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51.
研究了高位振动态RbH(Х1Σ+,v″=15-21)与CO2碰撞转移过程。脉冲激光激发RbH至高位态,利用激光感应荧光 光谱(LIF)得到RbH(Х1Σ+,v″)与CO2的猝灭速率系数,。利用激光泛频光谱技术,测量了CO2(0000,J)高转动态分布。得到了转动温度,从而获得了平均转动能和转动能的变化<ΔErot>,发现。对于v"=16,证实了振动—振动能量转移的4-1近共振过程。在一次碰撞条件下,通过速率方程分析,得到RH(v")-CO2振转速率系数。对于v"=15,J=32-48,速率系数在1.25-0.33×10-13cm3s-1.之间,对于v"=21,速率系数在2.47-1. 53×10-13cm3s-1之间,其能量相关性是明显的。 相似文献
52.
基于简单碰撞理论煤粉燃烧动力学模型的研究-PART Ⅲ:氧气可达比表面积 总被引:1,自引:1,他引:1
根据不同温度下氧分子平均自由程的大小,比较了小孔、中孔和大孔中三种扩散速率与煤焦表面燃烧速度的大小.研究表明2000 K以内,颗粒表面分子扩散速率比氧化反应速率大1个数量级以上,过度扩散速率不小于氧化速率.温度小于1200K时,燃烧速率比Knudsen扩散速率小1~5个数量级,扩散孔径小于15~28 nm,反应主要在内外表面进行;1200~1600K时,燃烧速率与Knudsen扩散速率相当,扩散临界孔径28~38 nm,反应在外表面及浅层内表面进行;温度1600K以上时,Knudsen扩散速率比燃烧速率小1个数量级,孔径38~50 nm以下内表面上碳的氧化速度受扩散控制.煤焦的氧化主要发生在Knudsen扩散临界孔径10~50 nm以上的氧气可达表面上. 相似文献
53.
54.
庞小峰 《原子与分子物理学报》2002,19(3):319-326
ATP水解作用所释放的能量能引起蛋白质分子中额外电子的激发,其激发与氨基酸残基晶格畸变相互作用,使额外电子自陷成孤子,这孤子在附着有供体(D)和受体(A)的蛋白质分子中运动时,由于孤子与供体电子的相互作用而"自局域"在孤子上进行迁移,从而可把电子供给受体.使用作者提出的孤子理论研究了这种迁移的特征,计算了在这种非平衡态过程中由孤子迁移电子的速率和动能系数,得到了一些有趣的结果,揭示了这种迁移的本质,求得了迁移的大小. 相似文献
55.
56.
本文采用摄影方法在海州露天煤矿对台阶爆破破碎块度进行了测量。根据现场试验所获得的数据,通过多元曲线拟合处理,给出了二种岩石爆破破碎块度的分布规律。所得结论对控制和提高爆破破碎质量具有重要意义。 相似文献
57.
Effects of an ultra-strong magnetic field on electron capture rates for 55Co are analyzed in the nuclear shell model and under the Landau energy levels quantized approximation in the ultra-strong magnetic field, and the electron capture rates on 10 abundant iron group nuclei at the surface of a magnetar are given. The results show that electron capture rates on 55Co are increased greatly in the ultra-strong magnetic field, by about 3 orders of magnitude generally. These conclusions play an important role in future study of the evolution of magnetars. 相似文献
58.
Random thickness error is an important factor which effects the calibration accuracies of deposition rates for extreme ultraviolet (EUV) multilayer coatings fabricated by sputter deposition techniques. A least square fitting method is proposed to determine deposition rates and extract random thickness errors accurately. The validity of this method is shown by evaluating two deposition systems with control abilities of -0.1 nm and better than 0.01 nm respectively. 相似文献
59.
Efficiency and droop improvement in a blue InGaN-based light emitting diode with a p-InGaN layer inserted in the GaN barriers 下载免费PDF全文
The advantages of a blue InGaN-based light-emitting diode with a p-InGaN layer inserted in the GaN barriers is studied. The carrier concentration in the quantum well, radiative recombination rate in the active region, output power, and internal quantum efficiency are investigated. The simulation results show that the InGaN-based light-emitting diode with a p-InGaN layer inserted in the barriers has better performance over its conventional counterpart and the light emitting diode with p-GaN inserted in the barriers. The improvement is due to enhanced Mg acceptor activation and enhanced hole injection into the quantum wells. 相似文献