4-N-甲基苯乙烯砒啶盐衍生物非线性光学性质的理论研究

设计了9种4-N-甲基苯乙烯砒啶盐衍生物分子,以密度泛函B3LYP/6-31G方法优化的构型为基础,采用耦合微扰(CPHF)方法研究了体系的非线性光学性质,对体系的电荷布居、吸收光谱及前线分子轨道等性质进行了分析,发现用线性关系对各分子一阶静态超极化率、基态和激发态偶极矩差、激发能及取代基给电子能力之间的关系进行描述是可行的,而且该分子体系的非线性光学响应完全可用二能级模型近似处理.     

偏磷酸根(PO-3)对氟铝酸盐玻璃透光性能影响

在氟铝酸盐玻璃（AMCSBY）中引入Ba(PO3）2替代BaF2,替代公式为10MgF2-20CaF2-(10-x)BaF2-10SrF2-15YF3-35AlF3-xBa(PO3)2(x=,2,4,6,8)。对玻璃进行了差热分析，结果表明，在氟铝酸盐玻璃中引入偏磷酸盐使玻璃形成能力大大提高；测量了玻璃从紫外到红外的透过光谱和紫外吸收光谱，在玻璃中引入偏磷酸钡使玻璃中红外透过能力下降，红外吸收边带移向短波段，玻璃紫外透过能力得到提高。紫外吸收边带移向紫外波段，由于PO3^-的影响，O－H吸收峰由2830nm移到3145nm。     

Hall Conductivity in a Quasi—Two—Dimensional disordered Electron System

By making use of the diagrammatic techniques in perturbation theory,we have investigated the Hall effect in a quasi-two dimensional disordered electron system.In the weakly localized regime,the analytical expression for quantum correction to Hall conductivity has been obtained using the kubo formalism and quasiclassical approximation.The relevant dimensional crossover behavior from three dimensions to two dimensions with decreasing the interlayer hopping energy is discussed.The quantum interference effect is shown to have a vanishing correction to the Hall coefficient.     

产生特殊聚焦图形的二元光学元件

通过面积编码将伽博（Gabor)波带片的透过率函数的余弦分布等效为二元分布，研制了能产生各种特殊聚焦图形的二元光学元件。根据透镜聚焦的物理原理制作的二元振幅型波带片可以方便地产生多种聚焦线，给出了相应的实验结果，并讨论了改善聚焦效果的优化条件。     

一维无序体系电子跳跃导电研究

建立了电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的直流电导公式.通过计算20000格点无序体系的直流电导率,分析了直流电导率和温度及外场电压的关系,讨论了无序度对直流电导的影响.计算结果表明,无序体系的直流电导率随无序度的增加而减小;外加电场较小时,电导率相对较大,且出现一系列峰值,电压较大时,电导率反而较小;无序体系在低温区出现了负微分电阻特性,电导率随温度的升高而增大,在高温区电导率随温度的升高而减小.计算结果和实验符合很好 关键词： 无序体系 电子隧穿 直流电导率     

动态塑性试验技术

对动态塑性试验技术作了扼要综述。简单介绍了各种试验方法的基本原理及其应用范围,并评述了各自所具有的特点和不足之处。      

Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱中的本征能级E_n, 并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律. 计算结果表明: 在In 组分恒定的情况下, 随着N组分的增加, 散射率和平均散射率增加; 在N组分恒定的情况下, 随着In组分的增加, 散射率和平均散射率减小; 随着温度的增加, 在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大, 在温度较高时随温度的增加而增加; 随着阱宽的增加, 散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值, 然后再减小, 最大值出现在阱宽200 Å附近. 计算结果对Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义. 关键词： 费米黄金规则 1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱')" href="#">Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱 LO声子 散射率     

Analyses of temperature-dependent interface states,series resistances,and AC electrical conductivities of Al/p Si and Al/Bi_4Ti_3O_(12)/p Si structures by using the admittance spectroscopy method

In this study, Al/p-Si and Al/Bi4Ti3O12/p-Si structures are fabricated and their interface states （Nss）, the values of series resistance （Rs）, and AC electrical conductivity （σac） are obtained each as a function of temperature using admit- tance spectroscopy method which includes capacitance-voltage （C-V） and conductance-voltage （G-V） measurements. In addition, the effect of interfacial Bi4Ti3012 （BTO） layer on the performance of the structure is investigated. The voltage- dependent profiles of Nss and Rs are obtained from the high-low frequency capacitance method and the Nicollian method, respectively. Experimental results show that Nss and Rs, as strong functions of temperature and applied bias voltage, each exhibit a peak, whose position shifts towards the reverse bias region, in the depletion region. Such a peak behavior is attributed to the particular distribution of Nss and the reordering and restructuring of Nss under the effect of temperature. The values of activation energy （Ea）, obtained from the slope of the Arrhenius plot, of both structures are obtained to be bias voltage-independent, and the Ea of the metal-ferroelectric-semiconductor （MFS） structure is found to be half that of the metal-semiconductor （MS） structure. Furthermore, other main electrical parameters, such as carrier concentration of acceptor atoms （NA）, built-in potential （Vbi）, Fermi energy （EF）, image force barrier lowering （△φb）, and barrier height （φb）, are extracted using reverse bias C 2-V characteristics as a function of temperature.     

高Q值超薄完美吸波体设计方法研究

为了增强完美吸波体的吸波性能,提出了一种高Q值超薄完美吸波体的设计方法. 该方法将基片集成波导技术与一般完美吸波体设计方法有机结合,通过合理添加金属过孔实现了高Q值的完美吸波体设计. 利用该方法设计出了厚度0.0065λ、半波功率带宽5.8%的完美吸波体,其吸波率Q值为33.9,比普通完美吸波体吸波率Q值提升了20%以上;其1.5和3 dBsm的雷达散射截面缩减Q值分别提高了54%和67%以上;同时该方法消除了传统设计中的频率偏移问题. 实测与仿真结果表明所设计的吸波体具有高Q值特征,也具有良好的雷达散射截面缩减效果,散射截面缩减最高达14 dBsm. 仿真和实测验证了设计方法的可靠性. 关键词： 基片集成波导技术 频率偏移 吸波率 雷达散射截面     

Al,Fe, Mg掺杂Li2MnSiO4的电子结构和电化学性能的第一性原理研究

硅酸锰锂作为锂离子电池正极材料因具有高的理论电容量而一直备受关注, 但其较低的导电率和较差的循环性能阻碍了进一步的发展. 采用第一性原理广义梯度近似GGA+U的方法, 研究了Al, Fe, Mg掺杂Li₂MnSiO₄的电子结构、 脱嵌锂电压和导电性. 研究发现, Al 掺杂的Li₂Mn_0.5Al_0.5SiO₄结构中载流子的数目增加, 电子自旋向上和向下的态密度均穿过费米能级, 呈现金属特性, 提高了体系的导电率. 脱锂Li_xMnSiO₄ (x=1, 0)结构中, 通过计算一次脱锂相结构的形成能得到Al掺杂的一次脱锂结构最稳定, 并且Al掺杂的脱锂相结构体积变化小, 有利于材料循环性能的提高, 同时第一个锂离子脱嵌电压与未掺杂时(4.2 V)相比降低到2.7 V. Fe掺杂降低了Li₂MnSiO₄的带隙, 第一个锂离子脱嵌电压降低到3.7 V. 研究表明, Al的掺杂效果优于Fe和Mg, 更利于硅酸锰锂电化学性质的提高.