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101.
102.
103.
104.
采用凝胶-燃烧法合成了Ca3Sc2Si3O12 ∶Ce绿色LED用荧光粉,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪等对合成产物进行了分析和表征.结果表明:通过添加H3BO3做助熔剂,制得的荧光粉晶相纯正,颗粒形貌均呈现为较规则的类球形,而且所得荧光粉的粒径均小于1 μm.发射光谱呈现为一宽带,发射主峰位于505 nm,该宽峰对应于Ce3+关键词:
白光LED
荧光粉
3Sc2Si3O12 ∶Ce')" href="#">Ca3Sc2Si3O12 ∶Ce
发光 相似文献
105.
采用固相反应银作催化剂成功合成出棒状结构的稀土硼酸盐Tb(BO2)3发光材料. 利用X射线衍射和区域电子衍射研究了产物的结构特性,在700 oC煅烧时,Tb(BO2)3纳米棒具有良好晶形. 透射电镜分析表明,Tb(BO2)3纳米棒直径为100~200 nm,厚度为30~50 nm,长约3 μm. 基于Ag纳米颗粒附在Tb(BO2)3纳米棒的顶端和中部的事实,探讨了Tb(BO2)3纳米棒的生长机理. 荧光光谱研究表明,在369 nm紫外光激发下,Tb(BO2)3能发出Tb3+的特征绿色荧光,发射主峰位于546 nm,归属于5D4→7F5跃迁. 同时,也探讨了煅烧温度对产物的结构、形貌以及发光性质的影响. 相似文献
106.
用高温固相反应法制备了稀土离子Ce3+、Gd3+双掺杂的YVO4发光材料,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、激发以及发射光谱等测试手段对YVO4:Ce3+(Gd3+)荧光粉的制备条件、发光性能以及表面形貌进行了研究。XRD结果表明,在1100℃恒温5 h可得到Ce3+(Gd3+):YVO4纯相。SEM结果显示颗粒基本为球形,粒径约为300~500 nm。激发光谱测试表明,Ce3+(Gd3+):YVO4荧光粉在近紫外光区(232 nm)和蓝光区(424 nm)可以被有效地激发,用424 nm的蓝光激发样品时,Ce3+(Gd3+):YVO4荧光粉在611 nm和659 nm处的发光强度最大;因此,这种荧光粉可以作为组合型白光LED的红色发射荧光粉的候选材料。 相似文献
107.
A new long-lasting phosphorescence (LLP) phosphor, Sr2SnO4:Sm3+ which emits reddish-orange LLP upon UV-excitation, is prepared by a conventional high-temperature solid-state method. After irradiation under 247-nm UV light, Sr2SnO4:Sm3+ emits an intense reddish-orange emission afterglow from the 4G5/2 to 6HJ (J = 5/2,7/2,9/2) transitions. The afterglow decay curve of the Sm3+-doped Sr2SnO4 phosphor contains a fast decay component and another slow decay one. Due to the presence of the slow decay component, the afterglow can be seen with the naked eye in the dark clearly for more than 1 h after removal of the excitation source. 相似文献
108.
利用XRD、VUV及UV光谱等方法对Ce3+、Tb3+离子掺杂以及Ce3+、Tb3+离子共掺的3种BaCa2(BO3)2荧光粉的相纯度、发光性质、浓度猝灭现象进行研究。结果表明:3种荧光粉在VUV波段有较好的吸收,基质吸收带位于140~190 nm范围。Ce3+在BaCa2(BO3)2的最低4f5d跃迁带位置在360 nm附近,其5d→2FJ(J=5/2, 7/2)发射峰分别位于393,424 nm。Tb3+掺杂的样品在172 nm激发下的发射光谱由4个窄带组成,分别对应5D4→7FJ(J=3,4,5,6)的跃迁,其中占主导位置的是5D4→7F5的跃迁,大约位于543 nm处,主要为绿光发射。在Ce3+,Tb3+离子共掺杂的BaCa2(BO3)2光谱中,观察到Ce3+-Tb3+离子间有能量传递。 相似文献
109.
采用高温固相法制备了红色荧光粉Ca4LaNb(W1-x Mo x)4O20∶Eu3+并研究了样品的发光性质。Ca4LaNbW4O20∶Eu3+的激发光谱中包含一个宽的激发带,峰值位于275 nm,归属于WO2-4基团的电荷迁移跃迁。随着Mo6+离子的掺入,Ca4LaNbW4O20∶Eu3+位于275 nm处的吸收带变宽,其原因是O2--Eu3+的电荷迁移跃迁增强。在Ca4LaNb(W1-x Mo x)4O20∶Eu3+的发射光谱中,400~500 nm间较宽的发射带属于WO2-4基团的发射带,而位于591 nm和616 nm的尖锐的发射峰分别属于Eu3+的5D0→7F1磁偶极跃迁和5D0→7F2电偶极跃迁发射。随着Mo6+离子浓度的增加,WO2-4基团的发射带强度下降,从而提高了色纯度。 相似文献
110.
通过溶胶-凝胶法制备出不同Tb3+掺杂浓度和不同二次煅烧温度下的ZnAl2O4:Tb3+荧光粉, 并利用X射线衍射(XRD)和荧光光谱等对样品进行了表征。由XRD结果可知,当Tb3+掺杂的摩尔分数不大于9%,二次煅烧温度在600℃以上时,所得粉体为结晶性良好的尖晶石相。在紫外光激发下,ZnAl2O4:Tb3+荧光粉的发射光谱由位于488 nm(5D4→7F6)、542 nm(5D4→7F5)、587 nm(5D4→7F4 )和621.5 nm(5D4→7F3)的4个发射峰组成。研究发现,Tb3+的掺杂浓度和二次煅烧温度对样品发光强度有着重要影响,当Tb3+的摩尔分数为5%,二次煅烧温度为900℃时,ZnAl2O4:Tb3+荧光粉的发光最强,继续增加Tb3+掺杂浓度或提高煅烧温度,分别会出现浓度猝灭和温度猝灭现象。 相似文献