Ⅲ~Ⅴ族纳米线材料为新一代芯片赋予光学特性

正IBM苏黎世研究实验室(IBM Research of Zurich)开发出一种尺寸极其微小的纳米线,具有一般标准材料所没有的光学特性,从而为开发出基于半导体纳米线的"新一代晶体管"电路研究而奠定基础。该研究实验室与挪威科技大学(Norwegian University of Science and Technology)合作的最新发现是一种在硅基底上产生机械应变砷化镓(GaAs)纳米     

Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method

A new modified Angelov current–voltage characteristic model equation is proposed to improve the drain–source current（Ids） simulation of an Al Ga N/Ga N-based（gallium nitride） high electron mobility transistor（Al Ga N/Ga N-based HEMT） at high power operation. Since an accurate radio frequency（RF） current simulation is critical for a correct power simulation of the device, in this paper we propose a method of Al Ga N/Ga N high electron mobility transistor（HEMT）nonlinear large-signal model extraction with a supplemental modeling of RF drain–source current as a function of RF input power. The improved results of simulated output power, gain, and power added efficiency（PAE） at class-AB quiescent bias of Vgs =-3.5 V, Vds= 30 V with a frequency of 9.6 GHz are presented.     

一个非晶InGaZnO薄膜晶体管线性区陷阱态的提取方法

非晶InGaZnO(a-IGZO)薄膜在制备过程中形成的缺陷和弱键以陷阱态的形式非均匀分布在a-IGZO的带隙中, 这些陷阱态会俘获栅压诱导的电荷, 影响a-IGZO薄膜晶体管线性区迁移率、沟道电子浓度等, 进而影响线性区的电学性能. 本文基于线性区沟道迁移率与沟道内的自由电荷与总电荷的比值成正比, 分离出自由电荷以及陷阱态电荷. 由转移特性和电容电压特性得到自由电荷以及陷阱态电荷对表面势的微分, 分离出自由电子浓度和陷阱态浓度. 通过对沟道层与栅绝缘层界面运用泊松方程以及高斯定理, 考虑了沟道表面势与栅压的非均匀性关系, 得出自由电子浓度以及陷阱态浓度与表面势的关系, 最后通过陷阱态浓度与表面势求导得到线性区对应的态密度.     

ZnO-Based Transparent Thin-Film Transistors with MgO Gate Dielectric Grown by in-situ MOCVD

ZnO transparent thin-film transistors with MgO gate dielectric were fabricated by in-situ metal organic chemicM vapor deposition （MOCVD） technology. We used an uninterrupted growth method to simplify the fabrication steps and to avoid the unexpectable contaminating during epitaxy process. MgO layer is helpful to reduce the gate leakage current, as well as to achieve high transparency in visible light band, due to the wide band gap （7. 7eV） and high dielectric constant （9.8）. The XRD measurement indicates that the ZnO layer has high crystal quality. The field effect mobility and the on/off current ratio of the device is 2.69cm^2V^-1s^-1 and - 1 × 10^4, respectively.     

石墨烯（Graphene）的速率记录

内禀电子迁移率（intrinsicelectronmobility）是测定电子在晶格中移动难易程度的一个物理参数，它的单位为cm^2／Vs．它又是使半导体装置能否小型化与快速运行的重要依据、最近由英国Manchester大学G．Gein教授为首的跨国（包括俄罗斯、荷兰和美国）科学家组成的研究组进行了一项极有成效的工作,他们发现二维石墨烯薄层（只有一个原子大小的厚度）半导体的内禀电子迁移率高达200，000cm^2／Vs，这要比硅半导体的内禀电子迁移率（1500cm^2／Vs）高100倍，比砷化镓（8500cm^2／Vs）高20倍。     

高迁移率有机薄膜晶体管材料进展

对近几年来高迁移率有机薄膜晶体管材料研究的主要发展作了简要介绍和评述,讨论了高迁移率有机半导体材料存在的问题和发展方向．     

光照下高电子迁移率晶体管特性分析

以光照下耗尽型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管为例,考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应,采用器件的电荷控制模型,分析了光照对器件夹断电压、二维电子气浓度、I-V特性以及跨导的影响.与无光照的情况相比较,夹断电压变小,二维电子气浓度 增大,从而提高了器件的电流增益,增大了跨导.     

6H-SiC电子输运的Monte Carlo模拟

从实际测量和单粒子Monte Carlo模拟两个方面研究了6H-SiC的电子输运规律,在模拟中考 虑了6H-SiC主要的散射机理,模拟的结果体现了6H-SiC具有良好的高温和高场特性以及迁移 率的各向异性,其横向迁移率和纵向迁移率相差近5倍.模拟结果和实验数据的对比说明了对 6H-SiC输运特性的模拟是正确的. 关键词： 6H-SiC Monte Carlo模拟 迁移率 散射机理     

赖氨酸的毛细管电泳特性及测定

研究了缓冲液pH和操作温度对赖氨酸毛细管区带电泳分离中运行电流、电渗迁移率、峰形等参数的影响,确定了赖氨酸电泳分离的最佳实验条件,建立了毛细管区带电泳测定赖氨酸的方法。线性范围为0．1－3．0g/L,检出限为0．03g/L。该法操作简便迅速,重复性好。用于赖氨酸发酵液中赖氨酸的含量测定,结果令人满意。     

单层CrI3电荷输运性质和光学性质应变调控的第一性原理研究

通过应变调控二维材料的电学性质和光学性质是设计新型二维电子和光电子器件的重要环节,也是后摩尔时代薄膜器件设计中的关键技术.薄膜CrI₃具有铁磁和层间反铁磁的独特性质,但是关于应变调制其电学性质和光学性质的研究未见报道.本文采用高精度杂化密度泛函理论研究了面内单双轴应变对单层CrI₃载流子迁移率和介电函数的调控规律,研究结果与已有的实验和理论值符合较好.计算发现:单层CrI₃载流子迁移率非常小,均在10 cm²·V^-1·s^-1以内;与拉伸应变相比,双轴压缩应变可以显著提升迁移率;当双轴压缩应变量增至8%时,沿锯齿方向电子迁移率增至174 cm²·V^-1·s^-1,达到了MoS₂水平.可见光区介电函数虚部x (y)方向Ⅰ号吸收峰强度随双轴拉伸应变量增加明显增强,而z方向几乎没有变化;可见光区x (y)和z方向的介电函数虚部曲线开始攀升的起点对应的光子能量均随双轴压缩应变量增加...