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Gd2O3:Eu纳米晶的制备及其光谱性质研究 总被引:5,自引:2,他引:3
以EDTA为络合剂,聚乙二醇为有机分散剂,用络合溶胶—凝胶法制备出Gd2O3:Eu纳米晶。用XRD,SEM,X—射线能量色散谱仪(EDS),荧光分光光度计等分析手段对Gd2O3:Eu的纳米晶结构、形貌、组分的均匀性以及发光特性进行了研究。结果表明:EDTA—M凝胶仅在800℃焙烧即可得到颗粒细小、组分均匀、纯立方相的Gd2O3:Eu纳米晶,颗粒基本呈球形,粒径为30nm左右。对样品的激发光谱、发射光谱测定表明:Gd2O3:Eu纳米晶在269nm光激发下发红光,发射光谱谱峰在611nm,与体材料基本相同;激发光谱中电荷迁移带(CTB)明显红移,从体材料的255nm移至269nm,移动了约14nm;猝灭浓度从体材料的6%提高到8%。 相似文献
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光阴似箭 ,流年如水 ,不知不觉中 ,我的老师冯端教授 ,今年迎来了他的 80华诞 .屈指数来 ,冯先生已在科学事业和教育战线辛勤耕耘了近 6 0个春秋 ,至今仍然笔耕不辍 ,主持撰写《凝聚态物理学》专著 .他是一位才思敏捷 ,治学严谨 ,融会贯通的学者 ,是一位诲人不倦 ,能凝心聚力的学术领导人 ,是一位中国黄土地上成长起来具有开拓进取精神的物理学家 ,为我国教育事业和物理学事业作出了巨大贡献 .1 博览群书 ,积健为雄冯先生 ,祖籍浙江绍兴 ,192 3年出生于江苏苏州的书香门第 ,父亲冯祖培 ,长诗词 ,工书法 .兄姐四人 ,长兄冯焕 ,在美国获博士… 相似文献
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对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
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Structural Evolution of Nanostructured γ—Ni—28Fe Alloy Investigated by Using the Internal Friction Technique
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The structural evolution of nanostructured γ-Ni-28Fe alloy(n-Ni-Fe)(grain size d-30nm),synthesized by the mechno-chemical method,was investigated by using the internal friction technique combined with differential scanning calorimetry(DSC) in the temperature range from 300K to 670K.An internal friction peak with typical characteristics of the first-order phase transition was observed in the vicinity of 620K,which corresponds to a broad exothermic process revealed by using DSC.Theses results can be explained as the structural changes from the disordering to the ordering transition in the n-Ni-Fe sample. 相似文献
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CaoYun ZhaoHongwei MaLei ZhangZimin 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报》2003,(1):154-154
High quality ion beams are required by IMP cyclotron and atomic physics research, so it is important to research and measure beam emitt ance of ECR ion source. Intense beams extracted from ECR ion source usually have low energy, so it is suitable to use Electric-Sweep Scanner to measure the emittance. This kind of measurement is popularly used at ECR ion source, and it has some prominent merits such as high accuracy, very short time of data processing and easy expressing of the emittance pattern. So we designed and built this emittance scanner to measure emittance of the ion beams produced by LECR3 ion source. The structure of the ESS is shown in Fig.l, and the photo of the ESS is shown in Fig.2. 相似文献
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