首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4595篇
  免费   1929篇
  国内免费   2846篇
化学   4679篇
晶体学   733篇
力学   33篇
综合类   107篇
数学   51篇
物理学   3767篇
  2024年   88篇
  2023年   210篇
  2022年   217篇
  2021年   243篇
  2020年   221篇
  2019年   260篇
  2018年   202篇
  2017年   246篇
  2016年   248篇
  2015年   258篇
  2014年   491篇
  2013年   468篇
  2012年   417篇
  2011年   406篇
  2010年   390篇
  2009年   414篇
  2008年   426篇
  2007年   353篇
  2006年   381篇
  2005年   337篇
  2004年   325篇
  2003年   329篇
  2002年   325篇
  2001年   310篇
  2000年   221篇
  1999年   175篇
  1998年   160篇
  1997年   201篇
  1996年   147篇
  1995年   132篇
  1994年   138篇
  1993年   100篇
  1992年   118篇
  1991年   91篇
  1990年   113篇
  1989年   118篇
  1988年   30篇
  1987年   13篇
  1986年   19篇
  1985年   16篇
  1984年   7篇
  1983年   4篇
  1982年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有9370条查询结果,搜索用时 15 毫秒
141.
利用软嵌式粉末电极技术研究了Y(OH)3包覆对球形Ni(OH)2电化学性能的影响. 循环伏安结果表明, 在球形Ni(OH)2的氧化过程中存在Ni(Ⅲ)和Ni(Ⅳ)的两步氧化反应, 产生的Ni(Ⅳ)不稳定, 能分解产生NiOOH和氧气, 所以可将Ni(Ⅲ)→Ni(Ⅳ)看作副反应. Y(OH)3包覆层对Ni(OH)2氧化过程后期的副反应, 特别是Ni(Ⅲ)→Ni(Ⅳ)具有较好的抑制作用. 由包覆后的Ni(OH)2制成的模拟电池表现出很好的高温性能, 在1C充放电条件下, 当Y的摩尔分数为1.61%时, 在60 ℃时所对应的容量保持率可达到25 ℃的92.7%; 当Y的摩尔分数仅为0.55 %时, 在60 ℃时所对应的质量比容量也可达到241.3 mA·h/g.  相似文献   
142.
何琴  刘文华 《分析化学》1994,22(10):989-993
系统研究了明胶对铕-钆-二苯甲酰甲烷-二乙胺沉淀悬浮液荧光体系的稳定化作用和钆对铕的荧光增强效应,使荧光强度提高约2个数量级,Eu的检出限达8.5×10^-13mol/L(k=3),该体系可用于Gd2O3中痕量Eu的测定,结果满意。  相似文献   
143.
池利生  苏锵 《应用化学》1993,10(6):27-30
本文报道了不同组成的YPxV1-xO4(0≤x≤1):Dy^3+的合成和结构。YPxV1-xO4(0≤x≤1)为四方晶系,晶胞参数随x的增大呈线性减小。基质的Stokes位移随x的增大逐渐变大,而激发光谱峰值则向短波方向移动。在YPxV1-xO4:0.006Dy^3+体系中,x>0.4时出现的基质发射是由PO^3-4引起的。基质及Dy^3+的发光效率和Dy^3+的发光强度的黄蓝比均与x有关。同时探  相似文献   
144.
镧系与二甘醇-二-(邻羟基苯基)醚配合物的合成与表征   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文合成14种镧系高氯酸盐及硝酸盐分别与二甘醇-二-(邻羟基苯基)醚(记为EO_2(HOP)_2,EO=ethylene oxide,HOP为邻羟基苯基)形成的新配合物,确证组成为Ln(ClO_4)_3·EO_2(HOP)_2·nH_2O(Ln:La-Eu,n=10,Ln:Gd,Dy-Tm,Y,n=7),La_3(NO_3)_9·(EO_2(HOP)_2)_2·3H_2O及La(ClO_4)_2·EO_2H(OP)_25H_2O。文中研究了配合物红外,紫外、~1HNMR谱及~(13)C纵向弛豫时间T_1等,并讨论了共存阴离子、溶剂及配体不同端基对成配的影响。  相似文献   
145.
稀土掺杂对锂离子电池正极材料LiMn2O4结构及电性能的影响   总被引:19,自引:5,他引:19  
利用微波加热技术合成稀土掺杂基锂离子电池正极材料LiMn2-xRExO4(RE=Y,Nd,Gd,Ce),通过XRD、循环伏安及恒电漉充放电测试研究了稀土掺杂离子对合成正极材料结构及电化学性能的影响。XRD测试结果表明,合适的掺杂量可以起到扩展锂离子脱嵌通道和稳定骨架结构的作用,稀土离子的引入可以部分取代原有的三价锰离子,由于稀土离子的离子半径较三价锰离子大,因此稀土掺杂锰酸锂材料的晶胞参数比未掺杂材料大,在一定程度上扩充了锂离子迁移的三维通道,更有利于锂离子的嵌入与脱嵌;循环伏安及恒电漉充放电测试结果表明稀土掺杂有效提高了LiMn2O4材料的电化学循环可逆性及循环稳定性。  相似文献   
146.
用射央求地在硅单晶衬底上沉积出电导率高达60S/cm的a-SiHY合金薄膜。在20-300K,对于钇含量高的样品,其电导仍是热激活的。lgσ与1/T的关系曲线能够被拟合成斜率不同的两条直线,直线的斜率和两直线间拐点所地 温度依赖于膜中钇的含量。但对钇含量低的薄膜,电导对温度的依赖关系度为σ∝exp(-1/T^1/4)。结果表明,这些钇含量不同的样品在没的温度范围内具有不同的导电机制。  相似文献   
147.
The equilibrium solubility of CsCl-CeCl3-HCl(11%)-H2O qua-ternary system at 25℃ has been determined by the physicchemical analysis method ,and the phase diagram was plotted, Two new double salts 3CsCl.CeCl3.3H2O and CsCl.CeCl3.4H2O obtained from the complicated system were identified and characterized by XRD,TG-DTA ,DSC,UV and fluorescence spectroscopy, Studies on the fluorescence excitation and emission show that 3CsCl.CeCl3.3H2O and CsCl.CeCl3.4H2O have upconversion luminescence of infrared-visible range,and the upconversion emission intensity increases with the increase of ratio of CeCl3 in CsCl.  相似文献   
148.
金属离子掺杂对TiO2光催化性能的影响   总被引:14,自引:1,他引:14  
TiO2光催化反应过程涉及光生电荷、电荷迁移、电荷在TiO2表面的反应和溶液体相反应4个顺序相接并相互影响的步骤.在TiO2中掺杂金属离子对以上4个步骤均有重要影响,合理的掺杂可有效地提高其光催化性能.本文综合了国内外此方面的最新研究成果,从提高TiO2光催化性能和优化光催化反应的角度出发,在材料吸光能力、电荷扩散、表面反应、粒径和晶型等方面,全面地分析总结了金属离子掺杂的影响效果和规律性认识,并对TiO2基光催化材料的金属离子掺杂改性研究的未来发展方向提出了建议.文中还简要介绍了相关的掺杂方法和材料表征手段.  相似文献   
149.
以ZnO纳米柱阵列为模板, 采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列. 扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明: 两种阵列的纳米管均为六角形结构, 直径约为100 nm, 壁厚约为20 nm; 在N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列中, 掺入的N离子主要是以N-Ox、N-C和N-N的形式化学吸附在纳米管表面, 仅有少量的N离子以取代式掺杂的方式占据TiO2晶格O的位置; 表面N物种形成的表面态能级和取代式掺杂导致带隙的窄化, 增强了纳米管阵列的光吸收效率, 促进了光生载流子的分离. 光催化实验结果表明, N离子的掺杂有利于N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列光催化活性的提高.  相似文献   
150.
研究了中性和经FeCI3掺杂后聚[3-(2, 2, 3, 3-四氟丙氧基)噻吩](P3FT)溶液的光谱性质。中性P3FT具有特殊的溶剂色效应, 其甲醇 溶液的溶剂化吸收带强度随P3FT浓度增大而增强, 该吸收带是高分子链与链之间的相互作用(即聚合物的聚集态结构)的反映。用电子光谱跟踪FeCI3掺杂P3FT的过程, 结果表明, P3DT随着掺杂程度的增大, 载流子由极化子转变成双极化子, 且双极化子的能级位于禁带中间, 与孤子相似。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号