用于非接触温度测量的装置

本发明涉及用于非接触温度测量装置，它包括一个探测器，从被测物体上的一个受测点辐射的电磁辐射可以利用成像光学器件成象于其上。它还具有一个瞄准装置，用来识别被测物体上的受测点的位置和／或尺寸，该瞄准装置包含用来提供至少两个瞄准光束的光源，其中，在一个经济和可靠的实施例中，为各瞄准光束的生成提供一个独立的光源。     

连续一级反应的热动力学研究

本文把时间比法引入热动力学研究,建立了连续一级反应的热动力学研究法,并用来研究了一个连续反应体系的热动力学,验证了该方法的正确性.     

可恢复相干性中心自旋模型结构设计及精确动力学

中心自旋不可避免地与周围核自旋发生相互作用,发生退相干,这也是量子信息和量子计算领域长久以来面临的严峻挑战之一。我们提出了一种可以完美且长久保持中心自旋量子位相干性的结构,该结构由一个自旋-1/2中心自旋通过XXZ型超精细相互作用耦合上一个由非均匀耦合相互作用的自旋链构成,其在中心自旋为叠加态、浴自旋为反铁磁态为初态及浴内为较强耦合的情况下,中心自旋可近似维持原有相干性,进一步去除xy方向超精细耦合,可完美保持相干性。中心自旋作量子位,将此结构应用于量子计算,或可实现无损耗量子计算。我们用浴自旋模拟环境,应用基于XX链中自旋算符矩阵元解析表示的运动方程方法,系统地研究了环境对于中心自旋退相干动力学的影响,着重研究了浴自旋间非均匀耦合影响下的中心自旋相干因子的动力学特性。在从最小到最大调控浴自旋间非均匀耦合过程中,中心自旋相干动力学大致呈现出了六个阶段,展现了丰富的量子动力学特性,并为日后研究中心自旋动力学提供了两个重要参考标志：相干因子的长时平均值的极值可以作为区分不同相的标志;相干因子长时演化的平衡可以作为竞争平衡中耦合关系对等或之间的倍数关系的标志。     

信息时代的铌酸锂晶体:进展与展望

铌酸锂晶体具有非线性效应、电光效应、声光效应、光折变效应、压电效应与热释电效应等多种物理特性,在表面声波器件、光电器件、声光器件等方面获得广泛的应用.经历了六十多年的发展,铌酸锂晶体历久弥新,随着材料特性的不断开发,新功能、新器件、新应用层出不穷,尤其是铌酸锂单晶薄膜在薄膜滤波器、集成光电器件等领域的性能具有明显优势,...     

热弹性方程的快速增长或衰减估计

考虑了定义在三维球体外部区域上的Ⅲ型热弹性方程,其中假设方程的解在球体边界上满足一定的边界条件.通过对边界条件做出一定约束之后,在能量表达式中设置一个任意的大于零的参数,利用能量分析法和微分不等式技术,获得了解随距原点的距离的快速增长率或衰减率.在衰减的情况下,证明了解对系数的连续依赖性.     

3D-ASL评估慢性期脑梗死脑血流量及与认知功能的相关性

本文研究了3D动脉自旋标记灌注成像(3D-ASL)评估慢性期脑梗死脑血流量(CBF)及与认知功能的相关性。选取64例慢性期脑梗死患者作为慢性期组,同时选取60例急性期脑梗死患者作为急性期组,50例亚急性期脑梗死患者作为亚急性期组,比较三组患侧及健侧CBF、相对脑血流量(rCBF)差异。慢性期组患侧CBF、rCBF明显低于亚急性期组和急性期组(P<0.05)。慢性期组患者简易智能精神状态量表(MMSE)评分、蒙特利尔认知评估量表(MoCA)评分和Fugl-Meyer评分明显低于亚急性期组和急性期组(P<0.05)。患侧CBF、rCBF与MMSE评分、MoCA评分呈正相关(P<0.05)。经Logistic回归分析显示：年龄、糖尿病、患侧CBF和rCBF是慢性期脑梗死患者发生认知功能障碍的影响因素(P<0.05)。慢性期脑梗死患者CBF与患者认知功能相关,3D-ASL评估CBF有助于了解慢性期脑梗死患者认知功能受损情况。     

DMF体系中Cu2O球晶的制备及形貌分析

以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,通过改变铜源和表面活性剂,调控反应参数,溶剂热条件下制备了三维十字形、空心及实心的Cu₂O球晶。利用XRD、SEM等表征手段,分析探讨了工艺条件变化对Cu₂O球晶形貌的影响。研究表明,随着DMF浓度的增大,体系的还原能力增强,Cu⁺增多,溶液的过饱和度增大,Cu₂O晶体集合体形态由晶体结构控制的各向异性与对称性的球晶逐渐向各向同性球晶演变。十二烷基硫酸钠(SDS)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等表面活性剂有助于降低溶液的过饱和度,增加结晶质的表面扩散能力,有利于规则形态Cu₂O晶粒的形成。反应体系中,Cu(Ac)₂·H₂O水解生成的羧基与DMF中的甲酰基在高温下发生脱羧反应产生CO₂气体以及SDS发泡作用产生的气体是形成空心Cu₂O球晶的重要原因。     

ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰。     

溶剂热法合成CoS2纳米粉体

本文采用溶剂热法,以CoCl2·6H2O 、Na2S·9H2O为原料,乙二醇和无水乙醇为溶剂,在180 ℃恒温下制备出CoS2纳米粉体.用XRD和SEM、TEM对其组成、粒径大小、表面形貌进行表征,用VSM对其铁磁性进行测量.结果表明, 制得的CoS2为粒度均匀、粒径分布在10～50nm之间的球形铁磁性纳米材料.