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采用飞秒激光(800 nm,120 fs,3 W,1 000 Hz)制备类金刚石膜,研究了不同偏压、生长温度和氧气氛等辅助手段对激光沉积类金刚石膜的影响,实验发现在室温(25℃)、无偏压和低气压氧气氛(2 Pa)条件下沉积的类金刚石膜性能最优。在单面预镀普通增透膜的硅红外窗口材料上镀制出了无氢类金刚石膜,3~5μm波段平均透过率达到90%以上,纳米硬度高达40 GPa,用压力为9.8 N的橡皮磨头,摩擦105次,膜层未见磨损,并且通过了军标规定的高温、低温、湿热、盐雾等环境试验,所制类金刚石膜可对红外窗口起到较好的增透保护作用。 相似文献
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Analysis and modeling of resistive switching mechanisms oriented to resistive random-access memory 下载免费PDF全文
With the progress of the semiconductor industry,the resistive random-access memory(RAM) has drawn increasing attention.The discovery of the memristor has brought much attention to this study.Research has focused on the resistive switching characteristics of different materials and the analysis of resistive switching mechanisms.We discuss the resistive switching mechanisms of different materials in this paper and analyze the differences of those mechanisms from the view point of circuitry to establish their respective circuit models.Finally,simulations are presented.We give the prospect of using different materials in resistive RAM on account of their resistive switching mechanisms,which are applied to explain their resistive switchings. 相似文献
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利用金刚石压腔结合拉曼光谱分析技术,研究了文石在18~388 ℃,71~2 014 MPa,以及方解石在19~351 ℃,96~1 823 MPa条件下的拉曼光谱特征,并得到文石和方解石的拉曼位移与温度、 压力三者之间的关系式。研究结果表明,文石和方解石的拉曼位移随温度压力的变化规律相似,都随压力升高向高频移动,除文石的704 cm-1外均随温度升高向低频移动。二者的晶格振动νi/T值均大于[CO3]基团内振动的值,说明CaO6八面体的热膨胀性大于[CO3]基团的热膨胀性。二者的对称伸缩振动ν/T及ν/P值不同,由于该振动拉曼位移和C—O键的键长有关,方解石的C—O键的热膨胀性比文石小而可压缩性比文石大。另外升温升压过程中文石和方解石可以相互转化,伴随该过程发生的[CO3]基团旋转变形等动力学因素也可以造成二者νi/T和νi/P值差异。 相似文献
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利用甲醇-氢(CH3OH-H2)混合气体为气源,30nm厚的无定形硅为过渡层,借助于微波等离子体化学气相沉积(MWCVD)成功地将金刚石薄膜生长在不锈钢上,其最低生长温度可至420℃,并且甲醇-氢混合气体比传统的甲烷-氢(CH4-H2)更具优势,测试表明这种金刚石薄膜有希望作为耐磨层在工业上应用 相似文献
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