化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.     

Y=θ1＋g（T）＋ε的二阶渐近有效性

对半参数线性模型Y=θ_1 g(T) ε根据PMLE作者构造了θ_1的二阶渐近有效估计,这里T和ε独立,g(·)和θ_1未知,ε的分布密度已知且均值为0方差是δ~2。     

核内核子-核子弹性散射截面

通过对标量、矢量介子场引入动量-密度相关的耦合常数,能够同时重现核物质饱和态性质、能量依赖的相对论光学势以及核内核子平均自由程的实验结果.并用这套耦合常数计算了核内核子-核子弹性散射截面,结果表明,在某些能量区域密度依赖很明显而必须加以考虑.     

Double-Humped Transverse Density Profile in Two-Dimensional Chute Flow with Rough Sidewalls

We study a two-dimensional granular rapid flow with rough sidewalls stuck with the same size discs by molecular dynamics simulation. A transient state of the double-humped density profile in the flowing process has been found, which appears and moves as travelling wave and is the same as the phenomena in the recent experiments [Acta Phys. Sin. 53 （2004） 3389 （in Chinese）]. Our simulation shows that the rough sidewalls play an important role in the converting momentum of boundary discs from the vertical direction to the horizontal one through particle collisions to form this profile and the good elasticity of discs ensures this effect. The appearance of the double-humped profile may be a precursor, which determines if the whole flow will be far repulsed from the boundary and become dilute eventually.     

完全连接依赖及其有效公理系统的研究与应用

关系数据库理论中给出的完全连接依赖的有效公理系统并不能完全适应应用的需要，本文在对有效公理系统的研究基础上对其作出扩充，使其应用范围更为广泛，并能直接用于找出蕴含的所有连接依赖及判断连接 依赖是否存在推导有向无回路图DAG。     

BRILL－NOETHER MATRIX FOR RANK TWO VECTOR BUNDLES

Lei X be an arbitrary smooth irreducible complex projective curve, E (?) X a rank two vector bundle generated by its sections. The author first represents E as a triple {D1,D2,f}, where D1 , D2 are two effective divisors with d = deg(D1) + deg(D2), and f ∈ H0(X, [D1] |D2) is a collection of polynomials. E is the extension of [D2] by [D1] which is determined by f. By using f and the Brill-Noether matrix of D1 + D2, the author constructs a 2g X d matrix WE whose zero space gives Im{H0(X,[D1]) (?) H0(X, [D1] |D1)}(?)Im{H0(X, E) (?) H0(X,[D2]) (?) H0(X,[D2] |D2)}. From this and H0(X,E) = H0(X, [D1]) (?) Im{H0(X, E) (?) H0(X, [D2])}, it is got in particular that dimH0(X, E) = deg(E) - rank(WE) + 2.     

两样本队列半数生存期检验:反射和检基统计量

依据反射或检基原理，本文提出用于截尾资料的两样本队列半数生存期（ＣＨＬ）检验．两样本合并ＣＨＬ经指数内插取自Ｋａｐｌａｎ－Ｍｅｉｅｒ或Ｂｅｒｋｓｏｎ－Ｇａｇｅ估计值．连续性校正，经以有效样本容量取代样本容量，扩展自Ｙａｔｅｓ校正．合并标准误来自同源性生存率方差估计值，后者经有效样本容量扩展自二项分布方差．无截尾时，这些统计量还原为经典中位数检验．与反射统计量相比，检基统计量具有更高的功效．附有工作实例描述其临床应用．     

二层多目标规划的最优性条件

本文在集值优化的框架下提出了一个二层多目标规划模型（BLMOP）.利用集值映射的相依导数和相依上导数,给出了几个有关（BLMOP）的弱有效解的必要或充分最优性条件.     

负离子全金属团簇Ga4^2-的芳香性的从头算理论研究

运用密度泛函理论的三种方法(B3LYP、B3PW91、PW91PW91)与Mφller-plesset二级微扰方法(MP2)和极化分裂阶基基组6-311 G(3df)，对二阶负离子全金属团簇Ga4^2-与多种一阶负离子团簇MGa4^-(M=Li、Na、Cu)稳定构型与振动频率作了计算，其中二阶负离子全金属团簇Ga4^2-最稳定的构型是正方形结构(D4h)。接着，从团簇结构、非局域π电子数目、分子轨道图形和Ga4^2-同MGa4^-在结构与谐振频率、谐振模式的对比等多方面论述了Ga4^2-正方形结构(D4h)的芳香性特征。     

电感储能功率调节装置小型化设计

介绍了电感储能功率调节装置的小型化结构设计，以及装置在高电压大电流条件下绝缘性能的优化设计。在以电容器（2μF、充电电压62kV)为初始能源条件下，在80Ω电阻负载上获得电压大于700kV、脉宽大于100ns、前沿小于50ns的脉冲输出，性能稳定可靠。