哑铃状氧化锌的合成与表征

采用超声波辅助回流法制备了高纯度且尺寸一致的哑铃状氧化锌。用扫描电镜、透射电镜和X射线粉末衍射分析了氧化锌的形貌和结构，用紫外-可见吸收光谱和荧光光谱测定其光学性质，并初步探讨了哑铃状氧化锌的形成机理。结果表明，超声波处理、溶液的碱度和乙二胺对哑铃状形貌的形成起了重要作用，研究发现该哑铃状氧化锌具有独特的光学性质。     

中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响

利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜(AFM)表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70~110 nm增加至110~150 nm。当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW。对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明:增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率。     

高功率盒形窗内次级电子倍增效应

以S波段高功率盒型窗为对象,采用Monte Carlo模拟方法对盒型窗内的次级电子倍增效应进行研究,探索次级电子的倍增规律。模拟得到了盒型窗内TE11模和TM11模共同作用下,两种陶瓷窗片表面次级电子倍增活跃的区域随传输功率的变化特点。在低传输功率下,次级电子仅在未镀膜窗片表面被激励,并以双面倍增的方式在金属法兰与镀膜窗片相对应的区域增长;在较高的传输功率下,窗片表面的次级电子将以单面倍增的方式活跃在窗片表面与波导口相对的区域。传输功率的升高使得镀膜窗片表面的次级电子倍增活跃区域转移到矩形波导窄边对应的区域,并加剧了未镀膜窗片表面的局部倍增效应。     

用于三维全电磁粒子模拟的电荷守恒共形发射技术北大核心CSCD

给出了满足电荷守恒的共形发射技术。首先阴极表面由三角网格共形描述,发射带电粒子时,根据电荷和电流线性分配方式和离散高斯定律,带电粒子的初始位置设置在与三角面元处于同一个网格元胞内,离三角面元最近且处于金属内部的网格点上。带电粒子的初始运动由两部分组成:一是由三角面上的法向场推进所产生的运动;二是使发射粒子在阴极面上分布呈随机性而设定的随机运动。运动产生的电流按照电荷守恒定律分配到离散网格中,并且由于粒子的初始位置设置在整网格点上,带电粒子的共形发射不会产生非物理的静电累加。最后通过同轴二极管模型来验证共形发射模型的正确性。     

带形上随机环境中随机游动的内蕴分枝结构

揭示了带形上随机环境中随机游动的内蕴分枝结构一带移民的多物种分枝过程.利用内蕴分枝结构,可精确表达游动的首次击中时.给出了内蕴分枝结构的如下两个应用:(1)计算出首次击中时的均值,给出游动大数定律速度的显示表达,(2)得到从粒子角度看环境的马氏链不变测度的密度函数的显示表达,进而可用另一种"站在粒子看环境"的方法直接证明游动的大数定律.     

距离边界条件域和H(o)lder域

主要利用了距离边界条件域和Holder域的定义,建立了当kD(x1,x2)和jD(x1,x2)满足一定的条件后,两类距离边界条件域和Holder域之间的四个充要条件和一个充分条件.     

液晶二聚体

液晶二聚体作为半柔性主链型液晶聚合物的简化模型, 通过对其液晶性质的研究, 有助于理解更复杂聚合物体系的液晶行为. 另外, 液晶二聚体作为一类特殊的液晶也有其自身的相结构和相行为. 以分子结构与液晶态的相互关系为主线, 系统介绍了目前文献报道的对称及非对称棒状液晶二聚体(线形、H形、U形、T形)、盘状液晶二聚体(对称的盘-盘状液晶二聚体和非对称的盘-棒状液晶二聚体)和香蕉形液晶二聚体(对称的香蕉-香蕉形液晶二聚体和非对称的香蕉-棒状液晶二聚体)等各种不同类型的液晶二聚体的研究进展, 以期为新型液晶二聚体的分子设计提供一些借鉴.     

芘和蒽作为荧光探针探测树枝形聚合物微环境

分别以芘和(9-蒽基)甲基三甲基溴化铵(An)作为荧光探针研究了一系列羧基为外围末端基团的芳醚树枝形聚合物Gn(n=1-4)的内部微环境极性及包结情况. 芘荧光I1/I3值在1-3代树枝形聚合物钾盐水溶液中变化不大, 而3到4代有一个陡降, 推测1-3代树枝形聚合物处于相对开放的结构, G4为相对密闭的球形结构, 4代树枝形聚合物表现出更好的包结特性. An在树枝形聚合物G2钾盐水溶液中的荧光光谱结果表明, 树枝形聚合物G2可以包结两个以上的An分子, An分子疏水的蒽环部分位于树枝形聚合物内部孔穴中, 而带正电荷的铵离子靠近树枝形聚合物分子的极性末端.     

非线性拟周期方程的Floquet理论

主要研究由如下的微分方程所组成的自治系统: 其中是一个双曲的常矩阵, f是一个关于两个变元都是C^∞的函数, 并且关于变元θ的各个分量都是2π周期的, 还满足当x→0时,通过研究原系统的正规形, 证明了在适当条件下原系统可以变为自治系统 另外, 证明过程自然蕴含了Chen定理在拟周期情形下的推广.