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51.
We report an analysis on the hardness behavior of glassy Se80?xTe20Snx alloy. The crucial thermo-mechanical parameters (micro-hardness, volume and formation energy of micro-voids and the modulus of elasticity) are examined. The results indicate that the thermo-mechanical parameters are changed significantly after incorporation of Sn in glassy Se80Te20 alloy. 相似文献
52.
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)方法,计算了六角晶系2H-PbI2晶体的电子结构、力学性质和硬度。采用局域密度近似(LDA)方法计算的晶格常数、带隙、弹性常数与实验值和理论值符合较好。计算表明,2H-PbI2是一种直接带隙的半导体,带隙大约为2。38eV。运用复杂晶体硬度计算公式计算了六角晶系2H-PbI2晶体的硬度,硬度值大约为2. 54 GPa。还发现2H-PbI2晶体的各向异性非常明显。 相似文献
53.
54.
介绍了纳米压痕测试技术的基础理论及纳米压痕法常用的Oliver -Pharr方法的计算原理。采用纳米压痕试验测得不同表面粗糙度的Li2O-Al2O3-SiO2微晶玻璃样品的纳米硬度、弹性模量和载荷-位移曲线。结果表明样品表面粗糙度会降低纳米压痕测试结果的稳定性、准确性和可靠性:样品表面粗糙度越小,测得的纳米硬度和弹性模量值波动越小,载荷-位移曲线重合性越高。随着最大载荷的增大,测得的弹性模量逐渐减小,其原因是压痕边缘材料发生了塑形变形。在超光滑表面样品(Ra=0.9 nm)上测得较为准确的Li2O-Al2O3-SiO2微晶玻璃纳米硬度和弹性模量值分别为8.8 GPa和7.79 GPa。纳米压痕测试结果的重合度对于评价超光滑表面完整性研究具有指导意义。 相似文献
55.
为了解决Cr12MoV钢溶蚀、表面碎裂等问题,利用Al-Ni、Nd-Ni粉末在Cr12MoV钢上进行激光熔覆实验,研究了Al、Nd对镍基覆层的宏微观形貌、组织及表面性能的影响。结果表明:Al可以减少熔覆层裂纹的产生,同时降低覆层硬度,使熔覆层中产生具有减磨作用的硬质相Al2O3等,降低覆层磨损量,14%Al覆层磨损量比2%Al的覆层磨损量低44.5%,Al较优质量分数为14%;Nd的晶粒细化作用明显,显著提升覆层显微硬度,2.5%Nd覆层平均硬度比基体平均硬度高36.8%,Nd较优质量分数为2.5%。 相似文献
56.
激光表面织构对不同材料干摩擦特性的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
采用环-块线接触摩擦磨损试验,研究了经激光处理后不同织构面密度的45钢和12Cr凹坑形织构试件的干摩擦磨损特性.借助高精度天平分析了试件磨损量,采用三维形貌仪和扫描电镜对试件表面形貌进行了分析.研究结果表明:激光表面织构化使得45钢试件表面形成可以改善摩擦性能的高硬度质点;在相同试验条件下,与无织构试件相比,45钢织构环试件磨损量明显降低,而12Cr织构环试件磨损量却有所升高;织构试件的磨损量在一定范围内随着织构面密度的增加而降低;激光织构化对摩擦系数的稳定值影响不大. 相似文献
57.
58.
通过量纲分析和有限元数值计算,对弹塑性材料在Berkovich压头作用下的压入响应进行了分析,揭示了Oliver与Pharr压入硬度与材料屈服强度和单轴强度之和间存在简单的近似函数关系.据此,材料的屈服强度和强度极限之和可以由压入测试获得,铝合金的拉伸与压入实验证实了上述近似函数关系的正确性.基于这一关系,不仅可以利用压入技术对材料强度水平进行直接比较,而且可以预测中低强度结构钢的疲劳极限.多种碳钢和热处理钢的疲劳实验数据验证了利用压入技术预测中低强度结构钢的疲劳极限的有效性. 相似文献
59.
应用循环伏安,恒电位阶跃和X射线衍射(XRD)等方法了Ni-W-P合金电沉积特点和镀层结构与显微硬度,结果表明,在以柠檬酸铵为配体的溶液中,Ni-W-P合金 层较Ni-W合金有较低的电化学活性,根据电位阶跃的i-t曲线分析表明,在玻碳电极上Ni-W-P合金电结晶过程遵从扩散控制瞬时成核三维成长模式进行,随着过电位的增加,电极表面上晶核数增多,XRD试验结果表明,Ni-W-P合金镀层呈现明显的非晶态特征,所获得的Ni-W-P合金电沉层的显微硬度在450kg.mm^-2左右。 相似文献
60.
射频磁控溅射法制备Cu3N薄膜及其性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用反应射频磁控溅射法,在氮气和氩气的混合气体氛围中,玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了混合气体中氮气分量对Cu3N薄膜的择优生长取向、平均晶粒尺寸、电阻率和光学带隙的影响.原子力显微镜,X射线衍射仪,四探针电阻仪,紫外可见光谱分析及纳米压痕仪等测试结果表明:薄膜由紧密排列的柱状晶粒构成,表面光滑致密;随着氮气分量的增加,Cu3N薄膜由沿(111)晶面择优生长转变为沿(100)晶面择优生长,晶粒尺寸变小,电阻率ρ从1.51×102Ω·cm逐渐增加到1.129×103Ω·cm;薄膜的光学带隙在1.34~1.75eV间变化;薄膜的硬度约为6.0GPa,残余模量约为108.3GPa. 相似文献