Effects of V/III ratio on the growth of a-plane GaN films

The non-polar a-plane GaN is grown on an r-plane sapphire substrate directly without a buffer layer by metal-organic chemical vapour deposition and the effects of V/III ratio growth conditions are investigated. Atomic force microscopy results show that triangular pits are formed at a relatively high V/III ratio, while a relatively low V/III ratio can enhance the lateral growth rate along the c-axis direction. The higher V/III ratio leads to a high density of pits in comparison with the lower V/III ratio. The surface morphology is improved greatly by using a low V/III ratio of 500 and the roughness mean square of the surface is only 3.9 nm. The high resolution X-ray diffraction characterized crystal structural results show that the rocking curve full width at half maximum along the m axis decreases from 0.757° to 0.720°, while along the c axis increases from 0.220° to 0.251° with the V/III increasing from 500 μmol/min to 2000 μmol/min, which indicates that a relatively low V/III ratio is conducible to the c-axis growth of a-plane GaN.     

1047-nm all-solid-state laser based on Nd:LuLF

A compact all-solid-state continuous-wave (CW) laser at 1047 nm is developed based on Nd:LuLF, which is grown through the Czochralski technique. From the laser system, 1.3-W laser can be obtained, which corresponds to the slope efficiencies of 20.1% and 49.5% with respect to the incident and absorbed pump powers, respectively. To the best of our knowledge, this is the highest power level achieved at 1047 nm based on the Nd:LuLF crystal.     

以氟化锆为生长助剂制备硅酸锆晶须的研究

以无水四氯化锆为锆源,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,氟化锂为矿化剂,乙醇为溶剂,氟化锆为生长助剂,采用非水解溶胶-凝胶法于800℃制备出硅酸锆晶须,借助XRD、SEM和TEM等测试手段研究了热处理气氛、氟化锂用量、氟化锆的引入方式等工艺因素对硅酸锆晶须形成的影响。结果表明:与空气气氛相比,氮气气氛更加有利于硅酸锆晶体的一维择优生长;矿化剂用量过多或过少均不利于晶须的形成;氟化锆以外置的方式引入能获得直径为0.2~0.4μm,长径比达15~30,沿c轴方向择优生长的硅酸锆晶须。     

稀土元素对合金高温氧化的影响

研究表明在形成Cr2O3/Al2O3膜的合金内添加微量稀土元素,可促进Cr/Al的选择性氧化,改变Cr2O3/Al2O3膜的生长传质机制,降低氧化膜的生长速率并改善其粘附性,从而显著提高合金的抗高温氧化性能。然而,稀土元素对合金高温氧化行为的影响机制目前尚存争议。在系统归纳近年来前人研究成果的基础上,对已有稀土元素微观作用模型进行了总结,并从稀土元素对Cr2O3和Al2O3膜的生长传质机制和氧化膜及氧化膜与金属基体界面的物理、化学特性的影响等方面探讨了其作用机制。     

新形金纳米片的简单制备与生长机制

在室温(~30 ℃)条件下,氯金酸(HAuCl₄)均匀混合在粘稠的表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)胶体(水为溶剂)中,HAuCl₄可以被PVP还原,从而形成纳米片. 本工作中,通过调整晶体生长条件,成功合成了大量新形貌的单晶金纳米片(厚度数十纳米,尺寸为数个微米). 例如,在晶体生长初期阶段,通过引入温度变化(如降温10-20 ℃),形成的金纳米片主要是六角星形,并伴有盾状、内凹外凸的三角状、截角的、三叉的及多台阶等新形纳米片. 结合理论计算,阐明了金纳米片的生长机制：在一定条件下,金(111)晶面不仅可以沿着<110>方向生长成为常规的三角或六角纳米片,还可以沿<211>、<321>等不同方向生长成含有更高指数侧面的新形金纳米片.     

FeMn、FeMnNa和FeMnK催化剂上合成气制低碳烯烃的比较(英文)

研究了钠、钾助剂对FeMn合成低碳烯烃催化剂结构及性能的影响.低温N2吸附、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、H2程序升温还原(H2-TPR)、CO/CO2程序升温脱附(CO/CO2-TPD)、M?ssbauer谱和CO+H2反应的研究结果表明,增加Mn助剂含量促进了活性相的分散和低碳烯烃的生成,而过多锰助剂在催化剂表面的富集则降低了费托合成反应的CO转化率;钾助剂和钠助剂的加入均抑制了催化剂的还原并且促进了CO2和CO的吸附.比较还原后(H2/CO摩尔比为20)和反应后(H2/CO摩尔比为3.5)催化剂的体相结构可以发现,在FeMn、FeMnNa和FeMnK催化剂中,由于钾助剂的碱性和CO吸附能力较强,因此体相中FeCx的含量相对较高;而活性测试结果表明,FeMnNa催化剂拥有最好的CO转化率(96.2%)和低碳烯烃选择性(30.5%,摩尔分数).     

新形金纳米片的简单制备与生长机制

在室温(~30°C)条件下,氯金酸(HAuCl4)均匀混合在粘稠的表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)胶体(水为溶剂)中,HAuCl4可以被PVP还原,从而形成纳米片.本工作中,通过调整晶体生长条件,成功合成了大量新形貌的单晶金纳米片(厚度数十纳米,尺寸为数个微米).例如,在晶体生长初期阶段,通过引入温度变化(如降温10-20°C),形成的金纳米片主要是六角星形,并伴有盾状、内凹外凸的三角状、截角的、三叉的及多台阶等新形纳米片.结合理论计算,阐明了金纳米片的生长机制:在一定条件下,金(111)晶面不仅可以沿着110方向生长成为常规的三角或六角纳米片,还可以沿211、321等不同方向生长成含有更高指数侧面的新形金纳米片.     

硫氰酸盐沉淀滴定法测定太阳能电池用银浆中的银

我国的光伏发电产业近几年得到了迅猛发展,目前已成为世界太阳能电池的第一大生产国。在整个太阳能电池制作过程中,太阳能电池结构的合理设计、太阳能电池材料的外延生长和电池的后工艺制作是太阳能电池制作的3个最基本环节。太阳能电池正、背面电极的丝网印刷和烧制工序作为太阳能电池单体制作的最后一道工序,其材料的选择和条件的控制将直接影响着整个太阳能电池的各项性能。因此,作为这道工序必备材料的银电子浆料是     

气相色谱法测定润肤膏霜中肌醇的含量

肌醇分子式为C6H12O6,化学名称为环已六醇,别名肌糖、筋肉醇、纤维醇、环六甲烷醇等,是生物体内的一种必需的营养因子。其作为营养加强剂,已在食品、保健品、饲料中得到了广泛应用。由于其具有促进细胞生长和防止老化、抑制黑色素产生、防止雀斑生成、防止脱发、促进毛发再生的作用,近年来,肌醇开始应用于日用化妆品领域,已成为制造高级化妆品的重要原料之一[1]。目前,化妆品行业已实施的全成分标识进一步表明部分化妆品中添加了肌