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61.
用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变.用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构.讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响.发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元,从而影响了该超晶格的发光性能.计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量. 相似文献
62.
硬质聚氨酯泡沫塑料是聚氨酯材料体系中最重要的品种之一,它是以聚氨酯树脂为基体,经发泡工艺制作而成的泡沫材料。由于硬质聚氨酯泡沫塑料在使用过程中有可能发生老化而导致其力学性能发生变化,因而老化性能的研究和贮存寿命的评估是硬质聚氨酯泡沫塑料的一个重要研究方向。 相似文献
63.
针对TNT基炸药及其机械加工特点,设计出对人和环境友好的CFE和ICFE系列TNT基炸药机械加工专用水基切削液配方,根据切削液的防锈性能、切削液与TNT基炸药作用的变色特性对配方进行了筛选和评价。 相似文献
64.
65.
钢丝绳隔振器最早由美国于20世纪70年代末研制成功,它是一种典型的非线性隔振器,阻尼特性与变形有关,具有良好的隔振性能。文中以特定电子器件的隔振设计为出发点,对比研究了采用钢丝绳隔振器时的隔振效果,为最终设计定型积累了试验数据。 相似文献
66.
纳米Mg-Ni贮氢材料具有成本低,活化容易、贮氢容量大,吸放氢动力学性能优异等特点,有很大的应用前景。本文用机械合金化法进行了纳米Mg-Ni合金的制备,且对制备的粉末进行了XRD,TEM,SEM等微观结构的分析。 相似文献
67.
We study the two samples of AlInGaN,i.e.,1-μm Gan grown at 1030℃ on the buffer and followed by a 0.6μm-thick epilayer of AlInGaN under the low pressure of 76 Torr and the AlInGaN layer deposited diectly on the buffer layer without the high-temperature GaN layer,by temperature-dependent photoluminescence(PL) spectroscopy and picosecond time-resolved photoluminescence(TRPL) spectroscopy.The TRPL signals of both the samples were fitted well as a stretched exponential decay at all temperatures,indicating significant disorder in the material.We attribute the disorder to nanoscale quantum dots or discs of high indium concentration.Temperature dependence of dispersive exponent β shows that the stretched exponential decay of the two samples comes from dfferent mechanisms.The different depths of the localization potential account for the difference,which is illustrated by the results of temperature dependence of radiative recombination lifetime and PL peak energy. 相似文献
68.
2003年2月27日由国家药品监督管理局医疗器械司委托全国医用电器标准化技术委员会组织,在上海市举行了SJTU-1型医用超声设备声输出测量系统的技术成果鉴定会。由王威琪院士、冯若教授、张德俊教授为主任委员的鉴定委员会,对此项成果进行了测试和技术鉴定,认为SJTU-1型医用超声设备声输出测量系统的技术指标达到了同类系统的国际先进水平,某些功能优于国外同类系统。 相似文献
69.
Modified Photoluminescence by Silicon-Based One-Dimensional Photonic Crystal Microcavities
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photoluminescence (PL) lrom one-dimensional photonic band structures is investigated. The doped photonic crystal with microcavitles are fabricated by using alternating hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H/a-SiNy:H) layers in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) chamber. It is observed that microcavities strongly modify the PL spectra from active hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) thin film. By comparison, the wide emission band width 208nm is strongly narrowed to 11 nm, and the resonant enhancement of the peak PL intensity is about two orders of magnitude with respect to the emission of the λ/2-thick layer of a-SiNx:H. A linewidth of Δλ=11 nm and a quality factor of Q=69 are achieved in our one-dimensional a-SiNz photonic crystal microcavities. Measurements of transmittance spectra of the as-grown samples show that the transmittance resonant peak of a cavity mode at 710nm is introduced into the band gap of one-dimensional photonic crystal distributed Bragg reflector (DBR), which further verifies the microcavity effects. 相似文献
70.
真空中陶瓷绝缘子的耐压能力严重受到其表面性能的制约,在远低于同尺寸的真空间隙的耐压强度和绝缘子体耐压水平的情况下,绝缘子就出现了击穿现象,即沿面闪络击穿。利用真空绝缘实验装置选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷样品进行表面耐压试验,对不同组分的陶瓷样品的耐压性能比较,并探讨表面处理及测试法对绝缘子表面绝缘性能的影响。 相似文献