六方柱与六角片状CdS晶体的水热法生长

本研究工作先用CdCl2和S粉在120℃碱性水溶液中合成了CdS粉末前驱体,再以NaOH为矿化剂,不同的水热条件下分别生长了六方柱和六角片状的CdS晶体。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）及晶体显微照片对产物进行了表征,并分别探讨了水热条件与晶体形貌、六角片状晶体的大小与生长条件之间的关系。     

水稻谷胱甘肽磷脂氢过氧化物酶的表达、纯化及晶体生长条件初筛

将水稻PHGPx(OsPHGPx)的编码序列克隆到表达载体pGEX-6P-1上, 并转化为大肠杆菌进行表达. 通过GST亲和层析、离子交换层析和凝胶过滤层析, 制备了可用于晶体学研究的OsPHGPx, 其纯度超过95%, 具备明显的PHGPx活性. 质谱显示OsPHGPx的精确分子量为19642.5553, 与理论分子量基本一致. OsPHGPx在多个晶体生长条件下出现微晶. 三维结构同源建模显示 OsPHGPx的结构为硫氧还蛋白折叠形式.     

聚(4-乙烯基吡啶)诱导一步法合成纺锤形钨酸钡晶体

利用高分子量的含氮杂环聚合物聚(4-乙烯基吡啶)(P4VP)作为模板合成了纺锤形钨酸钡晶体,为制备形貌可控的钨酸钡晶体提供了一种简单、条件温和、容易控制的方法.用扫描电镜、透射电镜及X-射线衍射等手段研究了钨酸钡晶体的晶型及形貌.并讨论了P4VP的浓度、溶液离子浓度、pH值等因素对钨酸钡晶体形貌的影响.     

典型非线性光学晶体生长方法综述

非线性光学晶体具有多种生长方法,每种方法都有其独特的优势和适用的晶体,通过了解典型非线性光学晶体生长方法的特点,可以确定采用哪种方法获得高质量的晶体,达到预期的目的.本文主要对典型非线性光学晶体生长方法进行相关介绍,如水热法生长KTP晶体、水溶液法生长KDP晶体、有机溶液法生长DAST晶体、高温溶液法生长BBO、LBO、KBBF等晶体、泡生法生长CBO晶体、提拉法生长LiNbO3晶体、布里奇曼法生长CdSiP2、ZnGeP2、BaGa4 Se7等晶体,阐述典型非线性光学晶体的原料、溶液配制、温度压力的控制等实验制备条件,展示所生长出的晶体样品.通过对上述方法总结,为今后的晶体生长方法选取提供借鉴.     

中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长

本文以P,Si,Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭,分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出φ12 mm×40 mm和φ15 mm×50 mm优质CdSiP单晶体.所生长的晶体中无宏观散射颗粒,(004)面的单晶摇摆曲线的半峰宽为40".透过光谱表明CdSiP2晶体在2～6.5tμm的透过率达到57;,接近其理论最大值.辉光放电质谱检测到晶体中含有少量的Fe、Cr、Mn、Ti等过渡金属.电子顺磁共振波谱检测到Fe+和Mn2的存在,这些杂质可能会引起晶体在近红外波段的光学吸收.     

大尺寸红外非线性光学晶体LiInSe2的生长与退火研究

硒铟锂(LiInSe2,LISe)晶体在长波红外激光领域有重要应用价值.目前高质量、大尺寸LISe晶体的稳定生长仍然面临挑战,通过气氛退火后处理工艺能够有效提高晶体光学质量.本文采用定向籽晶垂直布里奇曼法,通过精确控制籽晶熔接,实现大尺寸(φ40 mm×60 mm)LISe晶体的批量稳定制备,为目前国际上报道的最大尺寸LISe晶体.另外,系统探索了LISe晶体的退火工艺,研究表明在740℃、LISe本征气氛下退火150 h,可以明显提高LISe晶体器件光学质量.     

基于铈钆共掺杂YAG单晶荧光片的高光效白光LED

为了满足高功率白光发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)对荧光体的高性能要求,对白光LED用Cex Gd:YAG单晶荧光材料的制备和光学、电学、热学特性进行了研究.采用提拉法生长了CexGd:YAG(x=0.02,0.04,0.06,0.08)单晶,并借助于X射线衍射(XRD)、吸收光谱、发射光谱等对晶体的光谱特性进行了表征,同时也测试分析了相对荧光强度随温度的变化关系、基于不同Ce3+浓度Cex Gd:YAG单晶的白光LED性能参数.结果表明Cex Gd:YAG单晶在450 nm的蓝光激发下,产生一个500～650 nm的宽峰发射,在100℃高温下,其荧光光强比商用荧光体粉末高出10;.当Ce3+浓度为6;时,采用Cex Gd:YAG单晶荧光片的白光LED光效高达153 lm/W,是Ce:YAG和树脂荧光材料白光LED的两倍多.Cex Gd:YAG单晶荧光片,具有更高更稳定的荧光光强,制作的白光LED光效有明显提升,有望成为新型的商用荧光体.     

生长硼酸铝钕晶体的高温溶液体系的挥发动力学

用热天平法在不同的恒温温度,时间和降温速度条件下测定了助熔剂体系K~2SO~4-MoC~3和晶体生长体系Nd~2O~3-Al~2O~3-H~3BO~3-K~2SO~4-MoO~3的溶剂挥发情况,提出了挥发一级动力学模型,并用方程的近似解对挥发过程进行了解析,取得了与实验一致的结果.在恒温条件下,相对挥发量与挥发时间成正比,挥发速率常数与温度关系遵从Arrhenius方法,求得的溶剂体系的挥发活化能为18.7kJ.mol^-1.在匀速降温条件下,整个挥发过程的规律取决于挥发温度函数f(x)0f(x)可以从恒温热重分析或变温热重分析实验中求得.     

K2Ln(NO3)5·2H2O(Ln=Pr,Nd)的晶体结构和非线性光学性质

本文采用水溶液中生长晶体的方法合成了ＫＬｎＮ的单晶,研究了ＫＰｒＮ的单晶结构及ＫＬｎＮ的非线性光学性质。ＫＬｎＮ均属正交晶系,Ｆｄｄ２空间群。ＫＰｒＮ的晶胞参数为：ａ＝２．１４１１（３）ｎｍ,ｂ＝１．２２１０（１０）ｎｍ,ｃ＝１．２２０８（２）ｎｍ,Ｚ＝６,Ｒ＝０．０２４０,ＫＬｎＮ（Ｌｎ＝Ｐｒ,Ｎｄ）的二次谐波光强与ＫＬｎＮ处于同样的数量级。     

LiNbO3:Cr:ZnO晶体生长和光谱特性的研究

采用提拉法从近化学计量比的熔体中生长出尺寸为φ20 mm×50 mm的优质LiNbO3:Cr:ZnO(CZLN)晶体,其光学均匀度为7.59(10-5).进行了吸收和荧光光谱的测定研究.吸收谱测试表明:Cr3 离子在晶体中有2个宽且强的吸收带及1个微弱的吸收线,两宽带中心波长分别为480和660 nm,对应于4A2→4T1和4A2→4T2两个具有相同的总自旋能级之间的跃迁,在4A2→4T2吸收宽带的长波边缘处有个很小的吸收峰,其波长为727nm,对应于4A2→2E(R线)的跃迁.荧光测试表明:当激发波长为660 nm时,CZLN晶体荧光宽带和1个较弱的荧光线峰并存,宽带范围为802～988 nm,峰值波长为871 nm,对应于4T2→2E,4A2的联合能级跃迁,荧光线峰波长约为754 nm,其强度较弱,相应于2E→4A2(零声子线)能级跃迁.计算了晶场强度和Racah参数,其Dq/B=2.72,晶体属于强场介质.研究表明,CZLN晶体具备可调谐激光晶体的基本光谱要求,且有良好的物化性能,可以实现宽频带可调谐激光输出.它又具有较大的倍频系数,有望实现420 nm附近紫外的自倍频激光输出.