BN链掺杂的石墨烯纳米带的电学及磁学特性

基于密度泛函理论第一性原理系统研究了BN链掺杂石墨烯纳米带(GNRs)的电学及磁学特性, 对锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)分非磁态(NM)、反铁磁态(AFM)及铁磁性(FM)三种情况分别进行考虑. 重点研究了单个BN链掺杂的位置效应. 计算发现: BN链掺杂扶手椅型石墨烯纳米带(AGNRs) 能使带隙增加, 不同位置的掺杂, 能使其成为带隙丰富的半导体. BN链掺杂非磁态ZGNR的不同位置, 其金属性均降低, 并能出现准金属的情况; BN链掺杂反铁磁态ZGNR, 能使其从半导体变为金属或半金属(half-metal), 这取决于掺杂的位置; BN链掺杂铁磁态ZGNR, 其金属性保持不变, 与掺杂位置无关. 这些结果表明: BN链掺杂能有效调控石墨烯纳米带的电子结构, 并形成丰富的电学及磁学特性, 这对于发展各种类型的石墨烯基纳米电子器件有重要意义. 关键词： 石墨烯纳米带 BN链掺杂 输运性质 自旋极化     

Effect of Cu doping on the magnetic and electrical properties of n=2 Ruddlesden-Popper manganates

A series of polycrystalline Cu-doped n=2 Ruddlesden-Popper manganates La1.2Sr1.8CuzMn（2-x）O7 （x=0, 0.04, 0.13） were synthesized by the solid state reaction method. The effect of Cu doping on the magnetic and transport properties has been studied. It is found that Cu substitution for Mn greatly affects the magnetic and electrical properties of the parent phase La1.2Sr1.8Mn2O7. With the increase of Cu content, the system undergoes a transition from longrange ferromagnetic order to the spin glass state and further to an antiferromagnetic order. A little of Cu dopant can lead to the samples showing semiconductor or insulator behaviour in the whole observed temperature range while the parent phase has a metal-insulator transition. These samples show colossal magnetoresistance at low temperatures and the value of it decreases with increasing Cu content.     

Sb，In，P掺杂对SnO2薄膜透明导电性能的影响

采用溶胶凝胶（Sol-Gel）技术制备了SnO2：（Sb，In）透明导电薄膜，优化了制备工艺参数，获得了最佳制备条件．研究表明，4％的铟掺杂有效地改善了薄膜的内部结构，使得紫外-可见光的透过率显著增加；7％的锑掺杂释放出了更多的栽流子，使薄膜的方块电阻降低，2％的磷掺杂因准连续杂质能带的形成进一步提高了薄膜的电导率．Sb、In、P的掺入使得SnO2薄膜的紫外-可见光的透过率达83％，方块电阻达38Ω。     

钆（Ⅲ）天冬酰胺席夫碱配合物的EPR波谱

考察了两类新的Ｇｄ＾３＋氨基酸席夫碱配合物在不同温度下的多晶粉末和有机溶剂中的ＥＰＲ波谱，首次测定了水扬醛缩天冬酰席夫碱钆配合物在ＤＭＳＯ中变温ＥＰＲ特性，发现随温度降低线宽单调减小，纵向弛豫时间下Ｔ１依次增大，用自旋晶格相互和机理作了解释。     

Luminescent Properties of Eu^3＋—Doped Yttrium Oxide Chloride Embedded in Nanoporous Glass

The photoluminescence of Eu^3 -doped yttrium oxide chloride embedded in nanoporous glass has been observed.In comparison with those in the powder phosphor,the emission lines of Eu^3 ions becom much broader and lueshift was observed in the lines due to ^5D0→^7F2 transitions and the Eu-O charge transfer excitation band.The ratio intensities of the ^5D0→^7F1 transitions to the ^5D0→^7F2 transitions of Eu^3 ion become higher and change at different excitation excitation wavelengths,such as 393nm and 254nm.The two excitation wavelengths belong to the 4f→4f transition of the Eu^3 ion and the Eu-O charge transfer,respectively,This material may be developed into a new luminescent glass.     

稀土铕掺杂BaPbO3的研究

在ＢａＰｂＯ３中掺杂Ｅｕ２Ｏ３多晶粉末。通过ＥＸＡＦＳ、ＩＣＰ、ＸＲＤ等手段，研究了稀土铕掺杂ＢａＰｂＯ３体系的晶相种类，掺要工艺，以及铕的两种可能的存在形式。掺杂铕中，大部分铕占据面体中心位置，且伴随氧空间的产生；小部分铕进入八面本周围的空隙中，可能以间隙形式存在。     

掺杂Eu3+离子的钨酸锂的合成及其光电性能研究

采用固相反应法合成了掺杂Eu^3 的Li2WO4材料，并用X射线粉末衍射仪、荧光分光光度计及交流阻抗技术对样品进行了观察和测试。结果表明：适量Eu2O3的掺入可提高基质材料的发光和导电性能。     

钆在MgO（110）薄膜上的吸附

为研究钆在ＭｇＯ薄膜表面吸附的特性，首先在经硫代乙酰胺（ＣＨ３ＣＳＮＨ２）处理的ＧａＡｓ（１００）表面外延生长Ｐ型半导体ＭｇＯ（１１０）薄膜，然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附，结果发现由于Ｇｄ／ＭｇＯ界面的能够弯曲使Ｍｇ２ｐ向高结合能端位移０．４ｅＶ，而且从实验结果推断，钆与衬底反应很弱，并且主要以团簇的形式吸附。     

掺铒硅发光的晶场分裂

测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱，得到9条铒发光分裂谱线.利用群对称理论指出9条谱线来自Er³⁺中⁴I_13/2到⁴I_15/2光跃迁在T_d晶场下的分裂.Er³⁺的第一激发态⁴I_13/2最低能量的两个Stark能级为Γ₈，Γ₆(能量递增)，它们到基态⁴关键词：