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191.
以HCFC141b气体水合物结晶生成体系为对象,通过实验研究了磁场作用下纳米磁性液体对多元多相体系结晶生成特性的影响.重点研究了互不相容的水相与HCFC141b液相间、水相与气相(水蒸汽与HCFC141b蒸气)间的质量传递现象.结果发现,在旋转磁场作用下,纳米磁性液体能显著增强相间的质量传递和热量传递,使得结晶生成性能包括生成温度、生成速率等得到很大的提高.  相似文献   
192.
记录了常温下二钼酸铵晶体饱和水溶液的Raman光谱,并分别与二钼酸铵晶体、仲钼酸铵晶体、仲钼酸铵晶体饱和水溶液、水溶液状态下单钼酸根离子的Raman光谱进行了比较研究。结果表明:二钼酸铵晶体饱和水溶液Raman光谱相对二钼酸铵晶体Raman光谱,明显地发生了变异现象。二钼酸铵晶体饱和水溶液Raman光谱其主要特征峰最高振动频率937.6 cm-1与仲钼酸铵晶体饱和水溶液Raman光谱主要特征峰最高振动频率937.6 cm-1完全吻合,而其次高振动频率893.9 cm-1,恰好介于水溶液中单钼酸根离子Raman光谱主要特征峰最高振动频率895.1 cm-1与仲钼酸铵晶体饱和水溶液Raman光谱主要特征次高峰振动频率891.0 cm-1之间,而且三者彼此接近。二钼酸铵晶体饱和水溶液Raman光谱主、次特征峰强度之比值为2.1,与仲钼酸铵晶体饱和水溶液Raman光谱主、次特征峰强度之比值4.4相比,一半不足。提出了一种利用Raman光谱主要特征峰振动频率及其主、次特征峰强度之比值对二钼酸铵晶体饱和水溶液组分同时进行定性和半定量分析的新方法。发现了常温下二钼酸铵晶体饱和水溶液中二钼酸根离子Mo2O72-已经不复存在,完全转变成了优势组分仲钼酸根离子Mo7O246-和次要组分单钼酸根离子MoO42-;证明了常温下含钼水溶液酸化过程中溶液Raman光谱离散性变化现象的存在。运用结构化学和物理化学原理同时讨论了二钼酸铵晶体饱和水溶液Raman光谱发生变异现象的机理。  相似文献   
193.
Formation of SnO2 Nanoparticles on External Surface of NaY Zeolite   总被引:1,自引:0,他引:1  
Tin dioxide nanoparticles of 5 nm in size were prepared on NaY zeolite external surface by impregnation of SnCl2 solution and subsequent calcination at 623 K. A SnO2-NaY based chemical sensor for detecting H2 was demonstrated.  相似文献   
194.
本文制备了PANI纳米点阵列, 利用导电原子力显微镜(C-AFM)表征了其形貌和导电性能, 在室温下观察到PANI纳米点的库仑台阶(Coulomb staircase)现象, 并利用库仑阻塞效应的理论进行了初步的分析.  相似文献   
195.
在纳米尺度下构建有序的磁性模板和图形是当前的研究热点之一 [1,2 ] .这种模板在生物样品的分离[1] 、磁电子学研究和信息存储 [2 ] 等领域具有重要意义 .目前 ,光刻 [3] 、微触点印刷 [4 ] 和自组装 [5] 等多项技术已被用来构建各种纳米模板 .1 999年 ,美国西北大学 Mirkin小组 [6 ]发明的 Dip- pen纳米刻蚀技术 (简称 DPN技术 )更在可控组装方面显示出巨大优越性 .这项技术是在一定驱动力作用下 ,使吸附在原子力显微镜 ( AFM)针尖上的分子“墨水”逐渐转移到基底表面上 ,实现纳米模板的可控构建 .与传统技术相比 ,DPN技术可在纳米尺…  相似文献   
196.
用柠檬酸盐法合成出La_(1-_x)Sr_xFeO_3(x=0.1,0.2,0.3,0.4)原粉,再经固相反应得到纳米晶粉末,用TG、DTA、XRD、IR进行了表征,确证复合氧化物La_(1-_x)Sr_xFeO_3为钙钛矿型结构,粒径在10~25nm之间。实验结果表明,随着固相反应条件不同,产物粒径呈规律性变化.气敏特性研究表明,该纳米晶材料对乙醇有较高的选择性和灵敏度,其选择性顺序为La_(0.9)Sr_(0.1)FeO_3>LaFeO_3>LaFeO_3(大晶粒)。  相似文献   
197.
Oleic acid (OA)-modified SiO2 (OA-m-SiO2) nanoparticles were prepared using surface modification method. Infrared spectroscopy (IR) was used to investigate the structure of the OA-m-SiO2 nanoparticles, and the result showed that OA attached onto the surface of SiO2 nanoparticles through esterification. Effect of OA concentration on the dispersion stability of OA-m-SiO2 in heptane was also studied, and the result indicated that OA-m-SiO2 nanoparticles were dispersed in heptane more stably than the unmodified ones. OA-m-SiO2 nanoparticles can also be dispersed in polypropylene (PP) matrix in nano-scale. The effect of OA-m-SiO2 on crystallization of PP was studied by means of DSC. It was found that the introduction of OA-m-SiO2 resulted in significant increase in the crystallization temperature, crystallization degree and crystallization rate of PP, and OA-m-SiO2 could effectively induce the formation of β-crystal PP. Effect of OA-m-SiO2 content on mechanical properties of PP/OA-m-SiO2 nanocomposites was also studied. The results show that OA-m-SiO2 can significantly improve the mechanical properties of PP.  相似文献   
198.
Recently the research on structures with an ordered two-dimensional(2D) pattern has attracted great attention due to its versatile applications in the fields of microelectronic and optoelectronic devices, displays, biochips and sensors, enzymatic immobilization, drug carriers, and photonic band gap materials. Various well-arrayed 2D structures have been made by the modern technique such as laser writing pattern fabrication, photoetching technique, micro-electromechanical systems based on scann…  相似文献   
199.
Platinum nanoclusters were deposited along the supercoiled DNA strands after incubation of cis-(trans-1R,2R-diaminocyclohexane)(dl-camphorato)platinum(Ⅱ) (Cdp), an analogue of the anti-tumor drug-carboplatin, with DNA and K2PtCl4 for 600 min and then through reduction of dimethylaminoborane (DMAB). The decrease of absorption of DNA at 260 nm indicates the coordination of Cdp and DNA. TEM and AFM were employed to characterize the morphologies and structures of platinum nanoclusters.  相似文献   
200.
薛冬峰 《化学研究》2003,14(4):12-15
总结了铌酸锂晶体的各项性能指标,显示了其对晶体实际组成的强烈依赖性.利用化学键模型定量地解释了这种依赖性产生的根源,从而说明了制约该晶体性能提高的关键因素是晶体结构中的缺陷控制.  相似文献   
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