红外光谱法研究含CeSt3的LDPE膜紫外光氧降解

报道了硬脂酸铈（ＣｅＳｔ_３）、及其在各种浓度、或不同温度、或延长贮放时间下含ＣｅＳｔ_３的低密度聚乙烯（ＬＤＰＥ）膜紫外光氧化降解过程的红外光谱。结果表明，只要在ＬＤＰＥ膜中加入０．１ｗｔ＋％～０．３ｗｔ＋％ＣｅＳｔ_３光敏剂，即可控光降解ＬＤＰＥ膜的寿命。     

高纯氧化钆中14种稀土杂质元素的柱色谱分离ICP-AES法测定

用Ｐ５０７萃淋树脂柱色谱法分离高纯氧化钆基体与稀土杂质。用ＩＣＰ－ＡＥＳ法测定高纯氧化钆中微量稀土杂质。选择了柱色谱分离的合适条件。优化了仪器测定参数。使本方法测定稀土总量下限小于１×１０－５％。可以满足９９．９９９９％高纯氧化钆的测定。此方法回收率在８５％－１１０％之间。相对标准偏差小于１８％。     

添加助剂的钙钛矿型氧化物NdMO_3上的甲烷氧化偶联——Ⅱ.15% Li_2O/NdMO_3(M=Cr、Mn、Fe、Co、Ni)上的OCM反应研究

在添加了15%Li_2O的NdMO_3(M=Cr、Mn、Fe、Co、Ni)上进行了甲烷氧化偶联(OCM)反应研究.通过改变反应气中CH_4:O_2浓度比,在氧化态和“脱氧态”催化剂上的CH_4脉冲反应,探讨了表面吸附氧和晶格氧在OCM反应中的作用以及NdMO_3中不同金属离子(M)对OCM反应活性的影响等.     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

荧光光度法直接测定高纯氧化钕中的痕量镨和铈

使用Ｐ－ＥＬＳ５０荧光光谱仪，在盐酸介质中，用同一激发波长激发，分别测定Ｐｒ（Ⅲ）（ｎｍ）和Ｃｅ（Ⅲ）（３５６ｎｍ）发射峰强度。     

Nd2O3掺杂对SnO2气敏性质的影响

SnO_2是目前应用最广的一种气敏材料。我们曾经报道掺入La_2O_3,CeO_2,Pr_6O_(11),和Nd_2O_3后可使半导体元件的灵敏度提高,尤以对乙醇、乙醚、丙酮为显著。掺Nd_2O_3元件对乙炔的灵敏度也有提高。本文考察了SnO_2粒度和被测气氛的物化性质对掺Nd_2O_3元件灵敏度的影响。SnO_2采用水解SnCl_4法制备,纯度经光谱分析测定合格,试样用标准筛分目。在SnO_2中加1wt%Nd_2O_3(光谱纯)和适量水及甲基纤维素,混磨15分钟。将制成的悬浊液滴在一对铂     

铁硅酸盐分子筛乙苯氧化脱氢催化性能研究：I.催化剂的表征及反应温…

本文合成了五种不同Ｓｉ／Ｆｅ比的Ｆｅ－ＺＳＭ－５分子筛，并进行了离子交换改性。ＸＲＤ和ＩＲ谱测试均表明Ｆｅ进入了分子筛骨架。用连续流动法考察了反应温度、ＥＢ／Ｏ２比对乙苯氧化脱氢活性的影响。结果表明，在８２３Ｋ和ＥＢ／Ｏ２＝１的条件下苯乙烯有最大收率。