纳升电喷雾-离子迁移谱及其与高效液相色谱的联用

搭建了一套纳升级电喷雾-离子源离子迁移谱仪。首先,分别对尾吹气流速、溶剂流速等影响仪器去溶剂化效果的参数进行了研究和优化。在此基础上,用一系列胺类化合物对该仪器的去溶剂化效果、分辨能力以及灵敏度进行了表征。实验结果表明,该仪器能够对电喷雾离子液滴实现完全去溶剂化;三辛胺的检出限可以达到10 μg/L。最后,将该仪器用作高效液相色谱的检测器,在无需衍生化的条件下对胺类混合物样品进行检测。由三乙胺、二乙胺以及丁胺组成的混合样品被成功分离并测定。该系统对三乙胺、二乙胺以及丁胺的线性响应范围均达到近两个数量级。     

有机场效应晶体管和分子电子学研究进展

近几年来,有机场效应晶体管在材料和器件方面都取得了长足的进展,成为分子电子学的一个重要方向。本文从有机半导体材料设计、有机半导体器件的构筑、单分子电子器件和纳米管在电子器件中的应用等方面,简单综述了有机场效应晶体管和分子电子学的最新研究进展。     

木制儿童用品中6种木材防腐剂的迁移规律研究

基于气相色谱-串联质谱(GC-MS/MS)技术建立了6种防腐剂总量及迁移量的测定方法,通过搭建迁移装置并模拟实际暴露场景,对自制阳性样品中6种防腐剂在模拟唾液和汗液中的迁移规律进行研究,并计算出不同时刻的迁移率。结果表明,在迁移2 min~96 h范围内,防腐剂的迁移量均随时间延长而逐渐增大,最终达到迁移平衡,迁移率为2.1%~61.7%(唾液),2.2%~86.4%(汗液)。在样品与模拟液仅接触2 min时有6种物质检出,迁移率分别为2.1%~4.2%(唾液)和2.2%~3.3%(汗液)。部分实际样品中检出了2,4-二氯苯酚和2,4,6-三氯苯酚,鉴于儿童日常生活中短时间持续接触样品的特点,选取两个实际阳性样品测定了其在2~30 min的迁移量及迁移率。     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。 关键词：     

AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管的kink效应研究

利用二维器件模拟软件MEDICI对AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管器(PHEMT)件进行了仿真，研究了PHEMT器件的掺杂浓度与电子浓度分布，PHEMT器件内部的电流走向及传输特性，重点研究了不同温度和不同势垒层浓度情况下PHEMT器件的kink效应.研究结果表明：kink效应主要与处于高层深能级中的陷阱俘获/反俘获过程有关，而不是只与碰撞电离有关. 关键词： 高电子迁移率晶体管 kink效应 二维电子气     

Effect of Small-Angle Scattering on the Integer Quantum Hall Plateau

A GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas （2DEG） structure with the high mobility of μ2K= 1.78 × 10^6 cm^2/Vs has been studied by low-temperature Hall and Shubnikov de Hags （SdH） measurements. Quantum lifetimes related to all-angle scattering events reduced from 0.64 ps to 0.52 ps after i11uminating by Dingle plots, and transport lifetimes related to large-angle scattering events increasing from 42.3ps to 67.8ps. These results show that small-angle scattering events become stronger. It is clear that small-angle scattering events can cause the variation of the widths of the quantum Hall plateaus.     

不同量子阱宽度的InP基In0.53GaAs/In0.52AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究

用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应，研究了在1.4 K下不同量子阱宽度(10—35 nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析，得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现，在Si掺杂浓度一定时，阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大，但是随着阱宽的增加，阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带，且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20 nm时，处在第二子能级上的电子数与处在 关键词： 量子阱宽 二维电子气 Shubnikov-de Haas振荡 高电子迁移率晶体管     

用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成(英文)

在有机电致发光器件研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如:2-(4- 叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子亲和性限制了它的应用。为了得到新的有效的电子传输材料,本文以噻吩为起始反应物经过二碘代、羧酸化、酯化、氨解等步骤合成了噻吩二酰肼,再通过噻吩二酰肼与相应的取代苯甲酰氯缩合、关环的方法将富电子的噻吩环和高电子亲和性的噻吩环同时引入,合成了三种新的含噻吩环噁二唑衍生物2,5-双[2,2’-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXD R=H,OCH_3,CH_3)。同时,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测定。这三种化合物都在负方向出现了-对可逆的氧化还原峰,由此得到其电子亲和势(EA)分别为-3.10eV,-3.07eV和-3.08eV,其EA值都高于常用的电子传输材料PBD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡越法(TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10~(-4)cm~2/V.S(E=10~6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。     

Growth of High-Quality GaAs on Ge by Controlling the Thickness and Growth Temperature of Buffer Layer

In the last two decades, m-v compound semi- conductor materials grown on elemental semiconduc- tor substrates have attracted much attention due to their potential applications in high-efficiency so- lar cells, photodetectors, quantum-dot （QD） lasers, and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs）. Due to their extremely high electron mobility, III-V semiconductors such as GaAs, InGaAs and InAs are believed to be chan- nel materials for future complementary metal-oxide- semiconductor （CMOS） technology.CMOS tran- sistors on Ge substrates with high mobility In- GaAs/Ge channels have already been fabricated by using a wafer bonding technique, which is a promis- ing step for such a device on Si.