PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布,并运用过渡态方法计算了其激发能.结果表明:PbWO4晶体中WO3+VO缺陷的O2p→W5d跃迁可引起350nm和420nm附近的吸收,并且发现VPb的存在可以使WO42基团的禁带宽度明显变小 关键词： PbWO4晶体 密度泛函 氧空位和铅空位 态密度分布     

基于频域方法的三维物体分层重现

基于频域方法实现了数字记录和再现三维物体离轴全息图.通过频谱对应关系求得各个面的频谱分布,使用数字滤波方法,成功地消除了零级衍射和共轭像;通过改变再现距离,分别获取了三维物体各个截面的再现像.     

遥感傅里叶变换红外光谱的大气层析技术

遥感傅里叶变换红外光谱层析技术是一项新的气体分析技术，它可用于构造气体浓度峰图形，定量分析工业污染气体总释放量等方面，随着算法的不断优化，在重构气体在空间的分布方面，遥感傅里叶变换红外光谱层析技术正在不断成长。     

新型金属杂冠醚配合物18-MC-6[Mn6(4-Amashz)6(DMF)6]·12DMF的合成

合成了一种新型金属杂冠醚配合物[Mn6(4-amashz)6(DMF)6]·12DMF,并用X射线衍射法对其结构进行了表征.研究了该化合物修饰金电极催化氧还原的性质,结果表明,该化合物具有平面碟状结构,对在碱性溶液中的氧有显著的催化还原作用.     

氧碘化学激光气固相化学反应体系热力学分析

氧碘化学激光器（COIL）的发展已经到了提高系统安全性和工作环境适应性、降低系统复杂性阶段，而改进O2（^1△g）的产生方式和方法正是这个阶段的重要工作内容之一。近期，美国空军研究实验室运用气-固相反应方式产生O2（^1△g）。采用碱金属过氧化物或碱土金属过氧化物与卤化氢反应，生成O2（^1△g）。通常气一固相反应有着反应速度慢，接触面积小，反应产物难以脱出固体表面的缺陷，使得产出率低，而不被广泛采用。但随着表面化学研究的突飞猛进，借助表面活化分子，特殊性质的表面构造，大表面的构造，都为气一固相反应的进行提供了可行途径。如果此方法能用在氧碘激光器上，将克服传统方法的诸多不足。     

以“图形”为背景的数列综合题分类导析

以“图形”为背景的数列综合题,是典型的具有时代气息的信息迁移题,备受各级各类考试命题者的青睐,频频出现在各级各类考试卷中,常处于“压轴题”的地位,充当“把关题”的重要角色. 这类问题极富思考性、挑战性和趣味性,学生求解起来颇感困难,考试时经常弃而不管,令人惋惜! 下面采撷五道典型例题予以导析,旨在探索题型规律,揭示解题方法.一、以“装置图”为背景的数列综合题例 1　(郑州市高考模拟题 )如图 1所示是一个计算装置示意图,J1、J2 是数据入口,C是计算结果的出口. 计算过程是由J1、J2 分别输入自然数m和n,经过计算后得自然数…     

COIL中稀释气体对单态氧产率影响的实验研究

 利用自发Raman散射光谱对射流式氧发生器的单态氧产率进行了测试，研究了稀释气体对于发生器产率的影响，并分析了造成影响的原因     

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染     

Emittance Measurements for Beams Extracted from LECR3 Ion Source

High quality ion beams are required by IMP cyclotron and atomic physics research, so it is important to research and measure beam emitt ance of ECR ion source. Intense beams extracted from ECR ion source usually have low energy, so it is suitable to use Electric-Sweep Scanner to measure the emittance. This kind of measurement is popularly used at ECR ion source, and it has some prominent merits such as high accuracy, very short time of data processing and easy expressing of the emittance pattern. So we designed and built this emittance scanner to measure emittance of the ion beams produced by LECR3 ion source. The structure of the ESS is shown in Fig.l, and the photo of the ESS is shown in Fig.2.