直径2英寸氯化铈掺杂溴化镧晶体制备与闪烁性能研究

本文采用改进的Bridman法,以优化的工艺成功地定向生长出了φ50mm×50 mm的溴(氯)化镧(铈)晶体,即掺氯化铈的溴化镧晶体,简称LBC晶体,测量了样品的光输出、能量分辨率、闪烁时间特性等性能指标.结果表明,坩埚下降法定向生长φ50 mm的LBC晶体具有优异的闪烁性能,其能量分辨率为3.1;,光输出相当于NaI∶Tl晶体的156;,衰减时间为17ns.     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定电石中铁、硅、铝、钛

电石是有机合成化学工业的基本原料,利用电石可以合成一系列的有机化合物,为工业、农业、医药等行业提供所需原料。工业电石的主要成分是碳化钙,其余为游离氧化钙、碳以及硅、镁、铁、铝的化合物和少量的磷化物和硫化物等。工业用电石纯度     

熔融制样-X射线荧光光谱法测定高碳铬铁中铬、硅和磷的含量

高碳铬铁是炼钢生产中重要的原料,被广泛应用于生产不锈钢、滚动轴承钢、工具钢、渗氮钢、热强钢、调质钢、渗碳钢和耐氢钢等。其中铬、硅、磷的含量不仅是高碳铬铁价格结算的依据,也是炼钢工艺的重要考核指标。目前,高碳铬铁的检测主要根据国家标准和行业的相关标准进行化学分析[1-3]。可是这些方法复杂难以掌握,且成本高,很难满足现代化的炼钢生产对合金检测提出的快速、准确的要求。X射线荧光光谱法有分析元素范围宽、精度高     

一种简易的减压过滤装置

采用气筒抽气的方法代替玻璃水泵或真空抽气泵进行减压过滤操作,具有价格低廉、操作简便、绿色环保的优点;凸现创新思想,适合各类中学开设学生实验。     

ATR-FTIR光谱技术在聚合物膜研究中的应用

红外光谱是聚合物研究中常用的一种表征手段,而衰减全反射红外光谱（ATR-FTIR）更是由于在研究聚合物薄膜方面具有显著的优势而被广泛使用。逐层组装（layer-by-layer Assembly）技术是一种常用的组装聚合物超薄膜的方法,ATR-FTIR光谱技术的引入可以在获取膜组装过程中相应信息的同时有效地避免表征过程中对样品的损害。另一方面,ATR-FTIR方法与二维相关光谱技术（two-dimensional correlation spectroscopy, 2D correlation spectroscopy）相结合也是研究小分子（主要是水分子）在聚合物薄膜中的渗透行为的有效手段。本文对ATR-FTIR的基本原理和显著特点作了介绍,并以实例阐述该方法在逐层组装技术和水分子在薄膜内渗透行为研究两方面的应用。     

一种偶氮聚电解质在不同pH值条件下的静电逐层自组装研究

研究了一种光响应偶氮聚电解质(PEAPE)在不同pH值条件下的自组装,重点讨论了pH值对静电逐层自组装以及对光响应性能的影响.研究表明,在所研究的pH范围内,pH值越低,越有利于生成吸光度高的自组装膜,对应的自组装膜厚度也越大.红外光谱分析表明,偶氮聚电解质在不同pH溶液中存在不同的电离情况.pH值越低,用于自组装的溶液中的聚合物链上的电荷数越少,链构象越卷曲.解释了不同pH值条件下自组装膜吸光度和厚度差别的原因.     

红外碳硫分析仪所用瓷坩埚的重复使用

美国Leco CS-344红外碳硫分析仪，具有操作简便、快速、分析结果准确等特点。由于生产中只要求分析试样中的碳，根据红外碳硫分析仪的特点，以及分析试样后的氧化渣有助熔的特效，进行了瓷坩埚重复使用的试验工作。通过试验，证明瓷坩埚在一定条件下可以重复使用5次之多，且可减少助溶剂的用量，在一定程度上还能提高分析质量。     

高压坩埚-草酸-盐酸羟胺法提取粘土中的游离氧化铁

为更准确地测定粘土中的游离氧化铁,提出一个提取游离氧化铁的新方法。该方法是：在高压坩埚中用草酸和盐酸羟胺混合液作为提取剂,于１３０℃的密封条件下提取粘土中的游离氧化铁,浸提时间为０．５ｈ。实验表明;本法较常用的连二亚硫酸钠－柠檬酸钠－重碳酸钠法能更有效地分解粘土中铁的氧化物,使游离氧化铁的浸出更完全。方法的ＲＳＤ小于２．５％。     

Zn:Er:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及光谱特性

报道了ZnErLiNbO3单晶的坩埚下降法生长工艺. 通过控制晶体生长固液界面的温度梯度(30～35 ℃·cm-1)、晶体的生长速度(0.8～1.5 mm·h-1)、密闭Pt坩埚等条件生长了宏观无缺陷的Zn2+(3%)和Er3+(0.6%)共掺的LiNbO3单晶. 用X射线衍射(XRD)和差热分析(DTA)表征了获得的晶体, 并测量了晶体不同部位的吸收光谱和荧光谱. 从吸收光谱以及由XRD数据计算所得的晶胞参数推断, 沿生长方向Er3+在晶体中的浓度分布逐步减少. 光谱数据表明, 晶体底部样品的吸收强度和荧光强度要比顶部大, 而对应于Er3+上能级4S3/2和2H11/2跃迁至基态4I15/2的绿光发射, 晶体底部却比顶部表现出更高的上转换效率. 从晶体的内部结构、缺陷情况以及Er3+的分凝现象解释了产生上述现象的内在机制.