磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.     

准粒子注入下超导膜能隙变化的一些计算

利用 Schn-Tremblay 理论计算了 Pb、Sn 超导薄膜在注入准粒子且注入电压很小(ev<2△(?))时的能隙微小增加的效应.同时,把此理论扩展到 ev>>2△_i 的大电压情况,计算出能隙明显减小及超导-正常混合态的结果.     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.     

Influences of Thalliation on the Morphology and Critical Temperature of Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Films

Tl2Ba2CaCu2Ox(Tl-2212) thin films were prepared by the two-step technique.A precursor film was first prepared by the pulsed laser deposition method,and then experienced the incorporation of thalliation in a one-step or two-step annealing process.The experimental results show that the two-step annealing process produces dense and smooth films,and that the one-step annealing process produces a high critical temperature film of 101K,but the transition width is wide.Precursor films with homogeneous Ba2Ca1.3Cu2.1Ox composition are essential for producing high-quality Tl-2212 films.     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。     

Hydrogenation Properties of Zr Films Under Various Conditions of Hydrogen Plasma

The hydrogenation properties of Zr samples with and without an Ni overlayer under various plasma conditions were investigated by means of non-Rutherford backscattering and elastic recoil detection analysis.The theoretical maximum hydrogen capacity,66.7 at%,could be achieved at a hydrogen absolute pressure of-2Pa and a substrate temperature of-393K for a plasma irradiation of only 10min;this was significantly greater than that for gas hydrogenation under the same hydrogen pressure and substrate temperature.It was also found that the C and O contamination on the sample surface strongly influences the hydrogenation,and that the maximum equilibrium hydrogen content drops dramatically with the increasing total contamination.In addition,the influence of the Ni overlayer on the plasma hydrogenation is discussed.     

过氧聚钨酸薄膜上光栅的制备

用过氧聚钨酸（PPTA）水溶液，通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜，利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料，具有很高的利用价值。     

Sn-C60薄膜的紫外吸收光谱和X-射线衍射谱分析

对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收，X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示，薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降，说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁，能带中有杂质能级的存在；样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构；扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。