线性复值随机跳跃——扩散方程隐Miltein格式的渐近稳定性

给出了线性复值随机跳跃－扩散方程隐Ｍｉｌｔｅｉｎ格式的渐近均方的必要条件，并揭示了离散步长的稳定区域与格式隐性之间的关系。     

在局部区域上的奇摄动反应扩散方程初始边值问题

本文是讨论一类在局部区域上的奇摄动反应扩散初始边值问题.利用算子理论和 不动点原理,得到了相应问题解的存在性和唯一性.     

非线性时滞反应扩散方程组的奇摄动

本文研究了一类奇摄动非线性时滞反应扩散方程组,利用微分不等式方法,得到了解的一致有效的渐近展开式.     

AN ESTIMATE ON THE DISTRIBUTION AND MOMENTS OF THE LAST EXIT TIME OF AN ELLIPTIC DIFFUSION PROCESS

Let LB be the last exit time from a compact set B of an elliptic diffusion process X. A moderate estimate for the distribution of LB is obtained, and the sufficient and necessary condition for Ex(LBk)<∞is proved.     

Positive Steady States of a Prey-predator Model with Diffusion and Non-monotone Conversion Rate

In this paper, we study the positive steady states of a prey-predator model with diffusion throughout and a non-monotone conversion rate under the homogeneous Dirichlet boundary condition. We obtain some results of the existence and non-existence of positive steady states. The stability and uniqueness of positive steady states are also discussed.     

对流扩散方程带罚函数项的有限体积格式及其分析

1引言 有限体积方法[l]一l’]作为守恒型的离散技术，被广泛应用于工程计算领域.文【2，3} 基于分片常数和分片常向量函数空间，对二维驻定对流扩散方程提出了一类非协调混合 有限体积(Covolume)格式，证明了格式具有。(hl/2)收敛精度.但该格式要求对偶剖分 比较规则，即采用重     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

有限步扩散反应置限分形聚集

综合考虑扩散粒子浓度n、粒子扩散限制范围Δ、扩散粒子与种粒子或团簇相遇时，反应概率P及粒子扩散步数W的影响，提出了有限步扩散反应置限聚集的分形生长模型，模拟得到一系列典型的聚集生长图形，计算了相应的分形维数.结果表明，在粒子浓度n较小时，呈离散团簇状生长；而在粒子浓度较大时，则随反应概率P或粒子扩散步数W的增大，从离散团簇状生长转变为连续枝叉状生长. 关键词：     

非线性退缩反应扩散方程组的整体解

本文讨论非线性退缩方程组u_it=△η_i(u_i)+f_i(x,t,u₁,…,u_N),(x,t)∈Q_T=Ω×(0,T)具有Dirichlet边界条件的解之整体存在和非整体存在.     

频率受随机过程调制的体系中的光谱扩散

通过在Bloch方程中增加描述对频率微扰的随机过程项{ω(t)},我们讨论了系统在窄谱带的光激发后的光谱扩散。特别是以下两种情况:1)如果ω以相同的概率变化为系综中的任一ω’,光谱是一个指数式衰减的定域峰和指数式增长的动态非均匀背底的叠加。2)如果ω'到ω的概率仅与|ω’-ω|有关,非定域峰随时间变宽。作为一个例子,我们讨论了频率受多个独立随机电报过程调制的系统中的光谱扩散。