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用经典的方法合成了面式-三(2-(4-三氟甲基苯基)吡啶)合铱配合物(fac-Ir(tfmppy)3), 并得到了其晶体结构。在CH2Cl2溶液中Ir(tfmppy)3的发射光谱显示出了峰值位于525 nm的π→π*跃迁吸收以及金属到配体电荷转移(MLCT)吸收, 色坐标(CIE)为(0.31, 0.62), 量子效率计算为4.59%(以Ru(bpy)3]Cl2为参照)。以Ir(tfmppy)3为发光中心, 制备并研究了有机电致发光器件:ITO/TAPC (60 nm)/Ir(tfmppy)3 (x%):mCP (30 nm)/TPBi (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)。4%掺杂浓度的器件在4 197 cd·m-2的亮度下显示的最大电流效率为33.95 cd·A-1, 在12.7 V时的最大亮度为43 612 cd·m-2, 色坐标(CIE)为(0.31, 0.61)。利用瞬态电致发光法(transient electroluminescence (EL))、在1 300 (V·cm-1)1/2的电场强度下Ir(tfmppy)3配合物的电子迁移率测定为4.24×10-6 cm2·(V·s)-1。非常接近于常用的电子传输材料八羟基喹啉铝(Alq3)的电子迁移率。 相似文献
22.
Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy
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This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire (0001) substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature (HT) A1N layer and a low-temperature (LT) A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer. 相似文献
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24.
Evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistors by structure function method*
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The evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) by structure function method is proposed in this paper. The evaluation is based on the transient heating measurement of the A1GaN/GaN HEMT by pulsed electrical temperature sensitive parameter method. The extracted chip-level and package-level thermal resistances of the packaged multi-finger A1GaN/GaN HEMT with 400μm SiC substrate are 22.5 K/W and 7.2 K/W respectively, which provides a non-invasive method to evaluate the chip-level thermal resistance of packaged A1GaN/GaN HEMTs. It is also experimentally proved that the extraction of the chip- level thermal resistance by this proposed method is not influenced by package form of the tested device and temperature boundary condition of measurement stage. 相似文献
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依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方
关键词:
电子谷间占有率
散射模型
锗组分
电子迁移率 相似文献
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引入迁移率的概念,可以以简捷、通俗的方式帮助理解导体、半导体、等离子体、气体和液体中不同的导电机制、半导体的电导率随温度升高而敏锐地升高的原因,以及半导体的导电性能为什么可以通过掺入杂质原子的数量来有效的控制。 相似文献
30.
建立了在单层有机发光二极管中电场强度不太大(E≤104Vcm)的情况下,载流子注入、传输和复合的理论模型.通过求解非线性Painleve方程得出了电场强度随坐标变化的解析函数关系式以及电流密度随电压变化关系,给出了电流密度以及器件的复合效率在不同的载流子迁移率情况下随电压变化关系图像.结果表明,复合效率受载流子迁移率影响较大,在器件中多数载流子应具有较低的迁移率,而少数载流子应具有较高的迁移率,这样有利于载流子的注入和传输,从而可提高发光效率.并且得出当空穴迁移率大于电子迁移率时,复合区域偏向阴极,反之亦
关键词:
单层有机发光二极管
复合效率
迁移率 相似文献