[(enH)2(enH2)Sn2Se6]的合成、结构及性能研究

采用溶剂热法,以K2Se:SnCl2·2H2O∶Se∶en=1∶1∶4∶48的摩尔比,在150 ℃下反应5d,生成黄色透明柱状晶体[(enH2)2Sn2Se6·en]。该晶体属于三斜晶系 ,空间群为Pl^-,晶胞参数,a=0.8659(2)nm,b=1.1055(2)nm,c=0.66360(10)nm, a=104.44(3)°,β=110.93(3)°,γ=79.74(3)°,V=0.57198(19)nm^3,Z=1.[ (enH2)Sn2Se6]晶体由质子化的乙二胺正离子（enH)^+,(enH2)^2+和二聚硒代锡根 负离子（Sn2Se6)^4-堆积而成。在AxSn2Se6系列化合物,正离子A的大小对晶体结 构的类型产生重要的影响。研究表明,此晶体具有1.76eV的能隙（Eg）,是个半导 体,对太阳辐射具有选择吸收特性,在温度低于180℃时是稳定的。     

ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶的合成及其光学性质研究

以巯基丙酸(MPA)为稳定剂, 利用共沉淀法制备了水溶性的Ag掺杂的ZnxCd1-xS合金型纳米晶. Ag掺杂后ZnxCd1-xS纳米晶产生新的发射峰, 并且发光效率得到了有效提高. 通过改变纳米粒子中Zn/Cd比例可有效地调控ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶的吸收带隙宽度, 同时可以在425～603 nm之间实现对ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶发射峰位的连续调控.     

单硼五元杂环配体(C~4BH~5)过渡金属夹心高聚物的理论研究

用一维自洽场晶体轨道法探讨了过渡金属夹心高聚物[(C~4BH~5)M]~n(M=Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的一维链结构和电子结构.计算表明,堆积单元(C~4BH~5)M中价电子数为奇数的高聚物结构会发生Peierls畸变,而价电子数为偶数的将取规则结构,由能带结构得到, [(C~4BH~5)Mn]~n的前线能带出现交叉,可能会发生进一步的结构畸变,但也有可能保持非满状态,成为异体.[(C~4BH~5)Ni]~n可能是不稳定的.其余三个高聚物为半导体或绝缘体,这系列高聚物电荷载流子通路主要依赖于金属d轨道重叠.     

微波辅助合成发光可调ZnS∶Cu纳米晶

以巯基丙酸(MPA)为稳定剂, 利用微波辐射加热方法制备了水溶性的Cu掺杂的ZnS纳米晶. 通过改变微波条件, 可以在460～572 nm之间实现对ZnS∶Cu纳米晶发射峰位的连续调控. 通过XRD、 UV-Vis、荧光及荧光衰减对ZnS∶Cu纳米晶的结构和发光性质进行了详细探索, 并利用时间分辨荧光光谱对其发光机理进行了初步研究.     

锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究

用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解，锑化镓电极在一定电势下生成的氧化膜，用俄歇能谱证明，其主要成分为难溶的氧化锑，此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀，同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱，通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察，在刻蚀剂中添加酒石酸，柠檬酸和氢氟酸等试剂，可使刻蚀形得改善，实验研究了锑化镓的平带电势的测定。     

高电导率的a—SiHY合金的低温电导特性

用射央求地在硅单晶衬底上沉积出电导率高达６０Ｓ／ｃｍ的ａ－ＳｉＨＹ合金薄膜。在２０－３００Ｋ，对于钇含量高的样品，其电导仍是热激活的。ｌｇσ与１／Ｔ的关系曲线能够被拟合成斜率不同的两条直线，直线的斜率和两直线间拐点所地 温度依赖于膜中钇的含量。但对钇含量低的薄膜，电导对温度的依赖关系度为σ∝ｅｘｐ（－１／Ｔ＾１／４）。结果表明，这些钇含量不同的样品在没的温度范围内具有不同的导电机制。     

利用LB技术以寡聚DNA为模板构建CdS纳米结构

利用Langmuir-Blodgett技术制备了十八胺（ODA）／十聚腺嘌呤（oligo-A10)单分子膜，并以其为模板制备了不同形状的Cds纳米结构，结果表明以在低膜压下转移的寡聚DNA单层为模板可诱导生成线形的Cds纳米结构，而以在主膜压下转换的寡聚DNA单层膜板得到的是Cds的球形结构聚集体。     

MX2型二维半导体载流子迁移率理论预测

为找到未来半导体晶体管合适的沟道材料,计算了14种MX_2(其中M=Mo,W,Sn,Hf,Zr和Pt,X=S,Se和Te)型二维半导体载流子有效质量、带隙以及电子和空穴迁移率。在计算过程中,为了快速对载流子迁移率进行估计,利用形变势的近似电声耦合矩阵元。计算时考虑长波光学声子和声学声子的散射,而在极化晶体中,考虑了极化散射。计算结果表面,WS_2,PtS_2以及PtSe_2具有最高的电子迁移率以及非零的带隙。其中,PtSe_2的电子在室温下的理论迁移率上限为4000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),而W,Hf和Zr的二维化合物室温时的空穴迁移率较高,其中含W的化合物理论迁移率上限到2600 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。该计算研究为实验合成高迁移率的二维材料提供指导,同时为实验获得高性能以二维材料作为沟道的场效应晶体管提供参考,加速二维材料的应用。     

Cu/TiO2-NiO上光促表面催化CO2和H2O合成CH3OH反应规律

采用溶胶-凝胶法制备了n(电子型)-p(空穴型) 复合半导体材料0.5％Cu/TiO2-2.0％NiO (w),利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、红外光谱(IR)、紫外-可见光漫反射(UV-Vis)、程序升温脱附(TPD)技术对材料结构、吸光性能、化学吸附性能进行了表征,研究了该材料对CO2和H2O合成CH3OH的光促表面催化反应(PSSR)规律.结果表明,所制备材料能够明显促进目的反应,室温条件下即有CH3OH生成.在200 ℃下,由于光-表面-热的协同效应,CO2转化率得以提高,且CH3OH的选择性达到87.5％ .根据实验结果,得出CO2在材料表面的卧式吸附态为CH3OH的前驱物,并对PSSR机理进行了讨论.     

离子敏感场效应晶体管及其应用

离子敏感场效应晶体管具有若干不同于寻常传感器的特点：超小型、全固态、集成化和自身阻抗变换等。它是一种很有发展前途的传感器。本文了讨论了离子敏感场效应晶体管的分类、结构和性能；评述了１９８９年以来其在临床医学和流动注射分析等方面的应用。引参考文献６７篇。