铌酸锂晶体性能的组成依赖性(英文)

总结了铌酸锂晶体的各项性能指标,显示了其对晶体实际组成的强烈依赖性.利用化学键模型定量地解释了这种依赖性产生的根源,从而说明了制约该晶体性能提高的关键因素是晶体结构中的缺陷控制.     

复合氟化物中铕(II)f-f 跃迁发射的判据及其运用

建立了Eu^2^+离子f→f跃迁发射产生的判据运用这-判据预测, 设计并合成了近四十种掺Eu^2^+的复合氟化物, 在这些基质中均观察到Eu^2^+的f-f跃迁尖峰发射。本文对所提供的判据从化学键性质和晶场效应方面作了简要解析, 并对判据的运用条件作了讨论。     

He-N20偶极矩面及振转跃迁强度的理论研究

用超分子MP4方法和大基组(aug-cc-pVTZ)及键函数得到He-N2O体系的分子间从头算势能面及偶极矩面．用离散变量表象方法计算了^4He-N2O及^3He-N2O体系的振转能级，并进一步计算得到其振转跃迁强度，计算结果很好地解释了实验现象。     

镀液中Ce^3＋离子对锡镀层结构缺陷和可焊性的影响

应用荧光分析法、X光电子能谱法(XPS)及正电子湮没寿命谱法(PALS)等研究了从含硫酸铈添加剂的酸性光亮锡镀液获得的锡镀层结构缺陷与可焊性的关系。结果表明,电镀时Ce与Sn不发生共沉积,Ce~(3+)的主要作用是阻化Sn~(2+)的水解和氧化使镀液稳定,因而使锡镀层纯度提高、结构致密、表层氧含量减少,有利于提高镀层的可焊性。当Ce~(3+)浓度控制在3.5g/L左右时,可使镀层结构缺陷较少,可焊性较佳,说明结构缺陷是影响锡镀层可焊性的直接原因。     

由NO分子从头计算结果和紫外光电子能谱确定NO的分子结构

对于NO分子轨道的能级次序现有两种不同的说法,不少人根据NO与O_2~+是等电子体,由O_2~+分子的能级次序确定NO分子组态。本文用NO和O_2~(+)从头计算结果以及NO的紫外光电子能谱相结合的方法说明NO的5σ轨道是弱成键轨道,5σ的轨道能稍高于1π轨道能,也就是说NO的能级次序是与N_2分子相同的;NO与O_2~+虽是等电子体,但是能级次序并不相同,因此由O_2~+的能级次序确定NO分子的电子组态是不妥的。     

4fN-15d组态自旋允许与禁戒跃迁能级的研究

通过稀土光谱理论，计算了三价稀土离子的4f^N-15d组态能级的f与d电子间的库仑相互作用，结果表明对于重稀土元素，其自旋允许跃迁能级位置高于自旋禁戒跃迁能级位置，并且两种能级间的能级差随f电子数的增加而依次减小。对于轻稀土元素,则自旋禁戒跃迁能级位置高于自旋允许跃迁能级位置。结果很好地解释了自旋禁戒跃迁能级的光谱现象。     

C30卡宾三叶结分子结构与稳定性的理论研究

三叶结分子是最简单的非平凡纽结分子, C₃₀卡宾三叶结分子是由一条闭合的(C≡C—)₁₅ sp杂化碳链组成的, 是具有D₃对称性的拓扑手性分子. 本文用密度泛函方法[DFT/RB3LYP/6-31G(D)]对分子结构和光谱性质进行了研究, 在优化构型的基础上通过自然键轨道(NBO)方法和轨道能级研究了它的共轭性、成键情况和稳定性, 并与平面型C₃₀卡宾环分子进行了比较. 计算结果表明三叶结分子的三叶弧上形成了非平面的C≡C共轭和扭曲的内螺旋结构, 交叉处具有弱成键作用, 且分子轨道也发生了扭曲; 三叶结分子比卡宾环的共轭性和赝Jahn-Teller效应都明显小, 而总能量高. 因此, 分子打结是一个能量升高的过程.     

亚锰酸镧及其A位掺杂物的结构与缺陷

鉴于亚锰酸镧的结构和缺陷在理论和应用上的重要性,本文总结了近年来对LaMnO3及其A位掺杂物的结构与缺陷的研究.着重分析了其氧化学非计量性和La/Mn比与结构及缺陷的关系.并讨论了亚锰酸镧的各种缺陷模型.指出了目前研究中存在的一些争议和一些缺乏足够研究的方面.     

Ru_n(n=2~8)金属团簇的结构和能级分布的DFT研究

采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法,对Run团簇(n = 2~8)的几何结构与稳定性、束缚能以及能级分布的关系进行了研究,并分析了随着团簇原子数的增加,团簇的几何结构和费米能级的变化,结果表明:Ru簇的几何结构在4个原子以前是平面结构,而从5个原子开始为空间立体的稳定结构,束缚能随金属原子数的增加而增加。能级结构呈明显的分立特征,费米能级随原子个数的增加而增加,但从Ru7开始又有所降低,且团簇的能量间隙逐渐减小,趋近于大块金属的能级特征。     

聚氯乙烯结构缺陷和热不稳定性之间关系的研究 2.各种结构缺陷含量和热脱氯化氢速率之间的关系

本工作采用溴加成法、酚解法、FTIR法及臭氧裂解法分别测定了五种不饱和蒸气压下聚合的PVC样品(u-PVC)和五种商品PVC样品(s-PVC)的总双键、总不稳定氯、孤立双键和内部双键的含量.通过研究结构缺陷和PVC的平均分子量及脱HCl速率的相互关系,揭示了不饱和总双键值,总不稳定氯和孤立双键含量彼此的相关性是建立在它们分别与1/M_n的相关性基础之上,从而得出了这三种定量值测得的主要都是端基烯丙基氯结构.根据三者对脱HCl速率的良好线性相关性,首次提出了端基烯丙基氯结构在HCl催化作用下异构化成内部烯丙基氯从而成为脱HCl速率主要原因的机理.