40Ar+诱导无定形碳到金刚石纳米晶相变的研究

通过60 keV的⁴⁰Ar⁺辐照无定形碳靶合成了大量尺寸不同的金刚石纳米颗粒.高分辨透射电子显微镜配合能量色散X射线谱和电子衍射以及Raman谱分析的结果表明，这些嵌于具有扰动石墨结构薄膜中的纳米金刚石颗粒，其成核率很高(约为10¹³/cm²)，而且可以生长到较大的尺寸，有的甚至可以达到微米量级.对其相转变过程也进行了初步探讨. 关键词： 离子束 金刚石纳米晶 相变 透射电子显微镜     

光电变色器件用纳米晶氧化钛薄膜的微结构与特性

纳米晶TiO2薄膜在光电变色器件中具有很重要的作用。它的微结构直接影响染料的吸附、光的散射以及电荷输运的特性。因此，探索TiO2薄膜的微结构(如粒径、表面形貌和厚度等)及光电性能是非常有意义的。采用电子束蒸发工艺制备了光电变色器件用纳晶TiO2薄膜，利用原子力显微镜、X射线衍射、俄歇电子能谱等手段对纳米晶TiO2薄膜的表面形貌、结晶状态及组分进行了分析。从理论上研究和讨论了纳米晶TiO2薄膜晶粒尺寸对光电性能的影响，并用量子限制效应解释了吸收光谱峰值波长随粒径减小而发生蓝移的现象。     

非晶Nb-Ni合金晶化过程中紫外光电子能谱研究

本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb_100-xNi_x(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi₃价带谱中出现的双峰进行了讨论。 关键词：     

液晶研究（Ⅰ）──4＇－酰基－4－羟基－1，1＇－联苯酯类液晶的合成与性质

以４＇－羟基联苯为原料合成了８种新型４＇－酰基－４－羟基联苯酯类化合物．除化合物５＿ｈ外，均为新的近晶相液晶化合物．它们具有较宽的相变温度范围和较高的热稳定性．用偏光显微镜和差热分析仪研究了它们的相行为，讨论了分子结构对液晶相行为的影响．     

晶化温度对中孔分子筛（M41S）结构转变的影响

在低表面活性剂浓度及低表面活性剂与氧化硅比的条件下，研究了十六烷基三甲基溴化铵－硅酸钠体系中晶化温度对中孔分子筛Ｍ４１Ｓ材料结构转变的影响。结果有，晶化温度提高至１３５℃改变了原六方晶相ＭＣＭ－４１的结构，晶化温度提高到１５０℃后，中孔结构六方ＭＣＭ－４１晶格转变为变不稳定的层状相，     

Highly Effective Phenol Hydroxylation over Ti-ZSM-5 Catalyst Prepared Using B-ZSM-5 as Precursor 以B-ZSM-5为母体合成Ti-ZSM-5高效苯酚羟基化催化剂

 以改进方法合成的B-ZSM-5为母体,采用气固相同晶取代法合成了较小晶粒的Ti-ZSM-5分子筛. 考察了样品的物化性能和催化苯酚羟基化性能. 结果表明: 所合成的小晶粒Ti-ZSM-5具有较高的结晶度,尺寸为100~200 nm,且不含锐钛矿型TiO2,对苯酚羟基化反应的催化性能优异.     

高介电常数TiO2纳米晶的表面态研究

将钛酸四丁酯和硬脂酸在熔融状态下混合均匀后置于冷水浴中,使其凝固成凝胶,通过控制烧结过程中氧气的含量,成功地制备出粒度均匀、介电性能好的纳米晶TiO2.通过采用X射线光电子能谱和表面光电压谱对纳米晶TiO2表面状态的分析发现,材料表面存在大量的氧空位缺陷,暴露在粒子表面上的主要是一些金属Ti4+.纳米材料的这种表面状态对其极化性质具有重要的影响,使其在接近静态条件下的低频介电常数远大于常规材料的介电常数.     

溴原子取代对二茂铁液晶化合物介晶性的影响

二茂铁液晶因其独特的稳定性和易于衍生化受到研究人员的青睐[1- 8] 。我们曾经报道过一类单取代二茂铁液晶的合成与介晶性[9] 。这里我们报道另外一类二茂铁单取代液晶 ,并对分子的长度、溴原子取代对介晶性的影响进行探讨。合成路线如下 :1　实验部分ＢｒｕｃｋｅｒＡＣＥ -2 0 0ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ,ＣＤＣｌ3作溶剂。ＮｉｃｏｌｅｔＭａｇｎａ-ＩＲ 5 0 0Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ,ＳｅｒｉｅｓⅡ ,ＫＢｒ压片。ＷＲＳ -ＩＡ ,ＣａｒｌｏＥｒｂａ 1 1 0ｂ。Ｐｅｒｋｉｎ -Ｅｌｍｅｒ 7Ｓｅｒｉｅｓ热分析仪 ,分温速度 1 0℃ /ｍｉ…     

晶性3，4－聚异戊二烯的结构研究

采用ＷＡＸＤ、ＳＡＸＳ和Ｘ－射线平板照相法研究了不同聚合条件和拉伸倍数下的晶性３，４－聚异戊二烯的结构．结果发现，降低催化体系反应速度有利于产物结晶；不同的含氮类给电子试剂对聚合物的结晶结构影响较大．取向样品随着拉伸倍数的增加结晶度和长周期增大，微晶尺寸变小．ＳＡＸＳ的散射强度计算表明，该聚合物属多分散非均一粒子体系，微孔半径在３．５－１６．４ｎｍ间．