脉冲功率应用中的金属化膜电容器寿命预测

分析了金属化膜电容器的寿命特性,根据电容器寿命Weibull分布、可靠性分析和影响因素等建立了从元件到整机的电容器寿命预测模型。通过电容器元件和整机的寿命试验,验证了该预测模型的适用性。研究结果表明:储能密度0.5kJ/L下寿命达到6万次以上;储能密度0.95kJ/L下寿命达到2万次以上;通过新技术措施改进,2.0kJ/L下寿命达到1000次以上。     

金属化膜脉冲电容器寿命特性

从热处理工艺、电极结构设计及工作场强等方面对电容器寿命性能加以分析与试验研究。结果表明:金属化膜电容器热处理温度的选择需要综合考虑膜的收缩以及电极厚度;对应不同方阻,热处理温度存在一个最优值,在该值下电容器可获得最佳的自愈性能,进而达到较长的工作寿命;在不同工作场强下,需权衡电极边缘局部放电以及膜中自愈产生的容量损失比例,优化电极结构。在电极结构、热处理工艺等参数优化设计的基础上,研制出的1.0 kJ/L电容器达到10 000次的大电流充放电寿命。     

金属化膜脉冲电容器的可靠性评估

为更加高效地评价自愈式高储能密度金属化膜脉冲电容器的可靠性水平,提出了一种基于步降加速退化试验的金属化膜脉冲电容器可靠性评估算法。对步降加速退化试验进行了阐述,深入探讨了可靠性评估中的关键步骤——试验数据折算过程。在此基础上,提出了基于伪失效寿命的步降加速退化可靠性评估算法和基于随机退化轨迹的步降加速退化可靠性评估算法,最后利用具体实例对该方法的有效性进行了验证。结果表明,与现有方法相比,该方法在保证评估精度的基础上,试验时间可以缩短45%。     

五羰基锰烷基化合物的合成及光化学反应研究

用五羰基锰钾盐和相应的卤代物在乙醚中的金属化反应合成了五羰基锰烷基合物 (CO)5MnR（R = CH3,p-CH2C6H4CH3, p-CH2C6H4OCH3 ）,产率达到72-93％,将这些化合物与1-2当量(CH3)2(C6H5)SiH和(CH3)(C6H5)2SiH的C6D6溶液在5℃光解,分别得到五羰基锰硅烷基化合物(CO)5MnSi(C6H5)(CH3)2和(CO)5MnSi(C6H5)2(CH3)（产率达到70-88％）。在光化学反应中,还观察到相应甲烷,对二甲苯,和对甲基苯甲醚的定量生成,以及少量的Mn2(CO)10（<2％-4％）,(CO)4MnH(SiR3)2（<9%）副产物。     

基于新型DNA金属化工艺银纳米线的制备

随着DNA金属化工艺逐渐发展, 以DNA为模板进行金属纳米线的制备, 使得生物与微细加工技术的结合变得可能. 我们将DNA模板金属化工艺加以改进, 利用半导体材料——硅作为样品衬底, 并在硅片上利用Parafilm疏水膜斜向拉伸排列DNA分子, 采用化学还原反应, 成功地进行了银纳米线的制备. 改进后的金属化工艺对DNA分子金属化程度较好, 而且制备出了金属纳米网状结构. 基于DNA构筑复杂纳米图形的实现, 进行相关的金属化, 有望构筑纳米集成电路.     

非图案化法制备柔性连续葡萄糖监测传感器

以聚多巴胺作为前驱体,在聚酰亚胺薄膜表面化学沉积一层牢固致密的金层,以该镀金薄膜两面的金层作为基体电极,在其中一面镀铂黑作为参比-对电极,在另一面依次电沉积铂黑层、电泳形成Nafion/碳纳米管网络层、电吸引形成葡萄糖氧化酶层构成工作电极,并整体涂覆聚氨酯外膜,制备了一种柔性葡萄糖传感器.考察了此传感器对葡萄糖的检测性能,以及各层表面形态结构对传感器性能的影响.传感器在0.3V的工作电位下对葡萄糖的线性响应范围是2.0 ～ 32.0 mmol/L,响应灵敏度为25 μA· (mmol/L)-1·cm-2,检出限为0.05 mmol/L (S/N=3),且传感器有良好的长期稳定性和抗干扰性,可用于皮下连续血糖监测.     

在线反应红外系统ReactIR~(TM)iC10

<正>ReactIRTMiC10是梅特勒―托利多集团2005年推出的第四代实验室在线反应红外分析系统,它采用傅立叶变换红外技术,结合多种CompTM探头构成具有耐化学腐蚀性和机械摩蚀性的系统。ReactIRTMiC10的价值:1)在反应过程中通过CompTM探头直接监测反应过程。2)跟踪反应物、中间物和产物的瞬时变化;跟踪浓度变化,提供反应趋势、终点和各个过程的转化率;测定反应的化学动力学、机理和反应路线。3)优化反应条件(温度、反应时间、压力等)以提高目标产物的产率;了解影响反应的关键过     

AlN陶瓷表面氧化及Mo-Mn法金属化研究

对无压烧结制备的AlN陶瓷氧化处理,采用传统Mo-Mn法在预氧化后的AlN陶瓷表面制备金属化层,并在Mo-Mn金属化层表面实施镀镍制备Mo-Mn/Ni复合金属化层.研究了AlN陶瓷氧化及金属化对其导热性能、力学性能、表面相组成及显微结构的影响.结果表明:氮化铝陶瓷经过1100 ℃保温3 h的氧化处理之后,在其表面生成均匀分布的氧化铝层,热导率和抗弯强度分别提升了6.2;和26.6;.AlN陶瓷表层制备的Mo-Mn/Ni复合金属化层厚度约为28 μm,Al2O3层、Mo-Mn层与Ni层之间通过元素的相互迁移形成扩散层,层间紧密结合.金属化后陶瓷的热扩散系数较纯AlN陶瓷基体提升3.8;.     

高端电子制造中电镀铜添加剂研究进展

电镀铜填充微孔技术是集成电路高端电子制造中电子互连材料制程中的主要技术工艺,铜互连材料的填充质量直接影响集成电路的可靠性和稳定性.电镀添加剂是实现电镀铜填微孔及影响填充质量和行为的关键因素.针对当前集成电路发展对高密度电子互连材料制造的高要求,本文概括了近些年国内外集成电路上电镀铜添加剂的研究现状,着重阐述加速剂、抑制剂和整平剂分子结构与表界面作用机制以及添加剂协同作用下实现超填充的填充机制,并针对现有研究现状提出未来需要深入探讨的科学问题和研究方向,为电子电镀铜添加剂的开发提供参考.     

甘氨酸为络合剂是钯和葡萄糖氧化酶的电化学共沉积研究

甘氨酸和Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃｌ３组成镀液,用于钯和葡萄糖氧化酶（ＧＯＤ）的电化学共沉积以制备金属化酶电极、ＵＶ／Ｖ光谱实验表明甘氨酸能与Ｐｄ＾２＋离子发生络合作用,并使镀液在一定ｐＨ范围内具有较稳定的化学组成。伏安法实验证实甘氨酸的存在降低了Ｐｄ的沉积电位,有利于防止钯氢化合物的形成,讨论了钯和ＧＯＤ电化学共沉积的合适条件。