Improvement of Properties of p-GaN by Mg Delta Doping

The Mg-delta-doped GaN structure has been grown by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition.The Hall-effect measurements reveal that the electrical properties are enhanced. The hole concentration is enhanced twice and hole mobility is enhanced three times by Mg-delta doping. Both the etch pit density data and the x-ray diffraction data demonstrate that Mg-delta doping can reduce the threading dislocation density of p-type GaN epilayer.     

有机掺杂溶胶-凝胶法制备pH敏感膜及其光谱响应的研究

使用四甲氧基硅烷（TMOS）和二甲基二甲氧基硅烷（DiMe-DMOS)为共先驱体，采用溶胶－凝胶的有机掺杂，制备对pH具有宽程响应的敏感膜。详细考察了包埋溴酚蓝和溴酚绿的敏感膜对pH的响应值、响应时间、泄漏和可逆性等响应性能指标，并进行了溴酚蓝和溴酚绿在水相与膜内吸收光谱的研究。     

Li掺杂对ZnO陶瓷结构与电学性能的影响

研究了用传统方法在1200～1400℃烧结的ZnO陶瓷，以及用放电等离子体烧结(SPS)方法烧结的ZnO陶瓷的结构特征与电学性能。以ZnO为基添加了不同浓度的LiOH，制备了不同Li掺杂浓度的ZnO陶瓷。研究了掺杂、烧结温度，以及烧结方法等因素对ZnO基陶瓷的微观结构、电学性能的影响。实验表明，用传统方法烧结时，ZnO在烧结温度低于1400℃的情况下难以成瓷，而放电等离子体烧结(SPS)方法可以显著降低烧结温度。ZnO陶瓷的晶粒大小。密度随着烧结温度的增大而增大。在同样的烧结温度下，LiOH含量越大，ZnO基陶瓷的电阻率越大。     

稳定In/Si表面的LEED研究

利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In/Si表面的稳定性和小面化进行了研究，新发现了In覆盖度在1/2单层原子以下的三个稳定表面：Si(214)-In，Si(317)-In和Si(436)-In，以及In覆盖度在1单层原子左右的两个稳定表面Si(101)-In和Si(313)-In.此外还确定了In覆盖度在1单层原子左右的6个稳定In/Si表面的家族领地以及In覆盖度在1/2单层原子以下的4个稳定In/Si表面的家族领地.特别值得注意的是 Si(103)-In的家族领地相当大，甚至比最稳定的Si(1 关键词： 硅表面 铟 稳定表面 家族领地     

与In扩散进GaAs中相关的超导相的发现

一、背 景 1991年6月10日美国加州大学伯克利分校材料科学系J.M.Baranowski等人发表文章,题为“Evidence for Superconductivity inLow-Temperature-Grown GaAs”.[1]此文详细报道了他们用LT-GaAs(用分子束外延方法低温生长的GaAs样品)在电子自旋共振谱仪(EPR)上,采用磁场调制微波吸收的方法(FMMA),在温度T-10K时,观察到微波吸收的突变,这个行为清楚地表明:在这个温度下存在相变,这与高温超导体微波吸收特征相似.与此同时,又进行了迈斯纳效应的实验,从而证实了LT-GaAs中存在超导相. 关于超导相的起源,作者认为是由于LT-GaAs样…     

Thermal Conductivity of Ce Doped Bi-2212 Superconductors

The temperature dependence of the thermal conductivity in Bi2Sr2 Ca1-xCexCu2Oy x = 0.1, 0.2, 0.3, 0.4 is presented. With increasing Ce-doping level, the thermal conductivity peak under Tc is suppressed then disappears,while another peak appears at low temperatures for the non-superconducting compounds. The numerical analysis shows that the thermal conductivity peak under Tc can be well described by the normal electron relaxation-time contribution model, and the phonon-induced thermal conductivity peak could be well described within the Debye approximation of the phonon spectrum. The existence and velriation of these two thermal conductivity peaks indicate the adjustability between the superconducting and insulating components in the samples with different Ce-doping levels.     

掺杂LiF的ESR谱和ENDOR谱研究

LiF:Mg,Cu热释光(TL)磷光体在γ辐照后产生F⁰顺磁中心,其g因子为g_xx=2.0030,g_yy=2.0450,g_zz=2.0251,裂分为A_xx=511.04G,A_yy=505.42G,A_zz=507.26G。F⁰中心的浓度随Mg⁺⁺浓度的增加而下降。磷光体的ENDOR谱显示F⁰中心附近有铜核存在。照射前和照射后24h测量均未发现Cu⁺⁺的ESR谱,表明铜是以Cu⁺形式掺入的,照射并未引起Cu⁺离子化合价的改变。LiF:Mg,Cu,P在γ辐照前具有轴对称的Cu⁺⁺离子的ESR谱,辐照后产生了O^-空穴中心和PO₃^2-自由基,改变了Cu⁺⁺的环境,使Cu⁺⁺的谱发