内含式化合物X@B12P12的结构与稳定性研究

采用B3LYP/6-31G*方法，对内含式化合物X@B₁₂P₁₂(X=Li^0/+、Na^0/+、K^0/+、Be^0/2+、Mg^0/2+、Ca^0/2+、H和He)的不同对称性构型进行了计算，讨论其最稳定构型的几何参数、布居分析、偶极矩、电离势、包含能、振动频率、能隙和自旋密度． 发现在X@B₁₂P₁₂化合物中，客体X=Li、Na^0/+、K^0/+、Mg^0/2+、Ca^0/2+和He处在偏离笼的中心0.006 nm的半径内． Be²⁺沿着C₃轴偏离中心点0.279 nm． 在Be@B₁₂P₁₂和H@B₁₂P₁₂的基态结构中，Be和H与笼上的B原子成键． 除Li@B₁₂P₁₂、 Be²⁺@B₁₂P₁₂和He@ B₁₂P₁₂外， 其余结构为C_s对称稳定构型．     

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米粒子合成的进展

半导体科学技术是现代信息技术的基础，Ⅲ－Ⅴ族半导体纳米材料受垤广泛的重视。采取有机液相合成方法是制备Ⅲ－Ⅴ话半导体纳米粒子的重要途径。本文综述了近几年合成Ⅲ－Ⅴ话半导体纳米粒子的进展情况。     

CdS和CdSe新型纳米结构的高效溶剂热合成

采用快速高效的溶剂热法合成了海星形CdS纳米结构和一维CdSe纳米结构。用XRD、SEM和UV-Vis等表征手段对产物进行了表征，结果表明产物为单一的CdS和CdSe纳米结构，且CdS纳米结构具有良好的分散性，其形成极大地受到pH值影响，而CdSe先形成层状的二维结构、再形成一维纳米结构。     

[Co(C~5H~5)~2]~n.[M(dmit)~2](M=Ni,Pd;n=0,1,2)型配合物的合成及表征

二茂金属[M'(C~5H~5)~2]^1^+的盐与(NBu~4)~n[M(dmit)~2](M=Ni, Pd; N=1,2)反应, 当M'=Fe, Ni; n=1时, 分别得到了导电配合物[Ni(dmit)~2]和[Pd(dmit)~2]; 当M'=Co, n=1,2时, 分别得到的是电荷几乎不转移的4个盐[Co(C~5H~5)~2]~n[Ni(dmit)~2]和[Co(C~5H~5)~2]~n[Pd(dmit)~2]。用ESCA、Raman谱及循环伏安图讨论了上述化合物形成时的电荷转移量。尽管[M(dmit)~2]的室温电导率相当大, 但其电导率随温度的变化曲线表明它们属于半导体。EHCO能带计算给出[Ni(dmit)~2]的能隙0.112eV, 与实测的电导活化能相当接近。     

S-5N全固态重复频率脉冲发生器

 主要介绍S-5N的结构及测试实验结果。S-5N型全固态重复频率脉冲发生器是目前国际上同类源中峰值功率和平均功率均为最大的一台。随负载大小的变化，S-5N脉冲发生器的输出电压为400～600kV，输出电流2～3kA，输出脉冲半高宽40～50ns，单脉冲输出能量40～65J。 S-5N脉冲发生器在300Hz重复频率条件下可连续工作，500Hz重复频率条件下可连续工作3min，平均输出功率高达30kW。     

半导体所在GaAs纳米线结构相变的研究方面取得重要成果

作为传统的Ⅲ-V族半导体,GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时,由于表面积相对增加,又由于纤锌矿结构的表面能较低,使得GaAs纳米线上容易出现纤锌矿结构,互相竞争的结果往往是两相共存,还夹着很多平面缺陷(planar defect)。因此如何得到纯闪锌矿或者纯纤锌矿结构的     

生物炭基光催化剂改性制备及其去除水中抗生素的研究进展

水体中抗生素会影响微生物群落结构和功能,导致生态失衡;同时,抗生素会通过食物链的富集和传递进一步污染水质,对生态环境和人类健康造成持续性危害.光催化技术因其高效且环保的特性成为众多抗生素去除技术中的重点研究对象.虽然半导体是光催化技术的核心材料之一,但其自身限制导致工作效率不高.生物炭(BC)作为碳家族成员之一有着众多优良特性,将生物炭与半导体复合制备的生物炭基光催化剂(BSPs)综合了两者的优越性能,有着广阔的应用前景.本文通过文献查阅,系统分析了BSPs的研究进展,涵盖BSPs的制备和改性方式,以及去除抗生素的原理和各种影响因素,并阐明其高导电性、高比表面积、强氧化性、稳定性和可回收性等特点,说明BSPs能够处理各种介质中存在的多种污染物.此外,对BSPs的局限性进行了分析,对未来研究方向提出了建议.     

一种高稳定性光纤F-P标准具的设计

法布里-珀罗(F-P)标准具广泛应用于光纤通信与光纤传感领域。实心标准具受自身材料的限制,无法满足高稳定性的要求。空气隙标准具采用热膨胀系数极低的垫片,提高了器件的温度稳定性能。介绍了低温漂光纤F-P标准具的设计和制作,出射光自由光谱范围为100GHz,损耗为3dB,0~70℃温度漂移小于3GHz。相比于采用传统方法制作的标准具,该光纤F-P标准具稳定性更高,解决了实心标准具折射率和热膨胀变化大的问题。     

An optical study of the D-D neutron irradiation-induced defects in Co-and Cu-doped ZnO wafers

Room-temperature photoluminescence and optical transmittance spectroscopy of Co-doped(1×1014,5×1016,and 1×1017cm-2) and Cu-doped(5×1016cm-2) ZnO wafers irradiated by D-D neutrons(fluence of 2.9×1010 cm-2) have been investigated.After irradiation,the Co or Cu metal and oxide clusters in doped ZnO wafers are dissolved,and the wu¨rtzite structure of ZnO substrate for each sample remains unchanged and keeps in high c-axis preferential orientation.The degree of irradiation-induced crystal disorder reflected from the absorption band tail parameter(E0) is far greater for doped ZnO than the undoped one.Under the same doping concentration,the Cu-doped ZnO wafer has much higher irradiation-induced disorder than the Co-doped one.Photoluminescence measurements indicate that the introduction rate of both the zinc vacancy and the zinc interstitial is much higher for the doped ZnO wafer with a high doping level than the undoped one.In addition,both crystal lattice distortion and defect complexes are suggested to be formed in doped ZnO wafers.Consequently,the Co-or Cu-doped ZnO wafer(especially with a high doping level) exhibits very low radiation hardness compared with the undoped one,and the Cu-doped ZnO wafer is much less radiation-hard than the Co-doped one.     

数字式半导体制冷系统研究

研究了数字式半导体制冷系统。结合机理法与实验法对半导体制冷系统各组件进行建模;通过单回路控制策略,将电气执行组件和温度场进行整合统一控制,根据频域法设计了数字控制系统,开发了基于JAVA的Android客户端软件,实现了无线温度设定与监测。实验表明,制冷系统降温迅速、温控精确,电气控制系统参数能迅速收敛,达到了较好的控制效果。