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991.
依赖强度耦合J—C模型场熵的演化 总被引:12,自引:2,他引:10
研究了依赖强度耦合J-C模型场熵演化的动力学特性,考察了原子相干性对场熵演化的影响。 相似文献
992.
Cr,Tm:YAG晶体中的能量转移 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对Cr:YAG、Tm:YAG和Cr,Tm:YAG晶体吸收光谱和发射光谱的比较,研究了Cr,Tm:YAG晶体中的能量转移过程.指出Cr3+→Tm3+能量转移过程中,无辐射能量转移占绝对优势. 相似文献
993.
994.
A New Kind of Buffer Layer of TiO2 Self—Assembled Material in Organic Electroluminescent Devices
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A new kind of TiO2 self-assembled nanometre material has been fabricated and is used as a hole-injecting buffer layer in organic electroluminescent devices.The luminance and the efficiency of a devicy individually rises from 1500cd/m^2 to 5000cd/m^2 and from 2.0cd/.A to 3.92cd/A at the current density of 100mA/cm^2.The enhancements in brightness and efficiency are attributed to an improved balance of hole and electron injections due to blocking of the injected holes by the buffer layer and a more homogeneous adhesion of the hloe transprting layer to the anode. 相似文献
995.
高速粒子场同轴Fraunhofer全息数据处理系统研究 总被引:3,自引:3,他引:0
介绍了用同轴Fraunhofer全息测量强动载下材料表面微喷射粒子场的数据处理方法.在全息像重建过程中,将再现的三维粒子场由计算机控制分成许多小薄层采集.在数据处理过程中根据图像中粒子边缘,决定在整幅图或局部采用边缘检测的方法提取大粒子,根据图像的灰度分布将图像分成很多小区域,在每个小区域采用不同的阈值分割图像.在处理结果的校正中根据粒子场的特点,去除过大、过小和重复统计粒子.采用该方法得到了粒子的空间分布图像及粒子大小的统计结果. 相似文献
996.
首先推出了铁磁晶体在弱外场作用下定态磁化参量,用斜率比较法分析了直接影响磁化取向的参量-平均场的取值情况,讨论了弱外场对定态磁化参量的影响机制,结果发现:①在弱外场较小时,系统与无外场时的情况类似,也有两个稳定取向和一个不稳定取向;如弱外场约大于自旋相互作用,则系统只有一个沿外场方向的稳定取向;②在外场比较弱的情况下,平均场可表示为外场的线性关系;③当平均场取下值点时,所有的N+和N-随弱外场变化的两条曲线相交于坐标轴的左边,磁化强度比的零点左移,外施磁场越大,交点越趋近于A点;当平均场取上值点时,所有的N+和N-随弱外场变化的两条曲线相交于坐标轴的右边,磁化强度比的零点右移,外施磁场越大,交点越趋近于A点. 相似文献
997.
Influence of Thickness of Field Emission Characteristics of Nanometre Boron Nitride Thin Films
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GUGuang-Rui LIYing-Ai TAOYan-Chun HEZhi LIJun-Jie YINHong LIWei-Qing ZHAOYong-Nian 《中国物理快报》2003,20(6):947-949
Nanometre boron nitride (BN) thin films with various thickness (54-135nm) were prepared on Si(100) by rf magnetic sputtering physical vapour deposition. The field emission characteristics of the BN thin films were measured in an ultrahigh vacuum system. A threshold electric field of 11V/μm and the highest emission current density of 240μA/cm^2 at an electric field of 23V/μm were obtained for the about 54-nm-thick BN film. The threshold electric field increases with increasing the thickness in the nanometre range. The Fowler-Nordheim plots show that electrons were emitted from BN to vacuum by tunnelling through the potential barrier at the surface of BN thin films. 相似文献
998.
晶体中隐含的半群结构 总被引:1,自引:0,他引:1
序列性和莫比吾思反演已应用到物理中各类逆问题,诸如黑体辐射逆问题、比热逆问题和各类费米体系逆问题.文章要介绍这种方法对提取体材料中原子相互作用势的结合能逆问题的应用,以及对提取界面两侧原子间相互作用势的界面粘结能逆问题的应用.这些方法的关键是要发现对象体系中的半群结构. 相似文献
999.
1000.