界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响

针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响.分析结果显示，界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低.并给出了实验测定的场效应迁移率和反型层载流子迁移率的比值与界面态密度之间关系. 关键词： 碳化硅 界面态 反型层迁移率 场效应迁移率     

Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响

采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）方法制备了不同Al组分（x=0.19,0.22,0.25,0.32）的Al_xGa_1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）材料。研究了Al_xGa_1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气（2DEG）浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分（25%）范围内,获得的 HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×10¹³ cm^-2和1 680 cm²/（V·s）,方块电阻低至310 Ω/□。     

相场方法研究定向退火条件下柱状晶粒的形成过程

根据晶界迁移率与温度的关系,将晶粒长大过程控制在一定宽度的热区内,构建了具有无限大温度梯度且在热区内温度均匀的热区模型,并应用相场方法研究了热区温度和热区宽度对单相多晶材料中柱状晶粒结构形成过程的影响。所得晶粒形貌与实验结果吻合。     

四方晶系应变Si空穴散射机制

基于Fermi黄金法则及Boltzmann方程碰撞项近似理论, 推导建立了(001)弛豫Si_1-xGe_x衬底外延四方晶系应变Si空穴散射几率与应力及能量的理论关系模型, 包括离化杂质、声学声子、非极性光学声子及总散射概率(能量40 meV时)模型. 结果表明: 当Ge组分(x)低于0.2时, 应变Si/(001)Si_1-xGe_x材料空穴总散射概率随应力显著减小. 之后, 其随应力的变化趋于平缓. 与立方晶系未应变Si材料相比, 四方晶系应变Si材料空穴总散射概率最多可减小66%. 应变Si材料空穴迁移率增强与其散射概率的减小密切相关, 本文所得量化模型可为应变Si空穴迁移率及PMOS器件的研究与设计提供理论参考.     

AlN插入层对AlxGa1-xN/GaN界面电子散射的影响

本文研究AlN作为Al_xGa_1-xN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化, 考虑了Al_xGa_1-xN和AlN势垒层的自发极化、压电极化对Al_xGa_1-xN/AlN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG) 浓度的影响, 分析了AlN厚度与界面粗糙度散射和合金无序散射的关系; 结果表明, 2DEG 浓度、界面粗糙度散射和合金无序散射依赖于AlN层厚度, 插入一层1–3 nm薄的AlN层, 可以明显提高电子迁移率.     

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词： 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心     

SiC电子霍耳迁移率的计算

基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值有很好的一致性.     

盐酸黄连素作为脱氧核糖核酸荧光染料染色效果的研究

考察了盐酸黄连素（berberine hydrochloride）的荧光强度与双链DNA的相关性;优选盐酸黄连素在琼脂糖凝胶电泳中的最佳条件;将其染色效果与溴化乙锭（EB）进行比较;并从相对迁移率角度研究盐酸黄连素对DNA凝胶电泳的影响。结果显示,双链DNA对盐酸黄连素有明显的荧光增强作用,荧光强度与dsDNA的浓度正相关;凝胶中10mg／L的盐酸黄连素可分辨出10ng的100bp DNA条带,在完全相同的操作条件下,对于小片段dsDNA,其灵敏度略低于EB。因盐酸黄连素在碱性溶液中带正电荷,使DNA相对迁移率减小,但较染料EB的影响小。该研究为盐酸黄连素在日常分子生物学研究中的应用提供了理论依据。盐酸黄连素可以作为琼脂糖凝胶电泳中DNA的荧光染料,其荧光强度能够满足常规应用,可以替代强致癌性染料EB。     

离子迁移谱检测技术及其应用

离子迁移谱技术是最近几十年发展起来的对微量化学物质进行检测的一种方法．目前它在探测各种化学物质，尤其是毒品和爆炸物方面获得了广泛的应用．文章主要对离子迁移谱仪的原理和检测方法、核心部件——迁移管的构造、其中的化学反应过程以及仪器的应用等几个方面作了介绍．     

Various Recipes of SiNx Passivated AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors in Correlation with Current Slump

The current slump of different recipes of SiN~ passivated AIGaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） is investigated. The dc and pulsed current-voltage curves of AIGaN/GaN HEMTs using different recipes are analyzed. It is found that passivation leakage has a strong relationship with NH3 flow in the plasma-enhanced chemical vapor phase deposition process, which has impacted on the current collapse of SiNs passivated devices. We analyze the pulsed IDS -- VDS characteristics of different recipes of SiNx passivation devices for different combinations of gate and drain quiescent biases （VGso, VDSO） of （0, 0）, （-6, 0）, （-6, 15） and （0, 15）V. The possible mechanisms are the traps in SiNxpassivation capturing the electrons and the surface states at the SiNx/AIGaN interface, which can affect the channel of two-dimensional electron gas and cause the current collapse.