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21.
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原
关键词:
VO2多晶薄膜
离子束增强沉积
热电阻温度系数 相似文献
23.
吕清洋薛秉国王婷婷刘丽娜王世立朱海澄刘绍宏孙旭东 《发光学报》2020,(11):1323-1334
YAG∶Ce荧光薄膜发光效率高、热稳定性好、散热快,在高功率高亮度白光照明,尤其是激光驱动白光照明(Laser-driven white lighting)领域具有广阔的应用前景。本文综述了近年来国内外YAG∶Ce多晶薄膜、单晶薄膜以及复合薄膜的制备技术及其性能特点,并展望了其在高性能白光LED和高功率激光驱动白光照明领域的应用前景。 相似文献
24.
采用传输矩阵法研究了基于MoO3/Ag/MoO3(MAM)透明导电电极和ITO电极的聚合物太阳能电池的光学性能。分别对电池耦合层厚度、活化层厚度和金属电极进行了优化,得到了优良效率的结构。结果表明,MAM与ITO有机太阳能电池在不同活性层厚度和不同光学间隔层厚度条件下有明显的光学性能差异;对于薄活性层MAM电极器件(100nm),最大短路电流密度可达到16.85mA/cm^2,比ITO器件提高了7.3mA/cm^2,而对于厚活性层MAM电极(270nm),ITO电极器件的光学性能明显优于MAM器件;还通过改变光学间隔层LiF的厚度进行计算,得出本仿真条件下两种结构性能差异的临界光学间隔层厚度为30nm。 相似文献
25.
26.
本文以氧化铝和氧化锌为原料,B2O3、Y2O3、TiO2为添加剂,采用固相反应法合成锌铝尖晶石,将试样在1550℃进行烧结,研究了三种添加剂对矿物组成和微观结构的影响,采用XRD、SEM等手段对烧后试样的物相组成和显微结构进行表征.结果表明:三种添加剂均使显气孔率显著降低,当含量超过1.5;时,显气孔率下降不明显.B2O3进入锌铝尖晶石间隙内形成间隙固溶体;Y2O3与Al2O3发生化学反应生成钇酸铝;当TiO2含量小于1.5;时,TiO2进入锌铝尖晶石晶格内形成置换固溶体,超过1.5;以后,TiO2与Al2O3反应生成钛酸铝.添加Y2O3的试样,生成的钇酸铝在锌铝尖晶石晶间,与空白样相比,晶粒尺寸更均匀;添加B2O3的试样,晶粒尺寸最大;其次是添加TiO2的试样.添加TiO2的试样抗KCl侵蚀性最好. 相似文献
27.
28.
利用人工合成的多晶材料研究了镍锗尖晶石在扩散域的高温蠕变性质。材料颗粒尺寸为0.5μm到8μm,压缩试件为圆柱状,使用气体介质围压试验机。常压蠕变试验过程中,围压为300MPa,温度为1123K到1523K,差应力在55-330MPa范围内。从实验结果得到的镍锗尖晶石在扩散域的流动律表明流动机制为颗粒边界的扩散蠕变(Coble蠕变)。将橄榄石和尖晶石的蠕变数据外推到地球内部条件,粗粒时尖晶石强度远大于橄榄石,粒度减小时,尖晶石比橄榄石还要弱。 相似文献
29.
为获得更优性能的无铟透明导电薄膜,需要在不损害薄膜透光性的同时提高导电性能.本文采用紫外光刻和磁控溅射,在Cu网格的表面覆盖Al掺杂的ZnO (ZnO:Al, AZO)薄膜,制备透明导电的AZO/Cu网格复合膜. Cu网格的线宽低至15μm,透光性极高,并且导电性能得到大幅度改善,覆盖稳定的透明导电AZO薄膜为Cu网格提供屏障保护.通过六边形网格形状的设计和工艺参数的优化,制备出的复合膜的可见光波段透过率达到86.4%,方块电阻降低至4.9Ω/sq,同时实现了高透光性和高导电性.成本低廉、光电性能好且环境稳定的AZO/Cu网格复合膜在透明电子领域具有广泛的应用前景,将其用于透明电加热膜,可在较低电压下实现快速、均匀、稳定的电热响应,有望作为透明的面发热膜应用于除雾除霜玻璃、热疗贴膜等. 相似文献
30.
以NH4HCO3为沉淀剂,通过共沉淀法合成了分散性良好的Dy,Tb∶LuAG纳米粉体,并研究了前驱体的热分解行为、粉体的物相及显微形貌。在不添加任何烧结助剂的情况下,采用真空预烧结合热等静压烧结技术首次制备出高透明的Dy,Tb∶LuAG陶瓷,并研究了预烧温度对陶瓷显微形貌及光学质量的影响。当预烧温度为1 600℃时,退火后的Dy,Tb∶LuAG陶瓷(厚度为1.5 mm)在578 nm处的直线透过率达到83.6%,平均晶粒尺寸为0.9μm。此外,退火后的3%Dy,1%Tb∶LuAG透明陶瓷在447 nm的吸收截面积为1.3×10-21cm2,半高宽为3.0 nm,与商用GaN蓝色激光二极管具有良好的匹配性。研究表明,Dy,Tb∶LuAG透明陶瓷在黄光激光领域具有潜在的应用价值。 相似文献