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991.
本文利用潮湿浸渍法将碘化铯(CsI)掺杂至12CaO·7Al2O3(C12A7)型负离子存储发射材料的表面并对其的结构与存储特性进行了X射线衍射和电子顺磁共振的表征,与此同时还对该材料的发射特性、离子发射分支比以及温度对发射强度的影响等方面进行了研究和分析。将实验和表征结果与未掺杂的C12A7进行对比后发现,C12A7表面上CsI的掺入很大程度上改善了该材料的发射特性。掺杂CsI后,在800 V·cm-1的引出场下,发射温度由570℃降低至470℃,与此同时,在同样的发射条件下,其发射强度也明显增强。低温区(<500℃)氧负离子O-的发射纯度接近100%。以上结果表明掺杂CsI至C12A7表面是一种在低温下获得氧负离子O-源的有效途径。 相似文献
992.
为了制备发光性能优良的新型四配位氮杂环卡宾铜髣配合物,以咪唑、苯并咪唑、2-溴-5-氟-6-甲基吡啶和溴化苄为初始原料,反应生成氮杂环卡宾配体(Ph-Im-flumePy)PF_6和(Ph-BenIm-mePy)PF_6,随后卡宾配体与Cu粉及配体双(2-二苯基膦)苯醚(POP)反应,制备出2个四配位类型的氮杂环卡宾铜髣配合物[Cu(Ph-Im-flumePy)(POP)]PF_6(P1)和[Cu(Ph-BenIm-flumePy)(POP)]PF_6(P2)。通过核磁、质谱技术对产物结构进行了表征。系统研究了配合物的紫外-可见吸收光谱、发射光谱以及发光寿命等光学特性。结果表明,配合物P1和P2的最低吸收峰分别位于325和335 nm处。粉末状态下,配合物P1在514 nm处有较强的绿光发射,量子发光效率为82.6%,激发态寿命为56μs;而配合物P2的波长在516 nm处,量子发光效率为49.2%,激发态寿命为50.6μs。在PMMA(10%,w/w)膜片中,配合物P1的发射波长蓝移至505 nm处,激发态寿命为40.7μs,量子发光效率为38.0%;而配合物P2的发射波长位于508 nm处,激发态寿命为61μs,量子发光效率为44.2%。 相似文献
993.
研究了4-位苯基取代基旋转受阻和旋转自由的2,4,6-三苯基氧Weng盐的光物理性质。实验结果表明,当4-位苯基取代基旋转受阻时,氧Weng盐化合物在激发态时引起的分子内极化程度比4-位取代基旋转自由的氧Weng盐化合物大,即在激发态时旋转受阻氧Weng盐化合物发生的分子内电荷转移能力较强;4-位取代基旋转自由的化合物的荧光量子产率随溶剂粘度的增大而有所增大,但旋转受阻化合物在相同的条件下则出现相 相似文献
994.
A novel Tb(Ⅲ) coordination polymer [Tb(bpapO2)2(NO3)3]n [bpapO2 = N2,N6- bi(pyridin-2-yl)pyridine-2,6-diamine-N,N'-dioxide-dioxide] has been synthesized and it exhibits terbium's characteristic fluorescent emission under UV radiation of 326 nm at room temperature. X-ray structural determination indicates that each terbium(Ⅲ) ion, centered in TbO8 core, connects to three adjacent coordinate centers via a bi-dentate ligand bpapO2, forming a one-dimensional coordination polymer. The compound crystallizes in the triclinic system, space group P1, with a = 11.2271(5), b = 11.7997(5), c = 14.8016(6) Ⅲ, α = 72.7060(10), β = 89.9630(10), γ = 66.7680(10)o, Z = 2, Dc = 1.822 g/cm3, V = 1705.14(13) Ⅲ3, F(000) = 932, the final R = 0.0340 and wR = 0.0669 for 4812 observed reflections with I 2σ(I). 相似文献
995.
去卤缩聚法合成蓝色电致发光聚合物聚(2,5—二庚基)对苯乙炔 总被引:1,自引:1,他引:1
利用双卤甲基苯衍生物在强碱诱导下的缩合反应,合成了共轭态可溶的聚对苯乙炔,并利用IR,UV-Vis,^1H-NMR,TGA等对聚合物结构与性能进行了有征,其Nn=0.48×10^4。电致发光器件的发光峰值波长为486nm,起亮电压为22V。 相似文献
996.
997.
采用单缝单针法测量电子枪束流的发射度。用可移动的宽0.1mm单缝取样,与缝平行的直径为0.1mm匀速运动的探针接收穿过狭缝的束流。 缝、针距离为59mm,角分辨率为3.4mrad,系统最大接收度为0.64cm·rad。缝、针间设有平行度调节装置,提高了测量精度;狭缝板设有水冷结构,可承受较大的束流功率,采用良好的屏蔽及合理的二次电子抑制结构,清晰地测出了10~(-10)A量级的弱信号电流。所测相图的相对误差约为8%。利用该装置方便地测得了电子枪高压、栅控脉冲电压、阴极温度、脉冲流强等不同条件下的发射度变化。 相似文献
998.
本文使用一般包络方程理论推导出轴对称电子束在傍轴近似下的稳态传输过程中的发射度变化公式。结果表明电子束发射度变化与引导磁场及离子通道电场无直接关系,而仅仅与电子束分布的变化有关;发射度变化的本质是电子束的静电势能和横向运动的动能之间的转换。本文的解析结果与数值模拟结果符合得相当好。本文还定性讨论了电子束平均正则角动量对发射度变化的影响。 相似文献
999.
由万宝集团超声电子研究所和广州市职工电子超声研究所共同研制的PM-81大功率发射型压电陶瓷材料及元件,于1989年9月20目在广州市市科委主持下通过了技术鉴定。鉴定会有来自上海、南京、武汉及广州等地的专家、教授等80多名代表参加。 在听取了各项有关报告、审查了全部鉴定技术文件并经充分讨论后,与会代表认为PM-81 大功率发射型压电材料性能优良,其压电与介电性能均达到国际同类材料(如美国Vernitron公司的PZT-8型及荷兰Philips公司的PXG-43型压电材料)80年代 相似文献
1000.