道耦合和动态Jahn-Teller效应作用下的哈密顿矩阵，并用对角化该哈密顿矩阵的方法研究了Fe^2+在ZnSe中的远红外光谱，理论计算与实验符合得好，研究表明，在ZnSe:Fe^2+中，比晶体场理论分析多出的分裂谱线是Fe^2+与ZnSe晶格间的动态Jahn-Teller效应引起的，还预测了其它Jahn-Teller效应分裂谱，所推导的哈密顿矩阵对研究3d^4/3d^6离子在立方晶体中的精细光谱，电子顺磁共振谱和动态Jahn-Teller分裂都是有用的。     

CsI（TI）晶体中反冲Cs和I核Quenching Factor的测量

许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究。本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的Quenching Factor。在数据处理中，运用脉冲形状甄别（PSD）方法来分辨反冲核信号和本底信号。实验结果表明，在7keV到132keV的能区中，Quenching Factor随着反冲核能量的减少而增加。在探测暗物质的实验中，这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的。     

3,5—二溴—4—氨基苯基荧光酮荧光熄灭法测定纯铅中微量铟的研究

详细研究了在阳离子表面活性ＣＴＭＡＢ存在下，３，５－二溴－４－氨基苯基荧光酮（ＤＢＡＰＦ）与铟形成络合物荧光熄灭法测定微量铟的实验条件。在ｐＨ６．２的ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲溶液中，当激发波长λｅｘ＝５２３ｎｍ，荧光发射波长λｅｘ＝５５２ｎｍ时，铟含量在０￣３００μｇ／Ｌ范围内与体系的荧光熄灭程度成线性关系；检测限为１．７×１０＾－５ｇ／ｌ，试验了十多种离子干扰情况，选择性较好；已用于分析纯铅中微量铟     

Doping in the Mixed Layer to Achieve High Brightness and Efficiency Organic Light Emitting Devices

Doping in the mixed layer was introduced to fabricate high brightness and high efficiency organic light emitting devices.In these devices,a copper phthalocyanine(CuPc) film acts as the buffer layer,a naphthylphenybiphenyl amine (NPB) film as the hole transport layer and a tris(8-hydroxyquinolinolate) aluminium (Alq3) film as the electron transport layer.The luminescent layer consists of the mixture of NPB,Alq3( to be called the mixed layer),and an emitting dopant 5,6,11,12-petraphenylnaphthacene (rubrene),where the concentration of NPB declined and the concentration of Alq3 was increased gradually in the deposition process.Adopting this doping mixed layer,the device exhibits the maximum emission of 49300cd/m^2 at 35V and the maximum efficiency of 7.96cd/A at 10.5V,which have been improved by two times in comparison with conventional doped devices.We attribute this improvement to the effective confinement of carriers in the mixed layer,which leads to the increase of the recombination efficiency of carriers.     

紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究

采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质量和晶面取向.通过优化生长条件,在衬底温度为350℃,氧氩比为1:2的条件下生长出了XRD半高宽为01°、C轴取向高度一致的ZnO薄膜.     

Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光

几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO／Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示，当退火温度低于等于800℃时，随着退火温度的升高，薄膜的晶体质量得到了改善，这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加，同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了，其峰值为525nm。当退火温度为950℃时，紫外带几乎消失，而只剩下绿带，且与纯硅酸锌样品的CL谱一致，掠入射X射线衍射测量表明，确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此，从ZnO／Si异质结的质量来看，直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结：因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时，不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量，而当退火温度接近或高于800℃时，虽然zn0晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加，但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌，将严重影响ZnO／Si异质结的电学输运特性。     

Deposition of Er：A12O3 Films and Photoluminescence Characteristics

Er^3 -doped Al2O3 films were deposited on silicon substrates by reactive closed-field unbalanced magnetron sput-tering. The process parameters, such as target bias voltage, substrate bias voltage, O2 gas flows, sputtering gas pressure, were studied. The 1.53μm photoluminescence characteristics from Er^3 were measured. The relations among the PL peak intensity, annealing temperatures, and pump power were experimentally investigated.     

纳米随机激光

介绍了以纳米ZnO粉末作为增益介质产生的随机激光。讲述了随机激光的特点、发展历史和它的应用前景。文章以随机激光的理论为基础，描述了四种主要的用于随机激光研究的方法。