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101.
锂离子电池Sn-Co-Zn合金负极材料电沉积及其储锂性能 总被引:1,自引:0,他引:1
运用电沉积技术制备出Sn-Co-Zn合金电极材料.采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了该合金材料的相结构和表面形貌.通过循环伏安和电位阶跃实验研究了Sn-Co-Zn合金的电沉积机理,实验表明,Sn-Co-Zn合金电沉积按扩散控制连续成核和三维生长方式进行.XRD结果表明,该合金由CoSn3、Co3Sn2和Zn组成.电化学性能测试表明:Sn-Co-Zn合金电极首次放电(脱锂)容量达751mAh·g-1,首次循环的库仑效率为88%;30周循环之后放电容量为510mAh·g-1.该Sn-Co-Zn合金电极良好的电化学储锂性能可能归因于材料的多相结构. 相似文献
102.
聚醚醚酮及其碳纤维复合材料——恒温结晶动力学的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
本文研究了聚醚醚酮(PEEK)和以PEEK树脂为基体的碳纤维复合材料(APC-2)在恒温条件下的结晶行为。采用差示扫描量热仪(DSC)测定从熔体和橡胶体结晶过程中热焓的变化。利用Avrami方程分析了PEEK和APC-2试样的恒温结晶动力学。PEEK从熔体和橡胶体结晶的活化能分别为532.1和531.7KJ/mol,Avrami指数的平均值分别为5.0和3.9;而APC-2则分别为444.2和432.5KJ/mol,3.5和2.3。这些实验结果表明,APC-2试样中碳纤维表面对PEEK树脂基体具有显著的成核作用,能降低其结晶活化能,因而导致PEEK树脂基体结晶速率加快和促进其结晶更加完整。 相似文献
103.
本文对在抛光铜衬底上通过填隙法制备的高质量石墨烯薄膜进行了详细研究.在电化学机械抛光后的铜衬底上制备石墨烯晶畴,降低了晶畴的成核密度.利用光学显微镜和扫描电子显微镜对抛光铜衬底和未抛光铜衬底上制备的石墨烯晶畴进行测试,测试结果表明,铜衬底的表面形态对于降低石墨烯的成核密度,增大石墨烯晶畴的尺寸起到了至关重要的作用.利用拉曼面扫描证明了所制备的石墨烯晶畴为单层、均匀的石墨烯晶畴.然后,通过填隙法在抛光铜衬底上制备出由大尺寸单层的六边形石墨烯晶畴组成的石墨烯连续薄膜,并且通过流程示意图解释了填隙法制备高质量石墨烯薄膜的过程.本文所提出的在抛光铜衬底上通过填隙法制备石墨烯薄膜的技术,能够有效提高石墨烯薄膜的质量,进而有效改善石墨烯基电子器件的性能. 相似文献
104.
非金刚石衬底表面气相生长金刚石薄膜的成核理论(Ⅱ):宏观粗糙表面衬底 总被引:2,自引:1,他引:2
本文在文献[1]基础上,建立了在低压气相生长金刚石薄膜过程,金刚石在宏观粗糙的非金刚石衬底表面上的成核理论。该理论不仅合理地解释了实验上发现的缺陷对扩散原子的加速聚集作用,而且给出了微蚀坑对缺陷成核破坏的物理机制,这已被实验所验证。 相似文献
105.
巴基管涂层金刚石薄膜的成核率与生长速率研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对热丝CVD法沉积金刚石的形成过程进行了研究,建立了以巴基管为涂层在硅片上学积金刚石薄膜的成核率以及生长速率随时间的曲线,由此得出金刚石晶粒的成核经历孕育期,快速增长期和饱和期这三个连续的阶段,随后膜层继续生长增厚的速度逐渐趋于恒定。 相似文献
106.
107.
Ⅰ.引言韧性断裂是合金材料失效的主要形式之一。早在19世纪下半叶,有人就开始注意到金属材料的韧性断裂是通过内部颈缩而发生的。本世纪50年代,Puttick通过一系列实验和分析,提出了韧性断裂的机制是由于在材料内部的夹杂物上形成孔洞。随后,越来越多的实验事实表明,合金材料的韧性断裂是在材料里的第二相粒子(夹杂物)上形成孔洞,随后孔洞生长、汇合这样一个过程。50年代以来,位错理论的发展,电子显微镜的诞生,断裂学科 相似文献
108.
现代卤化银高感照相乳剂大多是具有不同碘含量和碘分布的溴碘化银乳剂.由于碘化银参与到晶体成核和生长的不同阶段,便出现了所谓双层结构、多层结构、核壳结构等不同类型的实用卤化银照相乳剂.因此,对于碘在卤化银结晶过程中的作用的认识就显得尤为重要.本文通过文献综述旨在探讨碘对卤化银晶体成核与生长的影响. 相似文献
109.
110.
氧化-还原低温引发苯乙烯/丙烯酸丁酯细乳液聚合粒度分布和成核机理的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
用氧化还原引发剂(NH4)2S2O8/NaHSO3研究了苯乙烯(St)/丙烯酸丁酯(BA)低温下的细乳液共聚合,细乳液单体液滴在亚微米级(100~400nm).测定了聚合过程中粒子大小及分布的变化,发现细乳液聚合随引发剂、乳化剂和共乳化剂浓度的增加,乳胶粒子尺寸变小,分布变宽,并且比相同条件下传统乳液聚合的粒子大.计算了聚合过程中粒子数变化规律及乳化剂覆盖率,讨论了细乳液与传统乳液中引发剂、乳化剂对反应过程的影响及成核机理的差异. 相似文献