大孔树脂吸附法回收三氯氢硅生产过程中的尾气

三氯氢硅生产工艺中产生大量尾气,主要成分氢气、氯化氢、氯硅烷,如果直接排放不但污染环境,而且造成资源的浪费。用树脂吸附法对尾气进行回收并再利用,具有较大的工业应用前景。在Ф10×380mm玻璃吸附柱内,用型号为A1、A2、A3的3种大孔树脂,进行了吸附和解吸性能研究。结果表明,A1树脂性能最优。最佳吸附工艺条件为:温度20℃,尾气流量5L/h,吸附时间2.8h。解吸过程的最佳工艺条件:温度110℃,氮气流量7.5L/h,时间1.5h。     

新型含氯、溴的硅酸酯阻燃剂的合成及性能研究

以三溴苯基环氧丙基醚、四氯化硅及1,3-二氯丙醇为主要原料合成新型含硅、氯、溴三元素的协同高效阻燃剂硅酸三(二氯丙基)三溴苯氧基氯丙基酯。探讨了反应温度、时间及投料比对产率的影响,合适的工艺条件为:三溴苯基环氧丙基醚、四氯化硅及1,3-二氯丙醇的摩尔比为1∶1∶3.5,100℃反应5h,产率达98.0%。用FT-IR、1H NMR表征了产物的结构,并用极限氧指数方法测试了产物的阻燃性能等。     

Fast Growth of Polycrystalline Film in SiCl4／H2 Plasma

We report the discovery, of fast growth of polycrystalline silicon films under low temperature of 200-300℃ from SiCl4/H2 mixture gases by plasma enhanced chemical vapour deposition technique. The deposition rate strongly depends not only on the rf power and the flow ratio of H2/SiCl4, but also on the substrate temperature, while the crystalline fraction is mainly affected by both the rf power and the flow ratio of H2/SiCl4. The high film-growth rate is due to the enhancement of the gas-phase reaction in SICI4/‘H2 plasma. By gleans of adjusting the matchingrelation between the flow ratio of H2/SiCl4 and rf power, and optimizing the substrate temperasure, we obtain the potycrystalline silicon films deposited at a higher deposition rate over 3.5A/s, with a crystalline fraction of 75% and an average crystallite size of 400-500nm in diameter.     

新型TiCl4(Ni(acac)2复合催化剂乙烯聚合反应

乙酰丙酮镍;四氯化钛;四氯化硅;新型TiCl4(Ni(acac)2复合催化剂乙烯聚合反应     

四氯化硅催化氢化合成三氯氢硅机理研究

针对四氯化硅催化氢化过程采用第一性原理机理对其进行模拟研究,结果表明:没有催化剂时,SiCl4与H2反应能垒为464.45 kJ/mol,反应能量为74.94 kJ/mol,与热力学计算结果 71.85 kJ/mol一致.负载在HZSM-5分子筛上的氯化钡可催化四氯化硅氢化反应,其最具催化活性表面为(111)面;H2在BaCl2(111)面上表现排斥性;SiCl4表现为吸附性,可在BaCl2(111)表面稳定吸附并生成.SiCl3自由基,过程吸附能为448.33 kJ/mol;在催化剂BaCl2存在条件下,SiCl4与H2反应为自由基反应,反应步骤能垒为400.23 kJ/mol;氢化过程能垒降为184.97kJ/mol;催化氢化反应过程所需能量为64.20 kJ/mol.催化氢化过程反应条件相对无催化剂过程更为温和.