本征缺陷对Ag掺杂ZnO的影响

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究.研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级.同时,研究发现, Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大.其中,Zni-AgZn 呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势.因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成.     

对甲苯磺酸掺杂聚吡咯的合成、表征及其对金属镁的防腐蚀性能研究

以对甲苯磺酸为掺杂剂, 三氯化铁为氧化剂, 化学氧化吡咯制备了对甲苯磺酸掺杂聚吡咯. 考察了掺杂剂与氧化剂的用量对掺杂聚吡咯电导率的影响, 得到了高电导率聚吡咯的优化条件, 用UV, IR和SEM对其结构和形貌进行了表征. 结果表明, n(对甲苯磺酸)∶n(吡咯)∶n(三氯化铁)＝0.75∶1∶0.5时, 合成的聚吡咯的形貌规则, 电导率达42.7 S•cm^－1. 以聚吡咯为功能成分, 环氧树脂为成膜物质, 得到一种功能膜, 旋涂于金属镁表面, 采用极化曲线和开路电位考察了含有聚吡咯的膜层对金属镁的防腐蚀性能. 结果表明, 含有聚吡咯的膜层对金属镁有很好的防腐蚀性能, 腐蚀电流为0.0981 A, 腐蚀电位为－0.88 V, 在膜层与金属镁之间形成了一层钝化膜.     

Enhancement of ferromagnetic resonance in Al203-doped CozFeAI Heusler alloy film prepared by oblique sputtering

Large and variable in-plane uniaxial magnetic anisotropy in a nanocrystalline （Co2FeA1）97.8（Al2O3）2.2 soft magnetic thin film is obtained by an oblique sputtering method without being induced by magnetic field or post anneaiing. The in-plane uniaxiai magnetic anisotropy varies from 50 Oe to 180 Oe （1 Oe=79.5775 A·m-1） by adjusting the sample＇s position. As a result, the ferromagnetic resonance frequency of the film increases from 1.9 GHz to 3.75 GHz.     

Single-Photon Emission from a Single InAs Quantum Dot

Excitation power-dependent micro-photoluminescence spectra and photon-correlation measurement are used to study the optical properties and photon statistics of single InAs quantum dots. Exciton and biexciton emissions, whose photoluminescence intensities have linear and quadratic excitation power dependences, respectively, are identified. Under pulsed laser excitation, the zero time delay peak of second order correlation function corresponding to exciton emission is well suppressed, which is a clear evidence of single photon emission.     

磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学研究

利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征，研究了射频反应磁控溅射条件 下，ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现，ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片，三个成核阶段的生长指 数分别为β₁=1.04，β₂=0.25±0.01，β₃=0.74；对 于Si(11 关键词： ZnO薄膜 磁控溅射 生长动力学 成核机制     

I掺杂金红石TiO_2(110)面的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了I掺杂金红石Ti O2(110)表面的形成能和电子结构,分析了不同掺杂位置的结构对Ti O2光催化性能的影响.计算表明,氧化环境下I最容易替代掺杂表面五配位的Ti,而还原环境下最容易替代掺杂表面的桥位氧.I替位Ti或I替位O都能降低禁带宽度,可能使Ti O2吸收带出现红移现象或产生在可见光区的吸收,其中I替位桥位氧的禁带宽度最小.吸收光谱表明,I掺杂不仅能提高Ti O2可见光响应,同时可增加紫外光的吸收能量,提高其可见光及紫外光下的光催化性能.     

SrO—Al2O3—SiO2：Eu^3＋,Bi^3＋发光体的溶胶—凝胶法合成

制备无机固体材料大都采用高温固相反应,1971年Dislich报导了用溶胶-凝胶法制备多组份固体材料。近年来,有报导利用此法研制玻璃、玻璃陶瓷和陶瓷。我们在过去工作的基础上,合成了SrO-Al_2O_3-SiO_2:Eu~(3 ),Bi~(3 )发光体,研究了从凝胶至发光晶体的转变过程、Eu~(3 )和Bi~(3 )在SrO-Al_2O_3-SiO_2基质中的发光性质以及Bi~(3 )对 EU~(3 )的能量传递。     

锑掺杂氧化锡粉体的太赫兹透射特性

以SnCl45H2O和SbCl3为原料,采用液相化学共沉淀法制备锑掺杂氧化锡（ATO）粉体。分析了不同Sb掺杂质量分数条件下,ATO粉体的禁带宽度变化,并对材料在0.2~1.6 THz波段的透射时域和频域谱,以及吸收和屏蔽参数进行了对比分析。结果表明,ATO粉体的禁带宽度随着Sb掺杂量的增加先减小后增大;同时,ATO粉体对THz波的吸收系数随着Sb掺杂量的增加先增大后减小,当Sb掺杂质量分数为9%时,ATO的吸收系数在1.25 THz处达到最大值156.5 cm-1,屏蔽效能在1.24~1.60 THz范围内最高达到45.0 dB。     

(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光

采用强流金属蒸汽真空弧（MEVVA）离子源注入机，先将Si大束流注入热氧化SiO2/单晶硅，直接形成镶嵌在SiO2中的纳米晶Si，再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达10^21cm^-3量级，大大地提高了作为孤立发光中心的Er^3 浓度。在77K和室温下，观察到了Er^3 的1.54цm特征发射。