Study on the in—plane electrical resistivity and thermoelectric power in single crystals of La2—xBaxCuO4

The in-plane electrical resistivity and thermoelectric power have been measured on single crystals of La_2-xBa_xCuO₄ at around x=0.125. The room temperature resistivity and thermopower have their maximum values at x=0.125, indicating that the carrier concentration is the minimum and the carriers are most strongly localized at x=0.125. The observed semiconductor-like behaviour can be well described by the weak-localized quasi-two-dimensional state. The steep rise in electric resistivity of the sample at x=0.125 below 70K is attributed to the formation of static stripe-order of holes and spins, which are pinned by the low-temperature tetragonal (LTT) structure, as discovered in La_1.48Nd_0.4Sr_0.12CuO₄. The temperature dependence of electric resistivity below 70K is still well described by the formula ρ∝ lnT. A definite change in the slope of thermopower is observed at the low-temperature orthorhombic-LTT structural phase transition temperature. The origin of the 1/8 anomaly is discussed in the text.     

种晶法控制金刚石成核的合成工艺研究

本文采用了半金刚石昌规则地排列放置在溶媒表面上的工艺方法进行了控制金刚石成核的合成实验。通过使用不同的种晶放置位置及种晶排列问题，研究了金刚石在种晶上的生长过程和影响合成结果的因素。     

金钢石的制备研究

本文研究了两种不同质异构体石墨—金刚石的转化条件，以及在实验室现有条件下，利用石墨材料制备金刚石颗粒的具体方法和试验结果。     

在强碳化物形成元素衬底上生长金刚石薄膜的物理机制探索

作者在研究金刚石表面金属化机理中发现,该物理过程是用化学气相沉积(CVD)方法在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的逆物理过程。推断在强碳化物形成元素上,诸如WSi,Ta等,生长金刚石薄膜,其界面有相应的碳化物,诸如WC,SiC,TaC等出现,继而生长的金刚石薄膜实质是在相应的碳化物背底上择优取向成核生长的。从而揭示在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的物理机制是:W(Si,Ta)等→WC(SiC,TaC)等→金刚石薄膜。 关键词：     

Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

空位在金刚石近(001)表面扩散的分子动力学模拟

用分子动力学方法模拟了空位在金刚石近(001)表面的扩散过程,研究了温度对空位扩散的影响.结果表明,当温度为1000K左右时,位于近表面第二层上的空位开始向表面运动;当温度在1400—2000K时,空位完全扩散到表面.这与实验结果和其他计算结果符合得很好.同时发现,温度为1400—1800K时,空位的扩散经历了两次迁移运动,其分别对应了均方位移图中的两个极大值.在不施加任何约束的条件下得到了空位的动态扩散路径,空位在金刚石近(001)表面的扩散势垒约为042eV.并探讨了一定温度下空位数目增多及其不同排列 关键词： 金刚石 空位 扩散 分子动力学     

新型金属杂冠醚配合物18-MC-6[Mn6(4-Amashz)6(DMF)6]·12DMF的合成

合成了一种新型金属杂冠醚配合物[Mn6(4-amashz)6(DMF)6]·12DMF,并用X射线衍射法对其结构进行了表征.研究了该化合物修饰金电极催化氧还原的性质,结果表明,该化合物具有平面碟状结构,对在碱性溶液中的氧有显著的催化还原作用.     

Nd：GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd：GdVO4)单晶，并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑，测定了(100)面晶体位错密度为600个／mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌，可采用简单光学方法确定晶体方向。     

氟化类金刚石薄膜的拉曼和红外光谱结构研究

关键词：